气压传感器芯片及其制备方法技术

本公开公开了一种气压传感器芯片及其制备方法。该气压传感器芯片包括两个第一电容及两个第二电容；两个所述第一电容中的一者与两个所述第二电容中的一者串联组成第一支路，两个所述第一电容中的另一者与两个所述第二电容中的另一者串联组成第二支路，所述第一支路与所述第二支路并联；所述第一电容被配置为容值可在外界气压的作用下增大；所述第二电容被配置为容值可在外界气压的作用下减小。配置为容值可在外界气压的作用下减小。配置为容值可在外界气压的作用下减小。

【技术实现步骤摘要】
气压传感器芯片及其制备方法


[0001]本公开涉及电子产品
，更具体地，涉及一种气压传感器芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，各类电子产品走进千家万户成为人们的生活必需品。其中有许多电子产品都具有气压传感器芯片，气压传感器芯片是一种用于测量环境气压的器件，气压是与人们的日常生活息息相关的一个物理量，气压数据可以用来探测垂直方向的高度变化进而进行运动监测、室内导航及辅助气象预报等，因此气压传感器芯片被广泛应用在智能穿戴及智能家居等领域以测量产品所处位置的气压信息。
[0003]为了保证测量结果的准确性，气压传感器芯片的灵敏度尤为重要。目前，现有技术中的气压传感器芯片多由单个电容，或者两个电容组成，其输出灵敏度较低，容易引起较大的测量误差。
[0004]有鉴于此，需要提供一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]本公开的一个目的是提供一种气压传感器芯片及其制备方法的新技术方案。
[0006]根据本公开的第一方面，提供了一种气压传感器芯片，所述气压传感器芯片包括：
[0007]两个第一电容及两个第二电容；
[0008]两个所述第一电容中的一者与两个所述第二电容中的一者串联组成第一支路，两个所述第一电容中的另一者与两个所述第二电容中的另一者串联组成第二支路，所述第一支路与所述第二支路并联；
[0009]所述第一电容被配置为容值可在外界气压的作用下增大；
[0010]所述第二电容被配置为容值可在外界气压的作用下减小。
[0011]可选地，所述第一电容包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第二电极朝向外界气压设置，所述第一电极位于所述第二电极的远离外界气压的一侧，所述第一电极与所述第二电极之间形成有第一真空腔，所述第二电极可在外界气压的作用下靠近所述第一电极以使所述第一电极与所述第二电极之间的间距减小。
[0012]可选地，所述第二电容包括相对设置的第三电极和第四电极，所述第四电极朝向外界气压设置，所述第三电极位于所述第四电极的远离外界气压的一侧，所述第三电极在背离所述第四电极的侧部形成有第二真空腔，所述第四电极开设有透气通孔，外界气压可经由所述透气通孔作用于所述第三电极，且所述第三电极可在外界气压的作用下远离所述第四电极以使所述第三电极与所述第四电极之间的间距增大。
[0013]根据本公开的第二方面，提供了一种如第一方面所述气压传感器芯片的制备方法，所述方法包括：
[0014]制备第一电容，所述第一电容被配置为容值可在外界气压的作用下增大；所述第
一电容制备两个；
[0015]制备第二电容，所述第二电容被配置为容值可在外界气压的作用下减小；所述第二电容制备两个；
[0016]将两个所述第一电容中的一者与两个所述第二电容中的一者串联组成第一支路；
[0017]将两个所述第一电容中的另一者与两个所述第二电容中的另一者串联组成第二支路；
[0018]将所述第一支路与所述第二支路并联。
[0019]可选地，所述制备第一电容包括：
[0020]提供第一基底，对所述第一基底进行离子注入掺杂以形成第一电极；
[0021]在所述第一基底上沉积第一支撑层；
[0022]在所述第一支撑层上沉积半导体层以形成第二电极；以及，
[0023]局部刻蚀所述第一支撑层，以使所述第一电极相对于所述第二电极暴露，同时在所述第一电极与所述第二电极之间形成第一真空腔。
[0024]可选地，所述局部刻蚀所述第一支撑层包括：
[0025]在所述半导体层上刻蚀形成第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔连通至所述第一支撑层；
[0026]经由所述第一刻蚀孔将所述第一支撑层的一部分刻蚀去除，以使所述第一电极相对于所述第二电极暴露；
[0027]在所述半导体层上沉积第一封闭层，所述第一封闭层封闭所述第一刻蚀孔。
[0028]可选地，所述在所述半导体层上沉积第一封闭层之后，所述方法还包括：
[0029]在所述第一封闭层上沉积第一保护层。
[0030]可选地，所述制备第二电容包括：
[0031]提供第二基底，在所述第二基底上沉积第二支撑层；
[0032]在所述第二支撑层上沉积半导体层以形成第三电极；
[0033]局部刻蚀所述第二支撑层，以使所述第三电极的一部分相对于所述第二基底暴露，同时在所述第三电极与所述第二基底之间形成第二真空腔；
[0034]在所述第三电极上沉积第三支撑层；
[0035]在所述第三支撑层上沉积半导体层以形成第四电极；
[0036]在所述第四电极上刻蚀形成透气通孔；
[0037]经由所述透气通孔将所述第三支撑层的一部分刻蚀去除，以使所述透气通孔相对于所述第三电极暴露。
[0038]可选地，所述局部刻蚀所述第二支撑层包括：
[0039]在所述第三电极上刻蚀形成第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔连通至所述第二支撑层；
[0040]经由所述第二刻蚀孔将所述第二支撑层的一部分刻蚀去除，以使所述第三电极的一部分相对于所述第二基底暴露；
[0041]在所述第三电极上沉积第二封闭层，所述第二封闭层封闭所述第二刻蚀孔。
[0042]可选地，所述在所述第三电极上沉积第二封闭层之后，所述方法还包括：
[0043]在所述第二封闭层上沉积第二保护层。
[0044]本公开的一个实施例提供的气压传感器芯片的输出灵敏度较高，其可有效抑制干扰，测量更加精确。
[0045]通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0046]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且连同其说明一起用于解释本公开的原理。
[0047]图1是根据本公开的一个实施例的气压传感器芯片的结构示意图；
[0048]图2是根据本公开的一个实施例的气压传感器芯片中第一电容的结构示意图；
[0049]图3是根据本公开的一个实施例的气压传感器芯片中第二电容的结构示意图；
[0050]图4
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图11是根据本公开的一个实施例的气压传感器芯片中第一电容的制备过程示意图；
[0051]图12
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图21是根据本公开的一个实施例的气压传感器芯片中第二电容的制备过程示意图。
具体实施方式
[0052]现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。
[0053]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。
[0054]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气压传感器芯片，其特征在于，所述气压传感器芯片包括：两个第一电容(101)及两个第二电容(102)；两个所述第一电容(101)中的一者与两个所述第二电容(102)中的一者串联组成第一支路，两个所述第一电容(101)中的另一者与两个所述第二电容(102)中的另一者串联组成第二支路，所述第一支路与所述第二支路并联；所述第一电容(101)被配置为容值可在外界气压的作用下增大；所述第二电容(102)被配置为容值可在外界气压的作用下减小。2.根据权利要求1所述的气压传感器芯片，其特征在于，所述第一电容(101)包括相对设置的第一电极(1011)和第二电极(1012)，所述第二电极(1012)朝向外界气压设置，所述第一电极(1011)位于所述第二电极(1012)的远离外界气压的一侧，所述第一电极(1011)与所述第二电极(1012)之间形成有第一真空腔(1013)，所述第二电极(1012)可在外界气压的作用下靠近所述第一电极(1011)以使所述第一电极(1011)与所述第二电极(1012)之间的间距减小。3.根据权利要求1所述的气压传感器芯片，其特征在于，所述第二电容(102)包括相对设置的第三电极(1021)和第四电极(1022)，所述第四电极(1022)朝向外界气压设置，所述第三电极(1021)位于所述第四电极(1022)的远离外界气压的一侧，所述第三电极(1021)在背离所述第四电极(1022)的侧部形成有第二真空腔(1023)，所述第四电极(1022)开设有透气通孔(10221)，外界气压可经由所述透气通孔(10221)作用于所述第三电极(1021)，且所述第三电极(1021)可在外界气压的作用下远离所述第四电极(1022)以使所述第三电极(1021)与所述第四电极(1022)之间的间距增大。4.一种如权利要求1
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3中任一项所述气压传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：制备第一电容(101)，所述第一电容(101)被配置为容值可在外界气压的作用下增大；所述第一电容(101)制备两个；制备第二电容(102)，所述第二电容(102)被配置为容值可在外界气压的作用下减小；所述第二电容(102)制备两个；将两个所述第一电容(101)中的一者与两个所述第二电容(102)中的一者串联组成第一支路；将两个所述第一电容(101)中的另一者与两个所述第二电容(102)中的另一者串联组成第二支路；将所述第一支路与所述第二支路并联。5.根据权利要求4所述的气压传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述制备第一电容(101)包括：提供第一基底(1014)，对所述第一基底(1014)进行离子注入掺杂以形成第一电极(1011)；在所述第一基底(1014)上沉积第一支撑层(1015)；在所述第一支撑层(1015)上...

【专利技术属性】
技术研发人员：李向光，田峻瑜，方华斌，
申请(专利权)人：潍坊歌尔微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：