带伪差分放大的电平转换电路制造技术

本发明专利技术提供了一种带伪差分放大的电平转换电路，包括：第一反相器模块，所述第一反相器模块的第一端输入时钟信号；第一差分放大器模块，所述第一差分放大器模块的第一端与所述第一反相器模块的第二端电连接；第二差分放大器模块，所述第二差分放大器模块的第一端与所述第一反相器模块的第三端电连接；电平转换模块，所述电平转换模块的第一端与所述第一差分放大器模块的第二端电连接，所述电平转换模块的第二端与所述第二差分放大器模块的第二端电连接。本发明专利技术通过差分放大器将输入的数字电平进行差分放大再进行电平转换，解决了电路在高电压域不能工作的问题，减少了静态电流对电平转换速度的影响，结构简单，成本低，应用范围广。

【技术实现步骤摘要】
带伪差分放大的电平转换电路
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种带伪差分放大的电平转换电路。
技术介绍
电平转换电路非常常见，在多电压域系统中常常会用到电平转换电路，当高电压域下工作的管子的阈值接近低电压域的电源电压时，或者在高速时钟下，当输入的时钟较快，温度较低，导致NMOS管的阈值增加接近VDDL时，电平转换电路的电平翻转速度降低，甚至导致电平不能正在正常翻转，为解决上述问题，提出了一种新的电平转换电路，通过在电平转换电路中加入差分放大器，通过差分放大器先将数字电平进行差分放大再进行转换，避免了电平转换电路不能正常工作。
技术实现思路
本专利技术提供了一种带伪差分放大的电平转换电路，其目的是为了解决传统的电平转换电路在高电压域工作时，不能正常运行的问题。为了达到上述目的，本专利技术的实施例提供了一种带伪差分放大的电平转换电路，包括：第一反相器模块，所述第一反相器模块的第一端输入时钟信号；第一差分放大器模块，所述第一差分放大器模块的第一端与所述第一反相器模块的第二端电连接；第二差分放大器模块，所述第二差分放大器模块的第一端与所述第一反相器模块的第三端电连接；电平转换模块，所述电平转换模块的第一端与所述第一差分放大器模块的第二端电连接，所述电平转换模块的第二端与所述第二差分放大器模块的第二端电连接；第二反相器模块，所述第二反相器模块与所述电平转换模块的第三端电连接。其中，所述第一反相器模块包括：第一反相器，所述第一反相器的第一端与电源端电连接，所述第一反相器的第二端与接地端电连接，所述第一反相器的输入端输入时钟信号；第二反相器，所述第二反相器的第一端与电源端电连接，所述第二反相器的第二端与接地端电连接，所述第二反相器的输入端与所述第一反相器的输出端电连接。其中，所述第一差分放大器模块包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极端与所述第一PMOS管的漏极端电连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极端与所述第一PMOS管的漏极端电连接，所述第一NMOS管的栅极端与所述第二反相器的输出端电连接，所述第一NMOS管的源极端与接地端电连接；第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极端与所述第一PMOS管的源极端电连接，所述第二PMOS管的栅极端与所述第一PMOS管的栅极端电连接；第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极端与所述第二PMOS管的漏极端电连接，所述第二NMOS管的栅极端与所述第二反相器的输入端电连接，所述第二NMOS管的源极端与所述第一NMOS管的源极端电连接。其中，所述第二差分放大器模块包括：第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第三PMOS管的栅极端与所述第三PMOS管的漏极端电连接；第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极端与所述第三PMOS管的漏极端电连接，所述第三NMOS管的栅极端与所述第二反相器的输入端电连接，所述第三NMOS管的源极端与接地端电连接；第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极端与所述第三PMOS管的源极端电连接，所述第四PMOS管的栅极端与所述第三PMOS管的栅极端电连接；第四NMOS管，所述第四NMOS管的漏极端与所述第四PMOS管的漏极端电连接，所述第四NMOS管的栅极端与所述第二反相器的输出端电连接，所述第四NMOS管的源极端与所述第三NMOS管的源极端电连接。其中，所述电平转换模块包括：第五PMOS管，所述第五PMOS管的源极端与电源端电连接；第五NMOS管，所述第五NMOS管的漏极端与所述第五PMOS管的漏极端电连接，所述第五NMOS管的栅极端与所述第二NMOS管的漏极端电连接，所述第五NMOS管的源极端与接地端电连接；第六PMOS管，所述第六PMOS管的源极端与所述第五PMOS管的源极端电连接，所述第六PMOS管的栅极端与所述第五PMOS管的漏极端电连接，所述第六PMOS管的漏极端与所述第五PMOS管的栅极端电连接；第六NMOS管，所述第六NMOS管的漏极端与所述第六NMOS管的漏极端电连接，所述第六NMOS管的栅极端与所述第四NMOS管的漏极端电连接，所述第六NMOS管的源极端与所述第五NMOS管的源极端电连接。其中，所述第二反相器模块包括：第三反相器，所述第三反相器的第一端与电源端电连接，所述第三反相器的第二端与接地端电连接，所述第三反相器的输入端与所述第六NMOS管的漏极端电连接。其中，所述第一PMOS管与电源端之间还设置有一第七PMOS管，所述第七PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第七PMOS管的栅极端与所述第三PMOS管的栅极端电连接，所述第七PMOS管的漏极端与所述第一PMOS管的源极端电连接。其中，所述第三PMOS管与电源端之间还设置有一第八PMOS管，所述第八PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第八PMOS管的栅极端与所述第一PMOS管的栅极端电连接，所述第八PMOS管的漏极端与所述第三PMOS管的源极端电连接。本专利技术的上述方案有如下的有益效果：本专利技术的上述实施例所述的带伪差分放大的电平转换电路，通过差分放大器将输入的数字电平进行差分放大再进行电平转换，解决了电路在高电压域不能工作的问题，减少了静态电流对电平转换速度的影响，结构简单，成本低，应用范围广。附图说明图1为本专利技术的结构框图；图2为本专利技术的第一实施例的具体电路示意图；图3为本专利技术的第二实施例的具体电路示意图；图4为本专利技术的输出波形对比示意图。【附图标记说明】1-第一反相器模块；2-第一差分放大器模块；3-第二差分放大器模块；4-电平转换模块；5-第二反相器模块；6-第一反相器；7-第二反相器；8-第一PMOS管；9-第一NMOS管；10-第二PMOS管；11-第二NMOS管；12-第三PMOS管；13-第三NMOS管；14-第四PMOS管；15-第四NMOS管；16-第五PMOS管；17-第五NMOS管；18-第六PMOS管；19-第六NMOS管；20-第三反相器；21-第七PMOS管；22-第八PMOS管。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术针对现有的电平转换电路在高电压域工作时，不能正常运行问题，提供了一种带伪差分放大的电平转换电路。实施例1：如图1至图4所示，本专利技术的实施例提供了一种带伪差分放大的电平转换电路，包括：第一反相器模块1，所述第一反相器模块1的第一端输入时钟信号；第一差分放大器模块2，所述第一差分放大器模块2的第一端与所述第一反相器模块1的第二端电连接；第二差分放大器模块3，所述第二差分放大器模块3的第一端与所述第一反相器模块1的第三端电连接；电平转换模块4，所述电平转换模块4的第一端与所述第一差分放大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带伪差分放大的电平转换电路，其特征在于，包括：/n第一反相器模块，所述第一反相器模块的第一端输入时钟信号；/n第一差分放大器模块，所述第一差分放大器模块的第一端与所述第一反相器模块的第二端电连接；/n第二差分放大器模块，所述第二差分放大器模块的第一端与所述第一反相器模块的第三端电连接；/n电平转换模块，所述电平转换模块的第一端与所述第一差分放大器模块的第二端电连接，所述电平转换模块的第二端与所述第二差分放大器模块的第二端电连接；/n第二反相器模块，所述第二反相器模块与所述电平转换模块的第三端电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种带伪差分放大的电平转换电路，其特征在于，包括：
第一反相器模块，所述第一反相器模块的第一端输入时钟信号；
第一差分放大器模块，所述第一差分放大器模块的第一端与所述第一反相器模块的第二端电连接；
第二差分放大器模块，所述第二差分放大器模块的第一端与所述第一反相器模块的第三端电连接；
电平转换模块，所述电平转换模块的第一端与所述第一差分放大器模块的第二端电连接，所述电平转换模块的第二端与所述第二差分放大器模块的第二端电连接；
第二反相器模块，所述第二反相器模块与所述电平转换模块的第三端电连接。


2.根据权利要求1所述的带伪差分放大的电平转换电路，其特征在于，所述第一反相器模块包括：
第一反相器，所述第一反相器的第一端与电源端电连接，所述第一反相器的第二端与接地端电连接，所述第一反相器的输入端输入时钟信号；
第二反相器，所述第二反相器的第一端与电源端电连接，所述第二反相器的第二端与接地端电连接，所述第二反相器的输入端与所述第一反相器的输出端电连接。


3.根据权利要求2所述的带伪差分放大的电平转换电路，其特征在于，所述第一差分放大器模块包括：
第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极端与所述第一PMOS管的漏极端电连接；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极端与所述第一PMOS管的漏极端电连接，所述第一NMOS管的栅极端与所述第二反相器的输出端电连接，所述第一NMOS管的源极端与接地端电连接；
第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极端与所述第一PMOS管的源极端电连接，所述第二PMOS管的栅极端与所述第一PMOS管的栅极端电连接；
第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极端与所述第二PMOS管的漏极端电连接，所述第二NMOS管的栅极端与所述第二反相器的输入端电连接，所述第二NMOS管的源极端与所述第一NMOS管的源极端电连接。


4.根据权利要求3所述的带伪差分放大的电平转换电路，其特征在于，所述第二差分放大器模块包括：
第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第三PMOS管的栅极端与所述第三PMOS管的漏极端电连接；
第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极端与所述第三PMOS管的漏极端电连接，所述第三NMOS管的栅极端与所述第二反相器...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘祥远，王泽洲，傅祎晖，林少波，白澜，谈斌，林天娇，
申请(专利权)人：湖南融创微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43