一种晶体管测试控制电路和晶体管测试系统技术方案

本发明专利技术实施例公开了一种晶体管测试控制电路和晶体管测试系统，该晶体管测试控制电路包括电源模块和充放电模块；电源模块包括第一电源单元和第二电源单元；充放电模块包括第一电阻、电容和第一开关，第一电阻的第一端通过第一开关与第一电源单元电连接，第一电阻的第二端与电容的第一端以及待测晶体管的控制端电连接，电容的第二端接地，待测晶体管的开启电压介于0V与第一电源单元的输出电压之间；待测晶体管的第一端与第二电源单元电连接，待测晶体管的第二端接地。本发明专利技术实施例提供的技术方案能够快速增加待测晶体管的控制端电压，使待测晶体管在短时间内达到预定的输出电流，从而对待测晶体管进行大电流快速测试。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管测试控制电路和晶体管测试系统
本专利技术实施例涉及微电子
，尤其涉及一种晶体管测试控制电路和晶体管测试系统。
技术介绍
随着半导体材料的快速发展，半导体器件正在朝着具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿场强和良好导热性的性能的方向发展。在半导体器件开发或批量生产的过程中，需要对半导体器件的性能进行测试，根据收集到的电参数来分析该半导体器件的特性。现有技术通常以小电流测试为主，且测试速度较慢。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种晶体管测试控制电路和晶体管测试系统，以实现晶体管特性的大电流快速测试。第一方面，本专利技术实施例提供了一种晶体管测试控制电路，包括：电源模块和充放电模块；所述电源模块包括第一电源单元和第二电源单元；所述充放电模块包括第一电阻、电容和第一开关，所述第一电阻的第一端通过所述第一开关与所述第一电源单元电连接，所述第一电阻的第二端与所述电容的第一端以及待测晶体管的控制端电连接，所述电容的第二端接地，所述待测晶体管的开启电压介于0V与所述第一电源单元的输出电压之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管测试控制电路，其特征在于，包括：电源模块和充放电模块；/n所述电源模块包括第一电源单元和第二电源单元；/n所述充放电模块包括第一电阻、电容和第一开关，所述第一电阻的第一端通过所述第一开关与所述第一电源单元电连接，所述第一电阻的第二端与所述电容的第一端以及待测晶体管的控制端电连接，所述电容的第二端接地，所述待测晶体管的开启电压介于0V与所述第一电源单元的输出电压之间；/n所述待测晶体管的第一端与所述第二电源单元电连接，所述待测晶体管的第二端接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体管测试控制电路，其特征在于，包括：电源模块和充放电模块；
所述电源模块包括第一电源单元和第二电源单元；
所述充放电模块包括第一电阻、电容和第一开关，所述第一电阻的第一端通过所述第一开关与所述第一电源单元电连接，所述第一电阻的第二端与所述电容的第一端以及待测晶体管的控制端电连接，所述电容的第二端接地，所述待测晶体管的开启电压介于0V与所述第一电源单元的输出电压之间；
所述待测晶体管的第一端与所述第二电源单元电连接，所述待测晶体管的第二端接地。


2.根据权利要求1所述的晶体管测试控制电路，其特征在于，还包括：分压模块、信号处理模块和反馈模块，所述电源模块还包括第三电源单元，所述待测晶体管的开启电压介于0V与所述第三电源单元的输出电压之间，所述充放电模块还包括第二电阻，所述第二电阻的第二端与所述电容的第一端电连接；
所述分压模块的第一端与所述待测晶体管的第一端电连接，所述分压模块的第二端与所述第二电源单元电连接；
所述信号处理模块的输入端与所述待测晶体管的第一端电连接，所述信号处理模块的输出端与所述反馈模块的输入端电连接，所述信号处理模块用于在所述待测晶体管的第一端的电压达到第一电压阈值时，输出触发信号；
所述反馈模块用于在接收到所述触发信号时，控制所述第三电源单元与所述第二电阻的第一端相连接。


3.根据权利要求2所述的晶体管测试控制电路，其特征在于，所述反馈模块与所述第一开关并联，所述第一电源单元复用为所述第三电源单元，所述第一电阻复用为所述第二电阻。


4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐广泽，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32