【技术实现步骤摘要】
在真空条件下半导体材料的性能参数测试装置
本技术涉及半导体材料测试
，特别涉及在真空条件下半导体材料的性能参数测试装置。
技术介绍
随着半导体致冷技术的飞速发展，半导体致冷技术得到广泛的应用和认可，当前提高半导体材料的性能参数成为了一个重点的发展方向，而相应的就需要一种能够准确测量半导体材料性能参数的测试装置。传统测量方法上存在着一些难题，例如环境温度的影响、无法实现自动测量等。
技术实现思路
本技术提供在真空条件下半导体材料的性能参数测试装置，用以解决外界环境对半导体材料性能参数测量产生影响的情况。为此，采用的技术方案使，本技术的在真空条件下半导体材料的性能参数测试装置，包括：基座、壳体和样件测试装置，所述壳体位于所述基座上，所述壳体的底部与所述基座连接，所述样件测试装置位于所述基座与所述壳体之间。优选的，还包括壳体锁紧装置，所述壳体锁紧装置包括：第一支撑杆，所述第一支撑杆竖直位于所述基座上方，并位于所述壳体的一侧，所述第一支撑杆的一端与所述基座的顶部连接，所述第一支撑杆的另一...
【技术保护点】
1.在真空条件下半导体材料的性能参数测试装置，其特征在于，包括：基座(1)、壳体(2)和样件测试装置，所述壳体(2)位于所述基座(1)上，所述壳体(2)的底部与所述基座(1)连接，所述样件测试装置位于所述基座(1)与所述壳体(2)之间。/n
【技术特征摘要】
1.在真空条件下半导体材料的性能参数测试装置，其特征在于，包括：基座(1)、壳体(2)和样件测试装置，所述壳体(2)位于所述基座(1)上，所述壳体(2)的底部与所述基座(1)连接，所述样件测试装置位于所述基座(1)与所述壳体(2)之间。
2.根据权利要求1所述的在真空条件下半导体材料的性能参数测试装置，其特征在于，还包括壳体锁紧装置，所述壳体锁紧装置包括：
第一支撑杆(3)，所述第一支撑杆(3)竖直位于所述基座(1)上方，并位于所述壳体(2)的一侧，所述第一支撑杆(3)的一端与所述基座(1)的顶部连接，所述第一支撑杆(3)的另一端与螺栓(4)螺纹连接；所述第一支撑杆(3)、螺栓(4)关于壳体(2)的中心对称设置有另一组第一支撑杆(3)和螺栓(4)；
限位片(5)，所述限位片(5)水平位于所述壳体(2)的上方，所述限位片(5)的两端分别被两个所述螺栓(4)穿过。
3.根据权利要求1所述的在真空条件下半导体材料的性能参数测试装置，其特征在于，所述样件测试装置包括：
保护壳(6)，所述保护壳(6)位于所述壳体(2)内，所述保护壳(6)底部竖直设置有多个支撑支架(7)，各所述支撑支架(7)一端与所述保护壳(6)的底部连接，各所述支撑支架(7)的另一端与所述基座(1)的顶部连接；
第一加热片(8)，所述第一加热片(8)水平位于所述保护壳(6)上方，所述第一加热片(8)与所述保护壳(6)顶部连接；
第二加热片(9)，所述第二加热片(9)水平位于所述保护壳(6)下方，所述第二加热片(9)与所述保护壳(6)底部连接；
屏蔽壳(10)，所述屏蔽壳(10)位于所述保护壳(6)内部，所述屏...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛岭，
申请(专利权)人：秦皇岛富连京电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13
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