温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种后段刻蚀后清洗方法，包括步骤：步骤一、提供一晶圆，晶圆的第一表面上完成了后段刻蚀，第一表面的背面为第二表面；步骤二、对晶圆的第一表面和第二表面进行预清洗，预清洗为去静电清洗以去除晶圆的第一表面和第二表面的静电；步骤三、采用u...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。