发光器件结构和制造该发光器件结构的方法技术

提供了一种发光器件结构和用于制造该发光器件结构的方法。发光器件结构可以包括：基底；一个或更多个发光元件，设置在基底上，彼此间隔开，并且具有在与基底垂直的方向上延伸的形式；辅助层，设置在基底上，以暴露基底的上表面的至少一部分，并且围绕发光元件的外表面；电流扩展层，设置在辅助层上，并且与发光元件的一端接触；第一垫，电连接到发光元件的一端，并且设置在电流扩展层上以便不与发光元件叠置；以及第二垫，电连接到发光元件的另一端，并且设置在暴露的基底的上表面上，与辅助层间隔开。开。开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件结构和制造该发光器件结构的方法


[0001]本公开涉及一种发光器件结构和制造该发光器件结构的方法，更具体地，涉及一种用于评价具有微小尺寸的发光元件的电学和光学特性的发光器件结构和制造该发光器件结构的方法。

技术介绍

[0002]随着多媒体的发展，显示装置的重要性正在增加。因此，正在使用诸如有机发光二极管(OLED)显示器和液晶显示器(LCD)的各种类型的显示装置。
[0003]显示装置是显示图像并包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板的装置。在这些之中，作为发光显示面板，显示装置可以包括发光元件。例如，发光二极管(LED)可以包括使用有机材料作为荧光材料的OLED或使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管等。
[0004]OLED使用有机材料作为发光元件的荧光材料，并且其制造工艺简单。因此，OLED的优点在于显示装置具有柔性性质。然而，已知的是，有机材料易受高温驱动环境的影响，并且具有相对低的蓝光效率。
[0005]另一方面，由于无机发光二极管使用无机半导体作为荧光材料，所以与OLED相比，无机发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光器件结构，所述发光器件结构包括：基底；一个或更多个发光元件，设置在所述基底上以彼此间隔开，并且具有在与所述基底垂直的方向上延伸的形状；辅助层，设置在所述基底上，暴露所述基底的上表面的至少一部分，并且围绕发光元件的外表面；电流扩展层，设置在所述辅助层上，并且与发光元件的一端接触；第一垫，电连接到发光元件的所述一端，并且设置在所述电流扩展层上以便不与发光元件叠置；以及第二垫，电连接到发光元件的另一端，并且设置在所述基底的暴露的上表面上以与所述辅助层间隔开。2.根据权利要求1所述的发光器件结构，所述发光器件结构还包括：第一区域，被限定为与发光元件叠置的区域；以及第二区域，被限定为除了所述第一区域之外的区域，其中，所述辅助层和所述电流扩展层包括所述第一区域和所述第二区域中的至少一部分。3.根据权利要求2所述的发光器件结构，其中，所述辅助层包括绝缘材料，并且被设置为使得发光元件的所述一端被部分地暴露，并且所述电流扩展层包括透明导电材料，并且被设置为围绕发光元件的所述一端。4.根据权利要求3所述的发光器件结构，其中，所述第一垫包括第一延伸部分和连接到所述第一延伸部分的第一电极线，并且所述第一电极线具有连接到所述第一延伸部分的不同侧部分的两端，并且设置在所述第二区域中以围绕所述第一区域。5.根据权利要求4所述的发光器件结构，其中，所述延伸部分具有比所述电极线的宽度大的宽度。6.根据权利要求5所述的发光器件结构，其中，所述第二垫具有预定宽度，并且被设置为围绕所述辅助层的外周边。7.根据权利要求2所述的发光器件结构，其中，发光元件包括：半导体晶体，具有在一个方向上延伸的形状；以及绝缘膜，围绕所述半导体晶体的外周边表面。8.根据权利要求7所述的发光器件结构，其中，所述半导体晶体包括第一导电型半导体、第二导电型半导体、元件活性层和电极材料层，所述第一导电型半导体与所述基底接触，所述第二导电型半导体具有与所述第一导电型半导体的极性不同的极性，所述元件活性层设置在所述第一导电型半导体与所述第二导电型半导体之间，所述电极材料层设置在所述第二导电型半导体上，并且所述绝缘膜被设置为使得所述电极材料层的上表面被暴露。9.根据权利要求8所述的发光器件结构，其中，所述辅助层与所述绝缘膜的外表面部分地接触，所述电流扩展层与暴露的所述电极材料层接触，并且
所述第一垫通过所述电流扩展层电连接到所述电极材料层。10.根据权利要求8所述的发光器件结构，其中，所述基底包括基体基底和设置在所述基体基底上的导电半导体层，所述第一导电型半导体与所述导电半导体层接触，并且所述第二垫设置在所述导电半导体层上，并且电连接到所述第一导电型半导体。11.根据权利要求2所述的发光器件结构，其中，发光元件包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵显敏，闵正泓，金大贤，金东旭，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：