后段刻蚀后清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种后段刻蚀后清洗方法，包括步骤：步骤一、提供一晶圆，晶圆的第一表面上完成了后段刻蚀，第一表面的背面为第二表面；步骤二、对晶圆的第一表面和第二表面进行预清洗，预清洗为去静电清洗以去除晶圆的第一表面和第二表面的静电；步骤三、采用uDHF溶液对晶圆的第一表面进行主清洗，以去除后段刻蚀的刻蚀残余物。本发明专利技术能有效去除后段刻蚀后的残余物，特别是无聚合物残留。

【技术实现步骤摘要】
后段刻蚀后清洗方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种后段(BEOL)刻蚀后清洗方法。
技术介绍
后段工艺是用于形成金属互连结构，金属互连结构包括金属线和位于各上下相邻层的金属线之间的通孔，通孔需要穿过层间膜，故需要对层间膜进行刻蚀形成通孔的开口。在铜互连结构中，需要采用大马士革工艺，包括单大马士革和双大马士革，双大马士革工艺会采用对通孔的开口和金属线的沟槽进行一体化刻蚀(allinone)。后段工艺中的刻蚀工艺为后段刻蚀，后段刻蚀后往往会在晶圆上产生刻蚀残余物，故需要采用清洗工艺对刻蚀残余物进行去除。现有一种后段刻蚀后清洗方法时采用EKC清洗，EKC清洗需要采用EKC清洗液，但是EKC清洗会使产品良率降低。现有一种改进的后段刻蚀后清洗方法时采用uDHF溶液进行清洗，所述uDHF溶液为DHF和H2SO4的混合液。uDHF溶液清洗能有效去除Ti，SiO2和Cu的副产物(bi-product)，同时不会对晶圆的材料产生损失。如图1A所示，是现有后段刻蚀工艺中大马士革工艺的一体化刻蚀后的器件结构图；如图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种后段刻蚀后清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、提供一晶圆，所述晶圆的第一表面上完成了后段刻蚀，所述第一表面的背面为第二表面；/n步骤二、对所述晶圆的第一表面和第二表面进行预清洗，所述预清洗为去静电清洗以去除所述晶圆的第一表面和第二表面的静电；/n步骤三、采用uDHF溶液对所述晶圆的第一表面进行主清洗，以去除所述后段刻蚀的刻蚀残余物，所述uDHF溶液为DHF和H2SO4的混合液。/n

【技术特征摘要】
1.一种后段刻蚀后清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供一晶圆，所述晶圆的第一表面上完成了后段刻蚀，所述第一表面的背面为第二表面；
步骤二、对所述晶圆的第一表面和第二表面进行预清洗，所述预清洗为去静电清洗以去除所述晶圆的第一表面和第二表面的静电；
步骤三、采用uDHF溶液对所述晶圆的第一表面进行主清洗，以去除所述后段刻蚀的刻蚀残余物，所述uDHF溶液为DHF和H2SO4的混合液。


2.如权利要求1所述的后段刻蚀后清洗方法，其特征在于：所述去预清洗的清洗液采用DICO2，所述DICO2为混合有二氧化碳的去离子水。


3.如权利要求1所述的后段刻蚀后清洗方法，其特征在于：所述uDHF溶液中，DHF的HF的溶度为10ppm～50ppm；H2SO4的溶度为1％～10％。


4.如权利要求1所述的后段刻蚀后清洗方法，其特征在于：所述晶圆包括硅晶圆。


5.如权利要求4所述的后段刻蚀后清洗方法，其特征在于：步骤一中，所述后段刻蚀包括通孔的开口刻蚀。


6.如权利要求5所述的后段刻蚀后清洗方法，其特征在于：所述晶圆的后段工艺中采用铜互连结构，铜互连结构中包括多层铜线以及在各层所述铜线之间设置有所述通孔，所述后段刻蚀还包括所述铜线的沟槽刻蚀。


7.如权利要求6所述的后段刻蚀后清洗方法，其特征在于：所述铜线和所述通孔采用大马士革工艺形成；所述大马士革工艺包括单大马士革工艺和双大马士革工艺；
当采用双大马士革工艺时，所述通孔的开口和所述铜线的沟槽采用一体化刻蚀形成，步骤一中的所述后段刻蚀为所述一体化刻蚀；...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈玉狮，谢玟茜，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31