一种深紫外LED器件及其制造方法技术

本申请实施例属于LED照明技术领域，涉及一种深紫外LED器件及其制造方法。本申请提供的深紫外LED器件包括基板、发光元件、石英透镜、耐紫外材料和密封结构；所述基板设有腔体，所述发光元件设于所述腔体内，所述耐紫外材料填充于所述腔体内，所述耐紫外材料的键能大于发光元件所发出的紫外线的能量，所述基板上设有供所述石英透镜安装的台阶，所述石英透镜设于所述基板位于所述腔体的一面，所述密封结构设于所述基板和石英透镜之间。提高了器件的整体出光效率，提升了深紫外LED器件的散热效果，通过改善石英透镜结构，保证石英透镜和聚二甲基硅氧烷无间隙，确保聚二甲基硅氧烷和石英透镜之间不会产生气体，保证了密封性能以及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外LED器件及其制造方法
本申请涉及LED照明
，更具体的说，特别涉及一种深紫外LED器件及其制造方法。
技术介绍
由于紫外线尤其是深紫外对有机材料具有破坏作用，所以目前深紫外LED的封装主流结构为，在带腔体的金属或者陶瓷基板上面封装石英透镜。这种封装形式能比较大地减免了紫外线对有机材料的破坏作用，但这类方案存在一个明显的缺点，发光芯片发出光线是直接照射在空气或者保护气体当中，再经由石英透镜发出光线，这导致了光线从发光芯片发出后，照射到空气当中时由于全反射过多，导致了出光效率低下的情况，不利于器件的使用，以及影响器件的可靠性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种深紫外LED器件及其制造方法，解决现有深紫外LED出光效率低下的技术问题。为了解决以上提出的问题，本专利技术实施例提供了如下所述的技术方案：一种深紫外LED器件，包括基板、发光元件、石英透镜、耐紫外材料和密封结构；所述基板设有腔体，所述发光元件设于所述腔体内，所述耐紫外材料填充于所述腔体内，所述耐紫外材料的键能为450kJ/mol－900kJ/mol且大于所述发光元件所发出的紫外线的能量，所述石英透镜设于所述基板位于所述腔体的一面上，所述基板上设有供所述石英透镜安装的台阶，所述密封结构设于所述基板和石英透镜之间。进一步地，所述石英透镜上设有台阶通孔，所述台阶通孔与所述腔体连通。进一步地，所述密封结构包括设于所述石英透镜的侧壁与所述台阶的侧壁之间的第一密封层和第二密封层，所述第一密封层密封于所述耐紫外材料上，所述第二密封层密封于所述第一密封层上，所述第一密封层的密度低于所述耐紫外材料的密度。进一步地，所述密封结构包括设于所述台阶通孔内的第一密封层和第二密封层，所述第一密封层密封于所述耐紫外材料上，所述第二密封层密封于所述第一密封层上，所述第一密封层的密度低于所述耐紫外材料的密度。进一步地，所述台阶的侧壁上设有金属镀层，所述石英透镜的侧壁上设有金属镀层。进一步地，所述石英透镜朝向所述耐紫外材料的一面为凸面或者平面，所述耐紫外材料朝向所述石英透镜的一面为凹面或者平面。进一步地，所述石英透镜的凸面的弧度大于0且小于1。进一步地，所述第一密封层为热固化胶水层，所述第二密封层为金属焊料层。进一步地，所述耐紫外材料为聚二甲基硅氧烷或者混有二氧化硅粉末的聚二甲基硅氧烷。进一步地，所述发光元件发出的紫外线波长为260nm－410nm。为了解决以上提出的技术问题，本专利技术实施例还提供了一种深紫外LED器件制造方法，采用了如下所述的技术方案：一种深紫外LED器件制造方法，基于如上所述的深紫外LED器件，包括如下步骤：在基板的腔体内填充耐紫外材料；将石英透镜安装于基板上；对基板和石英透镜之间进行密封，以形成密封结构。与现有技术相比，本专利技术实施例主要有以下有益效果：一种深紫外LED器件及其制造方法，发光元件设置于在腔体内，基板的腔体内填充耐紫外材料，耐紫外材料包裹于发光元件，避免发光元件所产生的紫外线直接照射到空气中导致全反射过多的情况出现，提高了器件的整体出光效率，较大程度地提升了亮度，且耐紫外材料的导热率比空气高很多倍，提升了深紫外LED器件的散热效果，从而提升器件恶劣环境下的寿命；在基板的腔体内填充耐紫外材料后，在基板上放置石英透镜，石英透镜上的台阶通孔，用于把多余的耐紫外材料释放出来，保证石英透镜和耐紫外材料无间隙；石英透镜的凸面的设置，确保耐紫外材料和石英透镜之间不会产生气体，通过改善石英透镜结构，保证了密封性能以及可靠性；将多余的耐紫外材料释放出去后，先用第一密封层密封于所述耐紫外材料上，然后用第二密封层密封于第一密封层上，能达到很好的密封效果以及抗紫外性能，由于第二密封层比耐紫外材料重，所以先用密度比耐紫外材料低的第一密封层对台阶通孔密封，再采用第二密封层对台阶通孔进行密封，避免了第二密封层过重导致沉下去的影响；石英透镜的侧壁和基板的台阶的侧壁均采用无机的金属焊料密封，气密性和密封性均有很好的效果，进一步保证密封效果以及抗紫外性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例中深紫外LED器件的整体结构示意图；图2为本专利技术实施例中深紫外LED器件放置石英玻璃前的结构示意图；图3为本专利技术实施例中深紫外LED器件放置石英玻璃后的结构示意图；图4为本专利技术实施例中深紫外LED器件的俯视图。附图标记说明：1、基板；11、台阶；12、腔体；2、发光元件；3、石英透镜；31、台阶通孔；4、耐紫外材料；5、密封结构；51、第一密封层；52、第二密封层；6、金属镀层。具体实施方式除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排它的包含。本专利技术的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本专利技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。本专利技术提供一种深紫外LED器件，包括基板、发光元件、石英透镜、耐紫外材料和密封结构；所述基板设有腔体，所述发光元件设于所述腔体内，所述耐紫外材料填充于所述腔体内，所述耐紫外材料的键能为450kJ/mol－900kJ/mol且大于所述发光元件所发出的紫外线的能量，所述石英透镜设于所述基板位于所述腔体的一面上，所述基板上设有供所述石英透镜安装的台阶，所述密封结构设于所述基板和石英透镜之间。基于上述深紫外LED器件，本专利技术还提供一种深紫外LED器件制造方法，包括如下步骤：在基板的腔体内填充耐紫外材料；将石英透镜安装于基板上；对基板和石英透镜之间进行密封，以形成密封结构。本专利技术提供的深紫外LED器件及其制造方法，发光元件设置于在腔体内，基板的腔体内填充耐紫外材料，耐紫外材料包裹于发光元件，避免发光元件所产生的紫外线直接照射到空气中导致全反射过多的情况出现，提高了器件的整体出光效率，较大程度地提升了亮度，耐紫外材料的键能大于发光元件所发出的紫外线的能量，紫外线在照射过程中不会打断耐紫外材料的分子链，从而紫外线对耐紫外材料不会造成影响，且通过密封结构，密封本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深紫外LED器件，其特征在于，/n包括基板、发光元件、石英透镜、耐紫外材料和密封结构；/n所述基板设有腔体，所述发光元件设于所述腔体内，所述耐紫外材料填充于所述腔体内，所述耐紫外材料的键能为450kJ/mol－900kJ/mol且大于所述发光元件所发出的紫外线的能量，所述石英透镜设于所述基板位于所述腔体的一面上，所述基板上设有供所述石英透镜安装的台阶，所述密封结构设于所述基板和石英透镜之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED器件，其特征在于，
包括基板、发光元件、石英透镜、耐紫外材料和密封结构；
所述基板设有腔体，所述发光元件设于所述腔体内，所述耐紫外材料填充于所述腔体内，所述耐紫外材料的键能为450kJ/mol－900kJ/mol且大于所述发光元件所发出的紫外线的能量，所述石英透镜设于所述基板位于所述腔体的一面上，所述基板上设有供所述石英透镜安装的台阶，所述密封结构设于所述基板和石英透镜之间。


2.根据权利要求1所述的深紫外LED器件，其特征在于，
所述石英透镜上设有台阶通孔，所述台阶通孔与所述腔体连通。


3.根据权利要求1所述的深紫外LED器件，其特征在于，
所述密封结构包括设于所述石英透镜的侧壁与所述台阶的侧壁之间的第一密封层和第二密封层，所述第一密封层密封于所述耐紫外材料上，所述第二密封层密封于所述第一密封层上，所述第一密封层的密度低于所述耐紫外材料的密度。


4.根据权利要求2所述的深紫外LED器件，其特征在于，
所述密封结构包括设于所述台阶通孔内的第一密封层和第二密封层，所述第一密封层密封于所述耐紫外材料上，所述第二密封层密封于所述第一密封层上，所述第一密封层的密度低于所述耐紫外材料的密度。


5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦家儿，吴灿标，欧叙文，杨璐，李玉容，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44