显示面板及其制作方法技术

技术编号:29211878 阅读:48 留言:0更新日期:2021-07-10 00:48
本发明专利技术实施例公开了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括多个辅助电极;位于多个该辅助电极上的第一绝缘层,该第一绝缘层包括多个第一底切开口,每一该第一底切开口暴露对应的该辅助电极;位于该第一绝缘层上的多个辅助支撑单元,每一该辅助支撑单元包括第一部分及与该第一部分连接的第二部分,该第一部分位于该第一绝缘层上,该第二部分位于该第一底切开口的上方;位于该辅助支撑单元上的阴极层,该阴极层延伸至至少一该第一底切开口内且与对应的该辅助电极电连接;其中,该阴极层的端部位于至少一该第一底切开口内。本发明专利技术实施例通过在辅助支撑单元下方形成第一底切结构,方便阴极层与辅助电极搭接电连接,从而改善显示亮度不均。示亮度不均。示亮度不均。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及其制作方法。

技术介绍

[0002]近些年,OLED(Organic Light

Emitting Diode,有机发光半导体)显示面板为了增大顶发射的透过率,金属阴极的厚度较薄,造成方阻较大,电流压降(IR

drop)严重,导致显示面板有明显的亮度不均匀现象,为改善面板显示亮度的不均匀性,可以架设辅助电极,与较薄的金属阴极相连,使面板的阴极的阻抗和电流压降得到减小,亮度均匀性得到一定的改善。
[0003]目前,对于如何实现辅助电极和金属阴极搭接,通常采用在阴极和辅助电极之间设置倒梯形的隔离柱,但是隔离柱体积占比大,影响开口率和封装,而且原材料的选择性较少,制作工艺变得复杂,降低生产效率的技术问题。
[0004]因此,亟需一种显示面板及其制作方法以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种显示面板及其制作方法,可以解决目前对于如何方便实现辅助电极和金属阴极搭接的技术问题。
[0006]本专利技术实施例提供了一种显示面板,包括:
[0007]多个辅助电极;
[0008]位于多个所述辅助电极上的第一绝缘层,所述第一绝缘层包括多个第一底切开口,每一所述第一底切开口暴露对应的所述辅助电极;
[0009]位于所述第一绝缘层上的多个辅助支撑单元,每一所述辅助支撑单元包括第一部分及与所述第一部分连接的第二部分,所述第一部分位于所述第一绝缘层上,所述第二部分位于对应的所述第一底切开口的上方;
[0010]位于所述辅助支撑单元上的阴极层,所述阴极层延伸至至少一所述第一底切开口内且与对应的所述辅助电极电连接;
[0011]其中,所述阴极层的端部位于至少一所述第一底切开口内。
[0012]在一实施例中,所述显示面板还包括位于所述第一绝缘层与所述阴极层之间的阳极层,所述辅助支撑单元与所述阳极层同层设置,所述辅助支撑单元的材料与所述阳极层的材料相同。
[0013]在一实施例中,所述显示面板还包括位于所述阳极层与所述阴极层之间的发光材料层;其中,所述发光材料层的端部位于至少一所述第一底切开口内,至少一所述第一底切开口内的所述发光材料层在所述阴极层上的正投影位于至少一所述第一底切开口内的所述阴极层的边界之内。
[0014]在一实施例中,所述第一底切开口包括靠近所述辅助支撑单元的第三部分以及远离所述辅助支撑单元的第四部分,所述辅助支撑单元环绕所述第三部分。
[0015]在一实施例中,所述第一绝缘层包括位于多个所述辅助电极上的钝化层以及位于所述钝化层上的平坦层;其中,所述钝化层的对应至少一所述第一底切开口的内壁与所述平坦层的对应至少一所述第一底切开口的内壁平滑过渡。
[0016]在一实施例中,所述第一绝缘层包括位于多个所述辅助电极上的钝化层以及位于所述钝化层上的平坦层;其中,所述平坦层包括第一子底切开口,所述钝化层包括第二子底切开口,所述第一子底切开口与所述第二子底切开口连通,所述第二子底切开口靠近所述第一子底切开口的开口直径大于所述第一子底切开口靠近所述第二子底切开口的开口直径。
[0017]在一实施例中,所述第一底切开口在所述辅助电极上的正投影位于所述辅助电极的边界之内,由所述显示面板的边缘指向所述显示面板的中心的方向上,所述第一底切开口的尺寸逐渐增大。
[0018]在一实施例中,所述显示面板还包括位于所述第一绝缘层远离所述阴极层一侧的阵列基板;所述显示面板还包括位于所述第一绝缘层远离所述阴极层一侧的阵列基板;所述阵列基板包括多个所述辅助电极及源漏极层,多个所述辅助电极与所述源漏极层同层设置。
[0019]在一实施例中,所述阵列基板还包括遮光层、位于所述遮光层与所述源漏极层之间的有源层;所述有源层包括相互绝缘设置的多个第一半导体单元及多个第二半导体单元;所述遮光层包括相互绝缘设置的多个金属单元及多个第一遮光单元;其中,一所述第一半导体单元与一所述第一遮光单元对应设置,所述源漏极层与所述第一遮光单元通过过孔电连接,一所述金属单元与一所述第二半导体单元对应设置。
[0020]本专利技术实施例还提供了一种显示面板的制作方法,包括:
[0021]在衬底上形成多个辅助电极;
[0022]在所述辅助电极上形成第一绝缘层;
[0023]在所述第一绝缘层上形成阳极材料层;
[0024]将所述阳极材料层图案化处理,形成多个第一底切开口、多个辅助支撑单元及阳极层,每一所述第一底切开口暴露对应的所述辅助电极;
[0025]在所述阳极层上形成包括多个第三开口的像素定义层,一所述第三开口对应连通一所述第一底切开口;
[0026]在所述像素定义层上形成发光材料层;
[0027]在所述发光材料层上形成阴极层;
[0028]其中,所述阴极层延伸至至少一所述第一底切开口内且与对应的所述辅助电极电连接,每一所述辅助支撑单元包括第一部分及与所述第一部分连接的第二部分,所述第一部分位于所述第一绝缘层上,所述第二部分位于对应的所述第一底切开口的上方,所述阴极层的端部位于至少一所述第一底切开口内。
[0029]本专利技术实施例通过在辅助支撑单元下方形成第一底切结构,方便阴极层与辅助电极搭接电连接,从而改善显示亮度不均。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使
用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1是本专利技术实施例提供的显示面板的第一种结构的结构示意图;
[0032]图2是本专利技术实施例提供的显示面板的第二种结构的结构示意图;
[0033]图3是本专利技术实施例提供的显示面板的第三种结构的结构示意图;
[0034]图4是本专利技术实施例提供的显示面板的第四种结构的结构示意图;
[0035]图5是本专利技术实施例提供的显示面板的第五种结构的结构示意图;
[0036]图6是本专利技术实施例提供的显示面板的第六种结构的俯视示意图;
[0037]图7是本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法的步骤流程图;
[0038]图8~图13是本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
[0039]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术,并不用于限制本专利技术。在本专利技术中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:多个辅助电极;位于多个所述辅助电极上的第一绝缘层,所述第一绝缘层包括多个第一底切开口,每一所述第一底切开口暴露对应的所述辅助电极;位于所述第一绝缘层上的多个辅助支撑单元,每一所述辅助支撑单元包括第一部分及与所述第一部分连接的第二部分,所述第一部分位于所述第一绝缘层上,所述第二部分位于对应的所述第一底切开口的上方;位于所述辅助支撑单元上的阴极层,所述阴极层延伸至至少一所述第一底切开口内且与对应的所述辅助电极电连接;其中,所述阴极层的端部位于至少一所述第一底切开口内。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第一绝缘层与所述阴极层之间的阳极层,所述辅助支撑单元与所述阳极层同层设置,所述辅助支撑单元的材料与所述阳极层的材料相同。3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述阳极层与所述阴极层之间的发光材料层;其中,所述发光材料层的端部位于至少一所述第一底切开口内,至少一所述第一底切开口内的所述发光材料层在所述阴极层上的正投影位于至少一所述第一底切开口内的所述阴极层的边界之内。4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一底切开口包括靠近所述辅助支撑单元的第三部分以及远离所述辅助支撑单元的第四部分,所述辅助支撑单元环绕所述第三部分。5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层包括位于多个所述辅助电极上的钝化层以及位于所述钝化层上的平坦层;其中,所述钝化层的对应至少一所述第一底切开口的内壁与所述平坦层的对应至少一所述第一底切开口的内壁平滑过渡。6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层包括位于多个所述辅助电极上的钝化层以及位于所述钝化层上的平坦层;其中,所述平坦层包括第一子底切开口,所述钝化层包括第二子底切开口,所述第一子底切开口与所述第二子底切开口连...

【专利技术属性】
技术研发人员:林高波
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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