【技术实现步骤摘要】
存储设备及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年1月15日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
‑
2020
‑
0005368的优先权，该申请的全部公开内容通过引用合并于此。
[0003]本文中所描述的本公开的实施例涉及半导体存储器，并且更具体地，涉及存储设备及其操作方法。
技术介绍
[0004]半导体存储器件被分类为易失性存储器件(例如，静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM))或非易失性存储器件(例如，闪存设备、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM))，其中在易失性存储器件中，当电源关闭时，存储的数据消失，并且在非易失性存储器件中，即使当电源关闭时，存储的数据也得以保留。
[0005]基于闪存的固态驱动器(SSD)被广泛用作高容量存储介质。通常，SSD通过给定的接口与主机通信。在这种情况下，主机可以执行用于从SSD获得各种信息的各种管理操作。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储设备的操作方法，所述存储设备包括非易失性存储器件，所述方法包括：从外部主机设备接收包括第一键的第一键
‑
值KV命令；响应于所述第一KV命令，从所述非易失性存储器件向所述外部主机设备发送与所述第一键相对应的第一值，作为第一用户数据；从所述外部主机设备接收包括第二键的第二KV命令；以及响应于所述第二KV命令，基于与所述第二键相对应的第二值执行第一管理操作，其中所述第一KV命令和所述第二KV命令是同一类型的KV命令。2.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第一键包括与指示用户键的第一键组标识符和第一键名相关的信息，以及所述第二键包括与指示内部键的第二键组标识符和第二键名相关的信息。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二值包括与对应于所述第一管理操作的管理命令和命令标识符相关的信息。4.根据权利要求1所述的方法，其中，响应于所述第一KV命令而从所述非易失性存储器件向所述外部主机设备发送与所述第一键相对应的所述第一值作为所述第一用户数据包括：基于键索引来确定与所述第一键相对应的所述第一值的第一位置，所述键索引包括与多个键和分别对应于所述多个键的值的位置相关的信息；基于所确定的第一位置，从所述非易失性存储器件读取所述第一值；以及向所述外部主机设备发送所读取的第一值作为所述第一用户数据。5.根据权利要求4所述的方法，其中，响应于所述第二KV命令而基于与所述第二键相对应的所述第二值来执行所述第一管理操作包括：基于所述键索引来确定与所述第二键相对应的所述第二值的第二位置；基于所确定的第二位置来读取所述第二值；以及响应于所读取的第二值而执行所述第一管理操作。6.根据权利要求5所述的方法，还包括：将与所述第一KV命令相关联的第一操作日志写入日志缓冲区；将包括所述第一操作日志的第一日志数据存储在所述非易失性存储器件中；以及将第三键分配给所述第一日志数据，并基于所述第三键和存储所述第一日志数据的第三位置来更新所述键索引。7.根据权利要求6所述的方法，还包括：从所述外部主机设备接收包括所述第三键的第三KV命令；以及响应于所述第三KV命令，将与所述第三键相对应的所述第一日志数据发送给所述外部主机设备，其中，所述第一KV命令、所述第二KV命令和所述第三KV命令是同一类型的KV命令。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二值被包括在存储于所述存储设备的存储器件中的内部键
‑
值对中。9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述存储设备的初始化过程中，将所述内部键
‑
值对从所述非易失性存储器件加载到所述存储器件上。10.根据权利要求8所述的方法，还包括：
从所述外部主机设备接收包括第四键的第四KV命令和第四值；响应于所述第四KV命令，将所述第四值存储在所述内部键
‑
值对中；从所述外部主机设备接收包括所述第四键的第五KV命令；以及响应于所述第五KV命令，执行与所述第四值相对应的第二管理操作。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第四值包括与对应于所述第二管理操作的管理命令和命令标识符相关的信息。12.一种存储设备，包括：非易失性存...
【专利技术属性】
技术研发人员：金丙瑾，朴大山，吴相允，李昞奇，李涌华，黄珠荣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。