半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括：所述半导体器件包括：半导体衬底；体区和漂移区，形成于所述半导体衬底中；源区，位于所述体区内；漏区，位于所述漂移区内；栅极结构，位于所述半导体衬底上，所述栅极结构的一侧延伸至所述源区上，且所述栅极结构的另一侧延伸至所述漂移区上；场板，位于所述漂移区上，且与所述栅极结构间隔设置；其中，在水平表面上的投影中，所述场板设有向所述栅极结构延伸的至少一个场板凸形结构，所述栅极结构设有与所述场板凸形结构配合的栅极结构凹形槽。本发明专利技术所述方案既不会损失器件的导通电阻也不会增加工艺成本或工艺步骤等，使半导体器件的性能提高。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LateralDoubleDiffusedMOSFET，LDMOS)器件由于其具有良好的短沟道特性而被广泛的应用。随着工艺的发展，为了得到较低的导通电阻，漏端采用场板结构等来保证器件的击穿电压和导通电阻，但这样器件表面的第一个大电场处的碰撞电离强最强的位置是在栅极结构边界下方，其电流路径相对于采用STI、场氧等做漏端漂移区的更靠近半导体衬底表面，更容易使得器件表面捕获更多的电荷从而导致器件热载流子注入(HCI)特性相对较差。现有方案是利用一块或几块掩膜层(mask)增加栅极结构(多晶硅栅极)下方的介质层厚度或采用浅沟槽隔离(STI)结构或者局部氧化硅(LOCOS)隔离结构来改善栅极结构处的HCI，这样增加了工艺成本，也同时会导致器件出现驼峰(hump)现象。因此，有必要对目前的所述半导体器件的制备方法进行改进，以解决现有技术中存在的问题。<br>专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：/n半导体衬底；/n体区和漂移区，形成于所述半导体衬底中；/n源区，位于所述体区内；/n漏区，位于所述漂移区内；/n栅极结构，位于所述半导体衬底上，所述栅极结构的一侧延伸至所述源区上，且所述栅极结构的另一侧延伸至所述漂移区上；/n场板，位于所述漂移区上，且与所述栅极结构间隔设置；/n其中，在水平表面上的投影中，所述场板设有向所述栅极结构延伸的至少一个场板凸形结构，所述栅极结构设有与所述场板凸形结构配合的栅极结构凹形槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
半导体衬底；
体区和漂移区，形成于所述半导体衬底中；
源区，位于所述体区内；
漏区，位于所述漂移区内；
栅极结构，位于所述半导体衬底上，所述栅极结构的一侧延伸至所述源区上，且所述栅极结构的另一侧延伸至所述漂移区上；
场板，位于所述漂移区上，且与所述栅极结构间隔设置；
其中，在水平表面上的投影中，所述场板设有向所述栅极结构延伸的至少一个场板凸形结构，所述栅极结构设有与所述场板凸形结构配合的栅极结构凹形槽。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构凹形槽至少部分地包围所述场板凸形结构。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场板靠近所述漏区的一侧设有至少一个场板凹形槽。


4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构凹形槽的数量与所述场板凸形结构的数量相同，且所述场板凹形槽的数量小于或等于所述栅极结构凹形槽的数量。


5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，位于所述的半导体器件的同一条源漏连线上同时设有一个所述栅极结构凹形槽、至少一个所述场板凸形结构、至少一个所述场板凹形槽。


6.根据权利要求1或4所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
薄层氧化层，位于所述栅极结构和所述场板之间的所述半导体衬底上，且所述栅极结构部分覆盖所述薄层氧化层。


7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述薄层氧化层位于所述栅极结构的所述栅极结构凹形槽与所述场板的所述场板凸形结构之间的所述半导体衬底上，且所述薄层氧化层的一侧延伸至所述栅极结构下方，所述薄层氧化层的另一侧延伸至所述场板的下方；和/或，
所述薄层氧化层位于所述栅极结构凹形槽两端的所述半导体衬底上，且所述薄层氧化层的一侧延伸至所述栅极结构下方，所述薄层氧化层的另一侧向所述场板方向延伸。

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【专利技术属性】
技术研发人员：高桦，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32