半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括半导体鳍片以及栅极结构，半导体鳍片形成于基板上；栅极结构位于半导体鳍片的通道区域之上，上述栅极结构包括栅极介电层及栅极电极，其中上述栅极介电层包括底部分及侧部分，且上述栅极电极与上述栅极介电层的侧部分通过第一气隙而分开。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术实施例涉及一种半导体装置，且尤其涉及一种具有栅极气隙及源极/漏极气隙的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路工业已经历快速成长。集成电路的材料和设计方面的技术进步已经产生了数代的集成电路，其中每一代都比上一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路的发展过程中，随着几何尺寸(也就是说，利用工艺所能够制造的最小装置尺寸或线宽)的降低，功能密度(functionaldensity，也就是说，每一芯片面积中内连接的装置数量)已普遍增加。尺寸缩减的工艺具有提升生产效率及降低相关成本的优点。然而，随着如此的尺寸缩减，加工与制造集成电路的复杂性也随之增加，为了要实现这些优点，在集成电路的加工及制造中需要类似的发展。举例而言，栅极堆叠中的高介电常数(high-k)介电材料对于装置微缩是有需要的。然而，高介电常数材料可能会增加寄生电容(parasiticcapacitance)并阻碍半导体装置的交流(alternatingcurrent,AC)效能。另外，在公知的半导体结构中，可以在源极/漏极接触件与金属栅极之间形成气隙(a本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一半导体鳍片，形成于一基板上；以及/n一栅极结构，位于该半导体鳍片的一通道区域之上，该栅极结构包括一栅极介电层及一栅极电极，其中该栅极介电层包括一底部分及一侧部分，且该栅极电极与该栅极介电层的该侧部分通过一第一气隙而分开。/n

【技术特征摘要】
20200211 US 16/788,1841.一种半导体装置，包括：
一半导体鳍片，形成于一基板上；以及
一栅极结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚茜甯，李凯璿，杨世海，李威养，程冠伦，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71