半导体结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构，包括第一基板和堆叠在所述第一基板上方的第二基板。连接件位于所述第一基板和所述第二基板之间并电性连接所述第一基板和所述第二基板。所述第一基板与所述第二基板之间形成有气腔。上述技术方案可以利用气腔中空气的低Dk及低Df的特性，达到特性阻抗以及较好插入损耗，并进一步减少基板层数。基板层数。基板层数。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体结构。

技术介绍

[0002]在高速电路运作中，讯号传播速度与衰减是两个重要参数，其中讯号传播延迟取决于介电常数(Dielectric Constant，Dk)大小和传输线结构，使用低Dk的基板材料可以减少讯号传递延迟，降低导线之间的耦合电容，进而降低讯号之间的串扰(cross talk)；讯号衰减包含导体损耗和介质损耗，其中介电损耗表示讯号在材料中的损耗，以损耗正切(loss tangent)或耗散因子(dissipation factor，Df)描述，使用具有低Df的介质材料可以降低讯号衰减而提高讯号完整性。随着5G通讯的发展，相关的通讯产品因高频的需求而要求以低Dk及低Df材料制备。
[0003]然而，现行业界的低Dk及低Df材料开发速度缓慢且昂贵，且一般的低Dk及低Df介电材料的Df值不够低而导致电性上损失或线路布线上限制，或是某些Df够低的材料有加工性不佳而造成制程不易与良率不好等缺点。再者，如以图1中10层(L1
‑r/>L10)板为示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一基板；第二基板，堆叠在所述第一基板上方；连接件，位于所述第一基板和所述第二基板之间并电性连接所述第一基板和所述第二基板；其中，所述第一基板与所述第二基板之间形成有气腔。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一基板具有第一数量的多个线路层，所述第二基板具有第二数量的多个线路层，所述第一数量与所述第二数量不同。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一基板具有与所述第二基板数量相同的多个线路层。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一基板的上表面与所述第二基板的下表面相对设置，所述第一基板的上表面和所述第二基板的下表面中的至少一个上设置有暴露于所述气腔内的迹线。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述迹线凸出于所述第一基板的上表面和所述第二基...

【专利技术属性】
技术研发人员：李育颖，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：