单芯片大功率LED芯片及大功率LED器件制造技术

技术编号:29291777 阅读:29 留言:0更新日期:2021-07-17 00:31
本实用新型专利技术公开了一种单芯片大功率LED芯片及大功率LED器件。所述单芯片大功率LED芯片,其特征在于所述LED芯片的有源区部分设置有多个能独立发光的元胞,多个元胞组合形成并联设置的多个元胞组,每一元胞组包括串联设置的多个元胞,所述LED芯片的无源区部分设置有负载匹配电路,所述负载匹配电路包括多个负载匹配线,每一负载匹配线与一个元胞组对应并与对应的元胞组电性连接。本实用新型专利技术实施例提供的一种单芯片大功率LED芯片可以进行精准的负载匹配线设计,平衡由于设计偏差以及工艺偏差带来的各组元胞之间的相同偏置电流下的电压差异,使器件工作时各个区域的散热更加均匀,从而提高器件的光学输出性能,增强整个器件的可靠性。可靠性。可靠性。

【技术实现步骤摘要】
单芯片大功率LED芯片及大功率LED器件


[0001]本技术特别涉及一种单芯片大功率LED芯片及大功率LED器件,属于LED


技术介绍

[0002]随着具备节能,环保,高效,长寿的LED在生活中的应用的推广,需要大功率,高光强的应用场合也越来越多;基于目前的LED光源大多属于低于单颗5W的单芯片,因此在这种应用场景下的LED光源需要进行多颗的串联或者并联来实现应用的需求。
[0003]采用多颗光源单路串联的电路结构,存在电路结构简单,单电源馈电稳定等优点,但其存在单颗光源失效即整个光源失效的重大隐患,且由于应用场合的偏置电压也会限制这种电路结构的应用;采用多颗光源进行并联或者进行串并组合的电路结构可以良好的避开单颗光源失效就影响整个光源失效的问题,但由于不同光源进行并联就需要对串联的光源之间的负载电压进行匹配从而实现单电源馈电的良好效果;而目前市场上大多使用的方法是选择负载电压在0.1V~0.3V之内的单光源进行使用,这样对于单个光源需要进行大量的测试分选,以及后续使用的组合,极大的提高了使用的复杂度。r/>[0004]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单芯片大功率LED芯片,其特征在于所述LED芯片的有源区部分设置有多个能独立发光的元胞,多个元胞组合形成并联设置的多个元胞组,每一元胞组包括串联设置的多个元胞,所述LED芯片的无源区部分设置有负载匹配电路,所述负载匹配电路包括多个负载匹配线,每一负载匹配线与一个元胞组对应并与对应的元胞组电性连接。2.根据权利要求1所述的单芯片大功率LED芯片,其特征在于:所述负载匹配线包括多个负载匹配线段,所述负载匹配线段依次电性连接,其中一个负载匹配线段的两个端部或者其中两个负载匹配线段的两个端部还均形成有节点,直接以电连接件将两个所述节点电性连接,能够使位于该两个节点之间的至少一负载匹配线段被短路。3.根据权利要求2所述的单芯片大功率LED芯片,其特征在于:和/或,每一所述负载匹配线段的端部均形成有所述的节点,任意两个节点能够通过所述电连接件电性连接,直接以电连接件将其中两个节点电性连接,能够使位于该两个节点之间的负载匹配线段被短路。4.根据权利要求3所述的单芯片大功率LED芯片,其特征在于:所述多个负载匹配线段依次间隔设置,所述节点包括设置在相邻的两个负载匹配线段之间的引线pad,相邻两个负载匹配线段的首尾分别与所述引线pad电性连接,直接以电连接件将其中的两个引线pad电性连接,能够使位于该两个引线pad之间的负载匹配线段被短路。5.根据权利要求3所述的单芯片大功率LED芯片,其特征在于:所述多个负载匹配线段的尺寸相同。6.根据权利要求5所述的单芯片大功率LED芯片,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:王明乾李树琪王庚陈宝瑨王保兴郭豪杰
申请(专利权)人:宁波天炬光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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