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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括：所述半导体器件包括：半导体衬底；体区和漂移区，形成于所述半导体衬底中；源区，位于所述体区内；漏区，位于所述漂移区内；栅极结构，位于所述半导体衬底上，所述栅极结构的一侧延伸至所述源区...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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