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本发明提供了一种半导体结构，包括第一基板和堆叠在所述第一基板上方的第二基板。连接件位于所述第一基板和所述第二基板之间并电性连接所述第一基板和所述第二基板。所述第一基板与所述第二基板之间形成有气腔。上述技术方案可以利用气腔中空气的低Dk及低D...
该专利属于日月光半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过日月光半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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