微型发光元件结构及显示装置制造方法及图纸

本公开涉及微型发光元件结构及显示装置。微型发光元件结构包含一基板、一连接层、一微型发光元件及一覆盖层。连接层连接基板。微型发光元件可移除地连接连接层，且包含一半导体外延结构与二电极，其中半导体外延结构具有一外表面，电极设置于半导体外延结构的外表面的一第一表面，或分别设置于半导体外延结构的外表面的第一表面以及远离半导体外延结构的第一表面的一第二表面。覆盖层设置于半导体外延结构的外表面。因此，可增加制造良率与减少工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
微型发光元件结构及显示装置
本公开内容涉及一种微型发光元件结构及显示装置，且特别是一种可增加制造良率且改善工艺的微型发光元件结构及显示装置。
技术介绍
现有技术中，微型发光元件设置于基板上时，在微型发光元件之间的连接层(如胶层)未进行移除前便先溅镀覆盖层(如氧化硅，SiO2)于微型发光元件的上表面，再移除微型发光元件之间的连接层。然而，上述的方式受限于微型发光元件之间的间距与连接层的性质，且微型发光元件之间的连接层易有残留的问题。因此，发展出一种不受限于微型发光元件之间的间距与连接层性质的微型发光元件结构及显示装置遂成为产业上重要且急欲解决的问题。
技术实现思路
本公开内容提供一种微型发光元件结构及显示装置，通过覆盖层可增加制造良率并可减少工艺成本，且不受限于微型发光元件之间的间距。依据本公开内容一实施方式提供一种微型发光元件结构，包含一基板、一连接层、一微型发光元件及一覆盖层。连接层连接基板。微型发光元件可移除地连接连接层，且包含一半导体外延结构与二电极，其中半导体外延结构具有一外表面，电极设置于半导体外延结构的外表面的的一第一表面，或分别设置于半导体外延结构的外表面的的第一表面以及远离半导体外延结构的第一表面的一第二表面。覆盖层设置于半导体外延结构的外表面。依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层的杨氏模量可大于连接层的杨氏模量。依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层的杨氏模量与连接层的杨氏模量的差异值可大于等于连接层的杨氏模量的15倍。<br>依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可进一步设置于连接层的一外表面。依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可配置于半导体外延结构的第二表面，覆盖层于第二表面的投影面积为A1，第二表面的表面积为A2，其可满足下列条件：0.8A2≤A1≤A2。依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可配置于半导体外延结构的第二表面，且覆盖层配置的距离可大于等于0.5μm，且小于等于1μm。依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中每一电极中至少一者可连接于覆盖层。依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，可还包含一隔离层，其中隔离层设置于第一表面，且隔离层的杨氏模量可大于连接层的杨氏模量。依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可接触隔离层。依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层与隔离层之间具有一角度，角度可小于等于90度。依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层的杨氏模量可小于等于隔离层的杨氏模量。依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层的厚度可小于等于隔离层的厚度。依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可进一步配置于隔离层上，配置的距离可小于等于10μm。依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中隔离层可进一步配置于半导体外延结构的外表面的一部分侧面。依据本公开内容一实施方式提供一种显示装置，包含一线路基板、多个微型发光元件、一覆盖层及一隔离层。线路基板包含一接垫层。微型发光元件通过接垫层电性连接线路基板，且每一微型发光元件包含一半导体外延结构与二电极，其中半导体外延结构具有一外表面，电极设置于半导体外延结构上，且电性连接接垫层。覆盖层设置于半导体外延结构的外表面。隔离层设置于半导体外延结构的外表面，且覆盖层接触隔离层。依据前段所述实施方式的显示装置，其中覆盖层可设置于隔离层的一外表面，且接触于每一电极。附图说明图1示出依照本专利技术一实施方式中微型发光元件结构的示意图；图2示出依照图1实施方式中微型发光元件结构的转移示意图；图3示出依照图2实施方式中微型发光元件结构的断裂示意图；图4示出依照图1实施方式中微型发光元件结构转移后的示意图；图5示出依照图1实施方式中微型发光元件结构转移后的另一示意图；图6示出依照本专利技术另一实施方式中微型发光元件结构的示意图；图7示出依照本专利技术一实施方式中基板、连接层、半导体外延结构及覆盖层的组合示意图；图8示出依照图7实施方式中微型发光元件结构的电极设置示意图；图9示出依照图7实施方式中微型发光元件结构的转移示意图；图10示出依照图7实施方式中微型发光元件结构转移后的示意图；图11示出依照图7实施方式中微型发光元件结构另一转移后的示意图；图12示出依照本专利技术另一实施方式中基板、连接层、半导体外延结构及覆盖层的组合示意图；图13示出依照图12实施方式中半导体外延结构与覆盖层的转移示意图；图14示出依照图12实施方式中微型发光元件结构的转移后与电极设置示意图；图15示出依照图12实施方式中微型发光元件结构的另一转移后与电极设置示意图；图16示出依照本专利技术一实施方式中显示装置的示意图；图17示出依照本专利技术另一实施方式中显示装置的示意图；以及图18示出依照图17实施方式中显示装置的另一示意图。附图标记说明：100、200、300、400：微型发光元件结构111、211、311、411：基板112、312、412：转移基板121、221、321、421：连接层122、322、422：转移材料130、230、330、430、520、620：微型发光元件131a、331a、521a、621a：第一电极131b、331b、521b、621b：第二电极132、232、332、432、522、622：半导体外延结构133、523：第一半导体层134、524、624：发光层135、525：第二半导体层136、236、336、435、526、626：第一表面137、337、436、527、627：第二表面138、238、338、438、528、628：侧面140、240、340、440、530、630：覆盖层150、250、540、640：隔离层360：绝缘层431：电极500、600：显示装置510、610：线路基板511、611：接垫层θ1：角度θ2：内缩角度B：断裂线P：断裂起始点A1：覆盖层于第二表面的投影面积A2：第二表面的表面积D：覆盖层配置的距离d：内缩距离具体实施方式请配合参照图1，其示出依照本专利技术一实施方式中微型发光元件结构100的示意图。由图1可知，微型发光元件结构100包含一基板111、一连接层121、一微型发光元件130及一覆盖层140。连接层121连接基板111，其中基板111可做为临时基板(即无线路的基板，供巨量转移时临时承载微型发光元件的基板)，且基板111的材质可为蓝宝石(sapphire)或玻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光元件结构，其特征在于，包含：/n一基板；/n一连接层，连接该基板；/n一微型发光元件，可移除地连接该连接层，且包含：/n一半导体外延结构，具有一外表面；及/n二电极，设置于该半导体外延结构的该外表面的一第一表面，或分别设置于该半导体外延结构的该外表面的该第一表面以及远离该半导体外延结构的该第一表面的一第二表面；以及/n一覆盖层，设置于该半导体外延结构的该外表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种微型发光元件结构，其特征在于，包含：
一基板；
一连接层，连接该基板；
一微型发光元件，可移除地连接该连接层，且包含：
一半导体外延结构，具有一外表面；及
二电极，设置于该半导体外延结构的该外表面的一第一表面，或分别设置于该半导体外延结构的该外表面的该第一表面以及远离该半导体外延结构的该第一表面的一第二表面；以及
一覆盖层，设置于该半导体外延结构的该外表面。


2.如权利要求1所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层的杨氏模量大于该连接层的杨氏模量。


3.如权利要求2所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层的杨氏模量与该连接层的杨氏模量的差异值大于等于该连接层的杨氏模量的15倍。


4.如权利要求1所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层进一步设置于该连接层的一外表面。


5.如权利要求1所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层配置于该半导体外延结构的该第二表面，该覆盖层于该第二表面的投影面积为A1，该第二表面的表面积为A2，其满足下列条件：
0.8A2≤A1≤A2。


6.如权利要求5所述的微型发光元件结构，其特征在于，该覆盖层配置于该半导体外延结构的该第二表面，且该覆盖层配置的距离大于等于0.5μm，且小于等于1μm。


7.如权利要求6所述的微型发光元件结构，其特征在于，每一该些电极中至少一者连接于该覆盖层。


8.如权利要求1所述的微型发光元件结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨翔甯，苏义闵，罗玉云，吴柏威，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71