储值卡的计值方法与装置制造方法及图纸

一种储值卡的计值方法与装置，用一个以上的位元形成一个层级，而对应于一个层级则有一个删除保护位元。对应于一次计值过程，就将这些位元之中的一个，从原始状态转换为写入状态。而如果在较高层级中的一个位元产生改变时，所有较低层级所对应的删除保护位元，就会同时由原始状态转换为写入状态。而且，只有当删除保护位元位于写入状态时，此删除保护位元所对应的层级中的位元以及此删除保护位元，才能同时更动为原始状态。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种计值方法与装置，特别涉及一种储值卡的计值方法与装置。在现今的生活环境中，为了安全以及方便，有许多人已经开始减少身上所携带的现金的数量，而改以各种类型的卡片来替代，例如信用卡或储值卡等。而其中，储值卡的应用极为广泛，例如车票，计次卡以及电话卡等等，都是储值卡可以运用的范围。而储值卡的广泛运用，也使得储值卡的计值方式有多种的设计方法。例如在美国专利申请号US5001332，标题为″电可擦可编程只读存储器的防操作减值电路和方法(Method and circuit for manipulation-proof devaluation of EEPROMS)″的专利中，即提出了一种储值卡中所使用的电路的设计方法。但是随着储值卡的普及，有可能产生因想要非法破坏储值卡可用次数，而对储值卡进行不正当操作的情况，所以在电路设计上就必须考虑各种不正常发生的状况。在这种情况下，前面提到的专利案，也就是美国专利申请号US5001332所提的专利，就会有所缺陷。在该专利所提出的电路中，许多的存储单元分成数个层级，而每一个层级则代表不同的位阶。当较高位阶层级里的一个存储单元的值被删除的时候，这个电路就会对控制单元进行写入，而后，当侦测到此控制单元被写入时，次一个层级里的所有存储单元就允许被复位。接下来，同样的过程会在接续下去的每个层级中进行，直到代表最低位阶的层级中的存储单元也被复位为止。这样的一个电路运作过程，当然符合计值卡的使用概念，但是它在某些不正常操作状况下则无法确保计值卡的正确计值功能。举例来说，当复位完某一个层级而将对次一个层级里的控制单元写入时，若突然将用来变更存储单元状态的电压降低，则此控制单元的写入过程就可能会无法执行，如此就会导致接续的层级的存储单元的状态转换产生错误。而由于在已知的技术中，是一层一层的对控制单元进行写入，所以发生此类问题的机率就会增大许多；也就是，会使得有心破坏的人有更多的机会来影响储值卡的正常工作。此外，由于已知的电路是使用写入唯一一个控制单元，而后根据此控制单元来复位较低层级中的存储单元，并依次进行其他较低层级的复位过程。如此的过程，就使得工作脉冲会如附图说明图1所示，是一个写入脉冲与一个复位脉冲不断的交错，直到所需更新的存储单元全部更新完毕才停止的过程。从图1中可以得知，T0的时候是一个写入脉冲，而T1则是一个复位脉冲。类似这样的重复下去，直到T5的时候，总共6个脉冲却只能复位完成三个层级。这样的一个过程，很明显的浪费了许多时间。综上所述，已知的使用在储值卡上的计值电路有几个缺点，现列述如下1.正常运作过程遭到人为破坏的机率极大；以及2.电路运行过程由于是两个程序不断的交替，所以会比即将提到的本专利技术耗费更多的时间。有鉴于此，本专利技术的目的是提出一种储值卡的计值方法与装置，可以减少人为破坏的机率，而且可以缩短计值过程所需耗费的时间。本专利技术的技术方案如下。本专利技术提供一种储值卡的计值方法，该储值卡包括多个层级以及多个删除保护位元，每一该层级包括至少一位元，且分别对应于该些删除保护位元，任一该位元以及任一该删除保护位元具有一原始状态以及一写入状态，在第一次计值过程中，最先改变状态的该位元为一计算起始位元，而在任一次计值过程中，对这些位元改变状态的先后顺序则称为一计算路径，该计值方法包括根据计值的总数，分别设定该些位元的起始状态；依照该计算路径，将仍处于该原始状态而最接近该计算起始位元的位元，从该原始状态转换为该写入状态；当在该计算路径上，距离该计算起始位元较远的一较高层级中的任一该些位元，从该原始状态转换为该写入状态时，距离该计算起始位元比该较高层级为近的任一较低层级所对应的该删除保护位元，就会同时转换为该写入状态；以及当该删除保护位元位于该写入状态时，则对应的该层级中的任一位元以及该删除保护位元，就可同时更动至该原始状态。在该计算路径上，距离该计算起始位元最远的一最高层级所对应的该删除保护位元，固定于该原始状态。所述的计值方法还包括内建一安全密码。当该安全密码确认通过后，该最高层级所对应的该删除保护位元就可以转换为该写入状态。任一该删除保护位元不能单独从该原始状态转换为该写入状态，也不能单独从该写入状态转换为该原始状态。本专利技术的储值卡的计值装置包括一存储器阵列，包括多个层级，且任一该些层级包括至少一存储单元，其中，任一该存储单元代表高低不同的一数值，而任一该层级则代表高低不同的一位阶；以及一控制电路，用以控制任一层级内的任一该存储单元状态的改变，其中，该控制电路对应于该任一层级有一控制存储闸，而当该任一层级中的任一该存储单元状态改变时，对应于比该层级所代表的该位阶低的任一较低层级的该控制存储闸，就会被同时转换为一更动预警状态，而当侦测到该更动预警状态时，对应于该控制存储闸的该较低层级中的该存储单元状态就会允许被复位。该存储器阵列是由一电可擦除可编程只读存储器所组成。该电可擦除可编程只读存储器，是以一或非型方法组合成该存储器阵列。该存储单元状态的改变是改变该存储单元中导通临界电压的层级。该控制存储闸在对应于该控制存储闸的该较低层级中的该存储单元状态被复位时，也会被复位至原来的状态。控制电路用以控制这些层级内的存储单元状态的改变。其中，控制电路对应于任一个层级则有一个控制存储闸，而当层级中的任一个存储单元由原始状态改变为写入状态时，对应于比此层级所代表的位阶低的任一个较低层级的控制存储闸，就会被同时转换成一个更动预警状态。而当侦测到这一个更动预警状态时，对应于改变为该更动预警状态的控制存储闸的较低层级中的存储单元，状态就会允许被改变。综上所述，本专利技术利用一种新的设计方案，将控制电路的控制存储闸中需要更动的部分，在一个脉冲中就全部加以改变。如此一来，不但缩短了整个计值过程所需花费的时间，而且更重要的是，可以阻绝想通过改变计值卡的正常运作而获利的人所能利用的管道。这正是现今储值卡科技所需要的重大进展。为让本专利技术的上述和其他目的、特徵、和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下图1是已知技术中电路工作的脉冲图；图2是本专利技术的一较佳实施例的运行流程图3A是根据本专利技术的一较佳实施例的系统框图；图3B是本专利技术的一较佳实施例的工作脉冲图；图3C是本专利技术的一较佳实施例的电路结构图。图2是本专利技术一较佳实施例的一种工作流程图。在说明此流程图之前，先说明本专利技术的一些定义。首先，以至少一个位元形成一个层级，而一个层级则有相对应的一个删除保护位元。其中，任一位元以及删除保护位元都具有一个原始状态以及一个写入状态。其中，在以下所述及的实施例中，原始状态是将存储器清除为代表1的电压电平，而写入状态则是将存储器写为代表0的电压电平。但是这并非用来限定本专利技术，仅是用于举例说明。而在第一次计值过程中，最先考虑改变状态的位元，称为计算起始位元；而在计值过程中，对这些位元改变状态的先后顺序，就称为计算路径。接下来，将详细叙述本专利技术的流程图的实施过程。首先，在步骤S200之中，计值卡在卖出之前，会先将上述各个位元的起始状态设定完毕。每个位元的设定方式则会根据这一个计值卡所代表的数值而产生改变。接下来，步骤S205之中，就开始等候计值程序的开始。一直到计值程序开始的时候，才会进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种储值卡的计值方法，该储值卡包括多个层级以及多个删除保护位元，每一该层级包括至少一位元，且分别对应于该些删除保护位元，任一该位元以及任一该删除保护位元具有一原始状态以及一写入状态，在第一次计值过程中，最先改变状态的该位元为一计算起始位元，而在任一次计值过程中，对这些位元改变状态的先后顺序则称为一计算路径，该计值方法包括： 根据计值的总数，分别设定该些位元的起始状态； 依照该计算路径，将仍处于该原始状态而最接近该计算起始位元的位元，从该原始状态转换为该写入状态； 当在该计算路径上，距离该计算起始位元较远的一较高层级中的任一该些位元，从该原始状态转换为该写入状态时，距离该计算起始位元比该较高层级为近的任一较低层级所对应的该删除保护位元，就会同时转换为该写入状态；以及 当该删除保护位元位于该写入状态时，则对应的该层级中的任一位元以及该删除保护位元，就可同时更动至该原始状态。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘卫宗，
申请(专利权)人：立生半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]