【技术实现步骤摘要】
一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法
本专利技术涉及材料
,特别是涉及一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法。
技术介绍
红外探测器在近些年取得了非常快速的发展,现已经发展到第三代。第三代红外探测器包含的主要特点有:高性能、高分辨率、多波段探测等。碲镉汞三元系合金材料其禁带宽度可调、波段可以覆盖1-3μm、3-5μm、8-14μm三个重要的红外波段。碲镉汞材料的电子有效质量小,本征载流子浓度低,由其制成的碲镉汞探测器具有噪声低、探测率高、响应速度快和响应频带宽等优点,使碲镉汞成为制备第三代红外探测器的主要材料。在制备碲镉汞探测器器件的过程中,碲镉汞材料表面的钝化被看成是红外探测器制备的关键工艺之一。实用的碲镉汞器件需要稳定且可以重复生产的钝化表面和符合器件性能的要求的界面及表面势。良好的表面钝化可以有效减少碲镉汞表面的界面态、降低器件表面的漏电流、降低器件表面复合速率和1/f噪声、提高探测器动态电阻和反向击穿电压,从而改善器件性能。制备出致密、高阻的钝化层可以降低表面复合速度,抑制暗电流,减少暗电流导致的盲元。在 ...
【技术保护点】
1.一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法,其特征在于,包括:/n将经过第一预设溶剂浸泡后的碲镉汞芯片置于片托上,使所述碲镉汞芯片的碲镉汞材料面朝上;/n控制第二预设溶液按照预设流量冲洗所述碲镉汞芯片的表面,冲洗过程中控制冲洗转速为200~300r/min,冲洗时间为10~15s;/n用带有所述第二预设溶液的毛刷刷洗所述碲镉汞芯片表面,刷洗时,控制所述碲镉汞芯片的转速为800~1100r/min,所述预设溶剂剂的流量为0.4~0.5L/min;/n依次用去离子水和乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面,以去除残留物和水分。/n
【技术特征摘要】
1.一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法,其特征在于,包括:
将经过第一预设溶剂浸泡后的碲镉汞芯片置于片托上,使所述碲镉汞芯片的碲镉汞材料面朝上;
控制第二预设溶液按照预设流量冲洗所述碲镉汞芯片的表面,冲洗过程中控制冲洗转速为200~300r/min,冲洗时间为10~15s;
用带有所述第二预设溶液的毛刷刷洗所述碲镉汞芯片表面,刷洗时,控制所述碲镉汞芯片的转速为800~1100r/min,所述预设溶剂剂的流量为0.4~0.5L/min;
依次用去离子水和乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面,以去除残留物和水分。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述第一预设溶剂为石油醚。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述第二预设溶液为丙酮溶液。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述预设流量为0.6~0.7L/min。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴永喜,宁提,谭振,孙浩,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十一研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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