膜层及其形成方法技术

本发明专利技术实施例提供一种膜层及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成类金刚石膜层，所述类金刚石膜层内具有碳氢化学键；对所述类金刚石膜层进行光催化处理，以使至少部分所述碳氢化学键断开，减少所述类金刚石膜层中的氢元素含量。本发明专利技术实施例提供的膜层的形成方法，有利于提高类金刚石膜层的硬度并且降低类金刚石膜层的内应力。

【技术实现步骤摘要】
膜层及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种膜层及其形成方法。
技术介绍
类金刚石膜层(DiamondLikeCarbon，DLC)作为一种以Sp3杂化键和Sp2杂化键的形式结合生成的亚稳态材料，兼具了金刚石和石墨的优良特性，具有较高的硬度、高电阻率、良好的光学性能以及优秀的摩擦学特性，所以被广泛应用到半导体行业中。由于类金刚石膜层具有较高硬度，所以在半导体图形化工艺中，使用类金刚石膜层可以有效降低光刻胶的厚度，避免了因光刻胶过高而发生坍塌。但是类金刚石膜层具有较高的内应力，内应力对图形的转移效果有严重的影响，并且容易造成晶圆的翘曲，如何继续提高类金刚石膜层的硬度和降低类金刚石膜层的内应力，是本领域技术人员亟须解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种膜层及其形成方法，有利于解决类金刚石膜层硬度不高和类金刚石膜层内应力过高的问题。为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种膜层的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成类金刚石膜层，所述类金刚石膜层内具有碳氢化学键；对所述类金刚石膜层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种膜层的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n在所述基底上形成类金刚石膜层，所述类金刚石膜层内具有碳氢化学键；/n对所述类金刚石膜层进行光催化处理，以使至少部分所述碳氢化学键断开，减少所述类金刚石膜层中的氢元素含量。/n

【技术特征摘要】
1.一种膜层的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成类金刚石膜层，所述类金刚石膜层内具有碳氢化学键；
对所述类金刚石膜层进行光催化处理，以使至少部分所述碳氢化学键断开，减少所述类金刚石膜层中的氢元素含量。


2.根据权利要求1所述的膜层的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成所述类金刚石膜层，包括：
采用金属前驱体和碳前驱体在所述基底上形成所述类金刚石膜层，以使得所述类金刚石膜层中掺杂有金属元素；
在所述碳氢化学键断开之后，断开的碳键与所述金属元素形成碳-金属元素化学键。


3.根据权利要求1所述的膜层的形成方法，其特征在于，所述光催化处理的工艺参数包括：采用的光的波长范围为200纳米～400纳米；工艺时长为3分钟～8分钟；工艺温度为15摄氏度～60摄氏度。


4.根据权利要求2所述的膜层的形成方法，其特征在于，
采用等离子化学气相沉积工艺形成所述类金刚石膜层；
所述金属元素在所述类金刚石膜层中以纳米晶形态存在，或者以与碳元素组成面心立方体结构的纳米晶形态存在。


5.根据权利要求4所述的膜层的形成方法，其特征在于，所述金属元素占所述类金刚石膜层质量的5％～25％。


6.根据权利要求4所述的膜层的形成方法，其特征在于，所述金属元素包括：钛元素、钨元素或铬元素。


7.根据权利要求1或4所述的膜层的形成方法，其特征在于，在所述光催化处理之后，还包括：
对所述类金刚石膜层进行离子注入处理，降低所述类金刚石膜层内的Sp3杂化键的含量，使得在所述类金刚石膜层的局部区域内碳原子密度降低。


8.根据权利要求7所述的膜层的形成方法，其特征在于，所述离子注入处理还适于，使至少部分碳元素脱离化学键，生成碳自由基。


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【专利技术属性】
技术研发人员：邓新莲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34