一种低损耗肖特基整流管及其成型工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种低损耗肖特基整流管及其成型工艺，包括肖特基整流管，所述肖特基整流管包括塑封外壳、肖特基芯片、阴极引脚、阳极引脚、金线，所述肖特基芯片包括N

A low loss Schottky rectifier and its forming process

【技术实现步骤摘要】
一种低损耗肖特基整流管及其成型工艺


[0001]本专利技术涉及肖特基整流管
，具体涉及一种低损耗肖特基整流管及其成型工艺。

技术介绍

[0002]肖特基整流管是贵金属金、银、铝、铂等A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属
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半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B
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A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A
→
B的漂移运动，从而削弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。肖特基整流管在工作状态存在着一定的功率损耗，对于应用在在高频电路中的肖特基整流管，肖特基整流管的损耗过高，容易造成肖特基整流管过热烧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低损耗肖特基整流管，其特征在于，包括肖特基整流管，所述肖特基整流管包括塑封外壳(1)、肖特基芯片(2)、阴极引脚(3)、阳极引脚(4)、金线(5)，所述肖特基芯片(2)包括N
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硅衬底(21)、覆盖在所述N
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硅衬底(21)上端的N
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硅外延层(22)、覆盖在所述N
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硅衬底(21)下端的阴极金属(23)、覆盖在所述N
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硅外延层(22)上端的阳极金属(24)、第一SiO2层(25)、覆盖在所述N
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硅衬底(21)、N
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硅外延层(22)、第一SiO2层(25)外侧的第二SiO2层(26)、覆盖在所述第二SiO2层(26)上端的第三SiO2层(27)，所述阴极金属(23)下端与所述阴极引脚(3)焊接，所述阳极金属(24)与所述阳极引脚(4)之间通过所述金线(5)连接，所述N
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硅外延层(22)上端面为向上拱起的弧面。2.根据权利要求1所述的一种低损耗肖特基整流管，其特征在于，所述N
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硅外延层(22)上还设有P型保护环(28)，所述P型保护环(28)位于所述阳极金属(24)下端边缘。3.根据权利要求1所述的一种低损耗肖特基整流管，其特征在于，所述阴极引脚(3)包括第一导电部(31)、第一焊接部(32)，所述阴极金属(23)焊接在所述第一导电部(31)上，所述第一焊接部(32)下端延伸至所述塑封外壳(1)外侧。4.根据权利要求1所述的一种低损耗肖特基整流管...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓生利，
申请(专利权)人：先之科半导体科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：