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本实用新型提供了在真空条件下半导体材料的性能参数测试装置，包括：基座、壳体和样件测试装置，所述壳体位于所述基座上，所述壳体的底部与所述基座连接，所述样件测试装置位于所述基座与所述壳体之间，本装置可以在真空条件下对半导体材料进行测试，从而减小...
该专利属于秦皇岛富连京电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过秦皇岛富连京电子股份有限公司授权不得商用。

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