沟槽型MOSFET器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种沟槽型MOSFET器件及其制备方法。沟槽型MOSFET器件，通过在所述沟槽内且位于所述绝缘层上设置金属连接部，并且金属连接部贯穿槽底的绝缘层、栅极和栅氧化层，可以通过金属连接部直接将电场保护部与源极连接，也即通过互连金属的方式将电场保护部与源极连接，这样设置可大大降低连接路径，降低电阻，最终提高器件的开关响应。

【技术实现步骤摘要】
沟槽型MOSFET器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体器件，并且更具体地涉及沟槽型MOSFET器件及其制备方法。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(“MOSFET”)是常见的半导体器件，其是一种可在高应用中被用作开关器件的众所周知的半导体晶体管类型。可以通过向器件的栅电极施加栅极偏压来接通或关断MOSFET。当MOSFET被接通时(即它处于其“导通状态”)，电流被传导通过MOSFET的沟道。当从栅电极去除所述偏压(或使所述偏压降低到阈值水平以下)时，电流停止传导通过沟道。举例来说，当足以在器件的p型沟道区中形成导电的n型反型层的栅极偏压被施加时，n型MOSFET接通。该n型反型层电连接MOSFET的n型源极区与漏极区，由此虑及它们之间的多数载流子传导。目前，为了保护栅氧电场，一般会在沟槽底部设置保护层，例如可以设置P++或者N++，这样可以与衬底形成PN结来保护电场，但是，在实际应用中，需要将P++或者N++与源极相连，但是这样操作会存在连接路径长，电阻大，影响器件的开关响应。
技术实现思路
r>为此，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽型MOSFET器件，包括第一导电类型半导体层，具有第一导电类型；第二导电类型阱区，具有第二导电类型，设置在所述第一导电类型半导体层内，其特征在于，还包括，/n沟槽，设置于所述第一导电类型半导体层内，且所述沟槽内依次设置栅氧化层、栅极和绝缘层，所述栅氧化层与第二导电类型阱区至少部分重叠；/n电场保护部，具有第二导电类型，设置于所述沟槽的槽底远离栅氧化层的一侧的第一导电类型半导体层内；/n金属连接部，设置于所述沟槽内且位于所述绝缘层上，所述金属连接部贯穿槽底的绝缘层、栅极和栅氧化层，用于将电场保护部与源极相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型MOSFET器件，包括第一导电类型半导体层，具有第一导电类型；第二导电类型阱区，具有第二导电类型，设置在所述第一导电类型半导体层内，其特征在于，还包括，
沟槽，设置于所述第一导电类型半导体层内，且所述沟槽内依次设置栅氧化层、栅极和绝缘层，所述栅氧化层与第二导电类型阱区至少部分重叠；
电场保护部，具有第二导电类型，设置于所述沟槽的槽底远离栅氧化层的一侧的第一导电类型半导体层内；
金属连接部，设置于所述沟槽内且位于所述绝缘层上，所述金属连接部贯穿槽底的绝缘层、栅极和栅氧化层，用于将电场保护部与源极相连。


2.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述源极设置于所述第二导电类型阱区上。


3.根据权利要求1或2所述的沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述金属连接部依次包括层叠设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层与电场保护部连接以形成欧姆接触，所述第二金属层连接第一金属层和源极。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；优选地，所述第一导电类型半导体层为N型衬底，所述第二导电类型阱区为P型阱区；所述电场保护部为P型电场保护部。


5.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；优选地，所述第一导电类型半导体层为P型衬底，所述第二导电类型阱区为N型阱区；所述电场保护部为N型电场保护部。


6.一种沟槽型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供第一导电类型半导体层，并在所述第一导电类型半导体层内形成具有第二导电类型的第二导电类型阱区；
在所述第一导电类型半导体层内形成沟槽，在第一导电类型半导体层与所述沟槽的槽底相对应处注入具有第二导电类型的掺杂剂以在所述第一导电类型半导体层内形成电场保护部；
在所述沟槽内依次形成栅氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：张清纯，
类型：发明
国别省市：上海;31