一种大功率射频信号的功率测量电路制造技术

本发明专利技术涉及一种大功率射频信号的功率测量电路，属于射频信号的功率测量技术领域。本发明专利技术包括衰减电路，直流放大电路和电压转换电路.所述衰减电路与直流放大电路相连，所述直流放大电路与电压转换电路相连。本发明专利技术为大功率射频信号的功率测量提供了有效、简便的可行性方案。除此之外还拥有很低的测量误差，电路中采用的元器件均为成熟的元器件，一定程度上可以有较高性能，可降低投入的成本价钱。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率射频信号的功率测量电路
本专利技术涉及一种大功率射频信号的功率测量电路，属于射频信号的功率测量的

技术介绍
随着社会的不断进步，人们获取信息的的方式也是不断在增多，通过射频信号的传输也是信息传输的一种途径。射频信号的功率参数作为射频监控的重要一部分，实时显现着射频信号的发射质量和发射状况，方便发射台根据监控情况实时调整。实际情况中往往有很多大功率的射频信号，功率的增大对于我们的测量也提出了难度。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种大功率射频信号的功率测量电路，解决普通的射频信号可以直接进行测量，而对于大功率的射频信号是不可以直接测量的问题，加入大功率射频信号的衰减电路，而且采用了8位的数模转换器件，提高了测量精度，电路中采用的元器件为常用元器件，节省了成本。本专利技术的技术方案是：一种大功率射频信号的功率测量电路，首先将大功率的射频信号进行衰减，将信号功率控制在二极管检波电路的接受范围以内，再利用8位的模数转换器进行电压采集，再计算出功率，从而实现大功率射频信号的功率测量。具体包括：衰减电路，所述衰减电路的AT2-IN端接入大功率射频信号，外部设备对Control端进行控制，由电阻R16和可变电阻VR9形成两路分压电路，对大功率的射频信号进行衰减。直流放大电路，所述直流放大电路与衰减电路相连，衰减电路输出的经过二极管检波后电压很弱，需要通过一个三极管的放大，而可变电阻RW2控制着放大倍数。电压转换电路，所述电压转换电路与直流放大电路相连，经过三极管放大后的电压比较高，不在我们的测量范围，利用高速硅开关二极管可以达到降压功能，随后接入8位高速数模转换器进行测量。所述衰减电路包括输入端AT2-IN，输出端OUT2，型号为EL817的光耦合器U1，型号为S8050的三极管放大器，二极管D1，继电器K1，可变电阻VR9，电阻R7、R8、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17，排针JP4、JP5、JP6、JP7、JP8、JP9、JP10、JP11，电容C1。所述排针JP4的左端与输入端AT2-IN相连，JP4的右端与电阻R14的左端相连。所述电阻R14的右端与电阻R16的下端相连，电阻R16的上端与GND相连。所述电阻R15的左端与电阻R16的下端相连，R15的右端与继电器的4端相连。所述继电器K1的4端与电阻R15相连，继电器K1的3端与排针JP11相连，继电器K1的5端与电阻R14相连，继电器K1的1端与二极管D1下端相连，继电器K1的2端与二极管D1上端相连。所述排针JP11的上端与继电器K1的3端相连，下端与输出端OUT2相连。所述排针JP10的右端与输出端OUT2相连，左端与可变电阻VR9相连，可变电阻VR9的下端与三极管Q1的集电极相连。所述三极管Q1的发射级与GND相连，基级与电阻R10的右端相连。所述电阻R10的左端与排针JP12的下端相连。所述排针JP12的下端与电阻R10的左端相连，上端与排针JP9的下端相连。所述排针JP5的左端与输入端AT2-IN，右端与电容C1的左端相连。所述电容C1的左端与排针JP5的右端相连，右端与排针JP6相连。所述电阻R11左端与排针JP6右端相连，右端与可变电阻VR9上端相连。所述电阻R7左端与排针JP7右端相连，右端与可变电阻VR9上端相连。所述电阻R12左端与排针JP8相连，右端与可变电阻VR9上端相连。所述光耦合器U1的输入上端与R17相连，输入下端与排针JP9相连，输出上端与VCC相连，输出下端与R13相连。所述二极管D1上端与VCC相连，D1下端与与继电器K1的1端相连。所述电阻R13的左端与光耦合器U1的输出下端相连，右端与三极管基极相连。所述电阻R17的上端与光耦合器U1的输入上端相连，下端与VCC相连。所述电阻R8的上端与VCC相连，下端与电阻R10的左端相连。所述电阻R10的左端与JP12相连，右端与三极管基极相连。所述直流放大电路(2)包括输入端SIG_IN，输出端RV_OUT，电阻R30、R31、R33、R34，三极管Q3，型号为1N60P的二极管D5，电容C38、C39、C40、C41，可变电阻VR8。所述二极管D5的左端与输入端SIG_IN相连，右端与电容C38相连。所述电容C38的上端与电阻R30相连，下端与GND相连。所述电阻R30上端与电阻R31相连，下端与电容C38下端相连。所述电阻R31上端与电阻R30相连，下端与电容C39相连。所述电容C39上端与电阻R33下端相连，下端与GND相连。所述电阻R33的上端与可变电阻VR8下端相连，下端与三极管Q3的基极相连。可变电阻RW2的上端与电容C41相连，下端与电阻R33相连。所述电容C41的左端与GND相连，右端与电阻R34相连。所述三极管的基极与电阻R33的下端相连，集电极与电阻R34相连，发射极与电阻R35相连。所述电阻R35上端与三极管的发射极相连，下端与GND相连。所述电阻R34的上端与+12V相连，下端与电容C40相连。所述电容C40的上端与GND相连，下端与输出端RV_OUT相连。所述电压转换电路(3)包括输入端RG_IN，型号为1N4148的高速硅开关二极管D1、D2、D3、D4，型号为PCF8591的模数转换器U2，电阻R9。所述输入端RG_IN的左端与直流放大电路的输出端RV_OUT相连，右端与二极管D1的上端相连。所述二极管D1的上端与输入端RG_IN相连，下端与二极管D2的上端相连。所述二极管D2的上端与二极管D1的下端相连，下端与二极管D3下端相连。所述二极管D3的上端与二极管的，下端与二极管D2的下端相连。所述二极管D4的上端与电阻R9相连，下端与二极管D3的上端相连。所述电阻R9的左端与二极管D4的上端相连，右端与GND相连。模数转换器U2的AIN0端接入二极管D4的上端，U2的SDA端接入外部嵌入式设备的数据线。U2的SCL端接入外部嵌入式设备的控制线。U2的VCC接入5v电源。本专利技术的有益效果是：大功率射频信号进入衰减电路后，外部设备可以通过Control端来控制衰减与否，可以根据排针的布局来自由切换衰减方案。在直流压降部分，本专利技术采用了高速硅开关二极管，它不仅具有让电流高速导通和截至的能力，还可以避免高频的干扰，经过高速硅开关二极管的降压后，电压在模数转换器的可接受范围，模数转换器采用了8位高速转换，提高了测量精度。附图说明图1是本专利技术的衰减电路图；图2是本专利技术的直流放大电路图；图3是本专利技术的电压转换电路图；图4是本专利技术实施例中高速硅开关二极管正向压降随电流变化曲线图。图中：1-衰减电路，2-直流放大电路，3-电压转换电路。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式，对本专利技术作进一步说明。一种大功率射频信号的功率测量电路，首先将大功率的射频信号进行衰减，将信号功率控制在二极管检波电路的接受范围以内，再利用8位的模数转换器进行电压采集，再计算出功本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率射频信号的功率测量电路，其特征在于：包括衰减电路(1)，直流放大电路(2)和电压转换电路(3)；所述衰减电路(1)与直流放大电路(2)相连，所述直流放大电路(2)与电压转换电路(3)相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种大功率射频信号的功率测量电路，其特征在于：包括衰减电路(1)，直流放大电路(2)和电压转换电路(3)；所述衰减电路(1)与直流放大电路(2)相连，所述直流放大电路(2)与电压转换电路(3)相连。


2.根据权利要求1所述的大功率射频信号的功率测量电路，其特征在于：所述衰减电路(1)包括输入端AT2-IN，输出端OUT2，型号为EL817的光耦合器U1，型号为S8050的三极管放大器，二极管D1，继电器K1，可变电阻VR9，电阻R7、R8、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17，排针JP4、JP5、JP6、JP7、JP8、JP9、JP10、JP11，电容C1；
所述排针JP4的左端与输入端AT2-IN相连，JP4的右端与电阻R14的左端相连；所述电阻R14的右端与电阻R16的下端相连，电阻R16的上端与GND相连；所述电阻R15的左端与电阻R16的下端相连，R15的右端与继电器的4端相连；所述继电器K1的4端与电阻R15相连，继电器K1的3端与排针JP11相连，继电器K1的5端与电阻R14相连，继电器K1的1端与二极管D1下端相连，继电器K1的2端与二极管D1上端相连；所述排针JP11的上端与继电器K1的3端相连，下端与输出端OUT2相连；所述排针JP10的右端与输出端OUT2相连，左端与可变电阻VR9相连，可变电阻VR9的下端与三极管Q1的集电极相连；所述三极管Q1的发射级与GND相连，基级与电阻R10的右端相连；所述电阻R10的左端与排针JP12的下端相连；所述排针JP12的下端与电阻R10的左端相连，上端与排针JP9的下端相连；所述排针JP5的左端与输入端AT2-IN，右端与电容C1的左端相连；所述电容C1的左端与排针JP5的右端相连，右端与排针JP6相连；所述电阻R11左端与排针JP6右端相连，右端与可变电阻VR9上端相连；所述电阻R7左端与排针JP7右端相连，右端与可变电阻VR9上端相连；所述电阻R12左端与排针JP8相连，右端与可变电阻VR9上端相连；所述光耦合器U1的输入上端与R17相连，输入下端与排针JP9相连，输出上端与VCC相连，输出下端与R13相连；所述二极管D1上端与VCC相连，D1下端与与继电器K1的1端相连；所述电阻R13的左端与光耦合器U1的输出下端相连，右端与三极管基极相连；所述电阻R17的上端与光耦合器U1的...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵玉斌，唐维康，龙华，杜庆治，杨贵安，刘晶，陈亮，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：云南;53