用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片及石墨舟制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片，其设有多个卡槽；每个卡槽的周围均设有用于放置硅片的卡点，卡点包括靠近卡槽第一侧部设置的第一卡点、靠近卡槽第二侧部设置的第二卡点和靠近卡槽底部设置的第三卡点；第一侧部靠近管式炉炉口端，第二侧部靠近管式炉炉尾端；石墨舟舟片设有至少两个第一卡点，至少一个第二卡点和至少一个第三卡点。相应的，本实用新型专利技术还公开了一种石墨舟。实施本实用新型专利技术，可有效改善大尺寸硅片的绕镀现象，提升镀膜质量。提升镀膜质量。提升镀膜质量。

【技术实现步骤摘要】
用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片及石墨舟


[0001]本技术涉及太阳能电池生产设备
，尤其涉及一种用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片及石墨舟。

技术介绍

[0002]太阳能电池片镀膜工艺目前主要使用石墨舟为载体，利用石墨舟卡点将硅片限制在石墨腔内，然后通过PECVD(等离子增强化学气相沉积)法沉积正背面膜层。随着硅片尺寸的大型化，现有的石墨舟设计不能完全使硅片贴合石墨舟叶，在气流吹力以及高温作用下，硅片翘曲严重，导致部分气体流通到硅片背面，固态薄膜沉积到背面边缘上，这就是绕镀；绕镀现象会使硅片边缘沉积的氮化硅薄膜厚度增加，从而导致背面镀膜边缘颜色与中间有差异，最终导致电池片整体膜色不均匀，影响美观性。所以需要对石墨舟进行改造优化，改善大尺寸边缘绕镀问题。
[0003]目前，改善方式主要是以下几种，(1)移动石墨舟卡点位置，使卡点分布更均匀，该方法在小尺寸M2硅片(边长尺寸156.75
±
0.25mm)、M3硅片(边长尺寸160.55
±
0.25mm)、M4硅片(边长尺寸161.75
±
0.5mm)上有改善效果，但在大尺寸M12硅片(边长尺寸210
±
0.5mm)硅片上改善效果较差；(2)增大卡点直径，以增大卡点与硅片的接触面积，这样易造成硅片上卡点印过大，影响电池片外观；(3)缩小卡点到卡槽的间距，例如将间距0.29cm缩小至0.25cm，该方法加剧插片难度，容易造成硅片划伤。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题在于，提供一种用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片，其可有效改善大尺寸硅片的绕镀现象。
[0005]本技术还要解决的技术问题在于，提供一种石墨舟。
[0006]为了解决上述技术问题，本技术提供了一种用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片，所述石墨舟舟片上设有多个卡槽，每个所述卡槽的周围均设有多个用于放置硅片的卡点，所述卡点包括靠近所述卡槽第一侧部设置的第一卡点、靠近所述卡槽第二侧部设置的第二卡点和靠近所述卡槽底部设置的第三卡点；
[0007]所述第一侧部靠近管式炉炉口端，所述第二侧部靠近管式炉炉尾端；
[0008]所述石墨舟舟片设有至少两个所述第一卡点，至少一个所述第二卡点和至少一个所述第三卡点。
[0009]作为上述技术方案的改进，所述石墨舟舟片设有两个所述第一卡点，一个所述第二卡点和一个所述第三卡点。
[0010]作为上述技术方案的改进，所述石墨舟舟片设有两个所述第一卡点，一个所述第二卡点和两个所述第三卡点。
[0011]作为上述技术方案的改进，所述第一卡点之间的距离为70～120mm；
[0012]所述第二卡点与所述卡槽第一侧部边缘之间的距离为60～90mm；
[0013]所述第三卡点与所述卡槽顶部边缘之间的距离≥40mm。
[0014]作为上述技术方案的改进，所述第一卡点之间的距离为120～180mm；
[0015]所述第二卡点之间的距离为70～100mm；
[0016]所述第三卡点与所述卡槽顶部边缘之间的距离≥40mm。
[0017]作为上述技术方案的改进，所述卡槽为正方形，其边长为180～230mm，所述卡槽为镂空型结构。
[0018]作为上述技术方案的改进，所述卡点为圆形卡点，其直径为5～8mm。
[0019]作为上述技术方案的改进，所述石墨舟舟片的长度为1560～2200mm，其高度为190～250mm。
[0020]作为上述技术方案的改进，所述石墨舟舟片上还设有用于插入陶瓷固定杆的固定孔，其直径为5～7mm。
[0021]相应的，本技术还公开了一种石墨舟，其包括上述的用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片。
[0022]实施本技术，具有如下有益效果：
[0023]本技术的石墨舟舟片，包括卡槽和卡点；其中，卡点包括靠近卡槽第一侧设置的第一卡点、靠近卡槽第二侧部设置的第二卡点和靠近卡槽底部设置的第三卡点。其中，第一侧部靠近管式炉炉口端，第二侧部靠近管式炉炉尾端。基于上述结构的石墨舟舟片，使得大尺寸硅片受力更加均匀，且更加贴合石墨舟舟片，减小了硅片与石墨舟舟片因翘曲产生的间距，从而有效改善了大尺寸硅片的绕镀现象。
附图说明
[0024]图1是实施例1中用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片的结构示意图；
[0025]图2是实施例1中卡槽及卡点的分布结构示意图；
[0026]图3是实施例2中用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片的结构示意图；
[0027]图4是实施例2中卡槽及卡点的分布结构示意图。
具体实施方式
[0028]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述。
[0029]实施例1
[0030]参见图1，本实施例提供了一种用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片，其包括舟片本体1、卡槽2和卡点3；其中，卡点3设置在卡槽2的周围。卡点3包括靠近卡槽2第一侧部21设置的第一卡点31、靠近卡槽2第二侧部22设置的第二卡点32和靠近卡槽2底部23设置的第三卡点33。其中，第一侧部21靠近管式炉炉口端，第二侧部22靠近管式炉炉尾端。石墨舟舟片设有两个第一卡点31、一个第二卡点32和一个第三卡点33。基于上述结构的石墨舟舟片，使得大尺寸硅片受力更加均匀，且更加贴合石墨舟舟片，减小了硅片与石墨舟舟片因翘曲产生的间距，从而有效改善了大尺寸硅片的绕镀现象。
[0031]需要说明的是，在镀膜过程中，管式炉炉口端会通入带温气体，具有一定的冲击作用。通过在靠近管式炉炉口端设置两个第一卡点31，可充分卡稳大尺寸硅片，使其在气体冲
击后不松散、不变形，改善绕镀现象。还需要说明的是，目前量产的石墨舟电池片是倾斜一定的角度并利用重心引力作用插入石墨舟，通过在靠近管式炉炉口端仅设置一个第三卡点33，让插片机在插片过程中可以有一定角度的调整，方便了插片机插片，减少划伤不良的缺陷。
[0032]具体的，参考图2，在本实施例之中，其中，两个第一卡点31中，靠近卡槽2顶部设置的第一卡点31a与顶部边缘之间的距离L1大于靠近卡槽2底部设置的第一卡点31b与底部边缘之间的距离L2，即L1＞L2，具体的L1：L2＝(1.2～2)，L1为15～40mm，示例性的为20mm、35mm、38mm，但不限于此。第一卡点31之间的距离A为70～120mm；优选的为80～100mm；示例性地为 82mm、85mm、90mm、95mm，但不限于此。
[0033]具体的，在本实施之中，第二卡点32与卡槽2第一侧部21边缘之间的距离B为60～90mm，第三卡点33与卡槽2顶部23边缘之间的距离C≥40mm。分布于上述位置的第二卡点32、第三卡点33分布更加均匀，且方便插片。优选的，距离B为70～90mm，示例性的为72mm、75mm、77mm、80mm、85mm，但不限于此；距离C为41～80本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片，所述石墨舟舟片上设有多个卡槽，其特征在于，每个所述卡槽的周围均设有多个用于放置硅片的卡点，所述卡点包括靠近所述卡槽第一侧部设置的第一卡点、靠近所述卡槽第二侧部设置的第二卡点和靠近所述卡槽底部设置的第三卡点；所述第一侧部靠近管式炉炉口端，所述第二侧部靠近管式炉炉尾端；所述石墨舟舟片设有至少两个所述第一卡点，至少一个所述第二卡点和至少一个所述第三卡点。2.如权利要求1所述的用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片，其特征在于，所述石墨舟舟片设有两个所述第一卡点，一个所述第二卡点和一个所述第三卡点。3.如权利要求1所述的用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片，其特征在于，所述石墨舟舟片设有两个所述第一卡点，一个所述第二卡点和两个所述第三卡点。4.如权利要求2所述的用于大尺寸硅片镀膜的石墨舟舟片，其特征在于，所述第一卡点之间的距离为70～120mm；所述第二卡点与所述卡槽第一侧部边缘之间的距离为60～90mm；所述第三卡点与所述卡槽顶部边缘之间的距离≥...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐义兰，林纲正，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：