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本实用新型公开了一种用于碳化硅预对准晶圆。所述用于碳化硅预对准晶圆通过在碳化硅晶圆的正面的边缘处设置圆环状的屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构包括硅化物层或金属层或硅层，且所述屏蔽结构的宽度在2mm～10mm的范围内。如此，可使得所述用于碳化硅预...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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