半导体装置及其制作方法制造方法及图纸

技术编号:29137095 阅读:27 留言:0更新日期:2021-07-02 22:33
本发明专利技术实施例是有关于一种半导体装置及其制作方法。一种半导体装置包括第一半导体管芯、第二半导体管芯、绝缘包封体及翘曲控制图案。所述第一半导体管芯包括有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第二半导体管芯设置在所述第一半导体管芯的所述有源表面上。所述绝缘包封体设置在所述第一半导体管芯的所述有源表面上并侧向包封所述第二半导体管芯。所述翘曲控制图案设置在所述第一半导体管芯的所述后表面上并部分覆盖所述后表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制作方法
本揭露实施例是有关于一种半导体装置及其制作方法。
技术介绍
由于各种电子组件(例如,晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续提高,半导体行业已经历快速增长。在很大程度上,集成密度的这一提高是源自最小特征大小(minimumfeaturesize)的连番减小,此使更多的组件能够集成到给定的面积中。随着近来对小型化、较高的速度、较大的频宽、较低的功率损耗及较少的延迟的需求的增加,对半导体管芯的翘曲控制技术的需要也随着增加。
技术实现思路
本揭露实施例提供一种半导体装置,所述半导体装置包括第一半导体管芯、第二半导体管芯、绝缘包封体及翘曲控制图案。所述第一半导体管芯包括有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第二半导体管芯设置在所述第一半导体管芯的所述有源表面上。所述绝缘包封体设置在所述第一半导体管芯的所述有源表面上并侧向包封所述第二半导体管芯。所述翘曲控制图案设置在所述第一半导体管芯的所述后表面上并部分覆盖所述后表面。本揭露实施例提供一种半导体装置,所述半导体装置包括中介层、半导体装置、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置,包括:/n第一半导体管芯,包括有源表面及与所述有源表面相对的后表面;/n第二半导体管芯,设置在所述第一半导体管芯的所述有源表面上;/n绝缘包封体,设置在所述第一半导体管芯的所述有源表面上并侧向包封所述第二半导体管芯;以及/n翘曲控制图案,设置在所述第一半导体管芯的所述后表面上并部分覆盖所述后表面。/n

【技术特征摘要】
20200327 US 63/000,492;20200701 US 16/917,9201.一种半导体装置,包括:
第一半导体管芯,包括有源表面及与所述有源表面相对的后表面;
第二半导体管芯,设置在所述第一半导体管芯的所述有源表面上;
绝缘包封体,设置在所述第一半导体管芯的所述有源表面上并侧向包封所述第二半导体管芯;以及
翘曲控制图案,设置在所述第一半导体管芯的所述后表面上并部分覆盖所述后表面。


2.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:
重布线路结构,设置在所述第二半导体管芯及所述绝缘包封体上,其中所述重布线路结构电连接到所述第一半导体管芯及所述第二半导体管芯。


3.根据权利要求2所述的半导体装置,还包括:
多个导电端子,设置在所述重布线路结构上并电连接到所述重布线路结构。


4.根据权利要求2所述的半导体装置,还包括:
多个半导体穿孔,穿过所述第二半导体管芯,其中所述多个半导体穿孔电连接到所述重布线路结构。


5.一种半导体装置,包括:
中介层;
半导体装置,设置在所述中介层上并电连接到所述中介层,所述半导体装置包括:
第一半导体管芯,包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面;
第二半导体管芯,与所述第一半导体管芯的所述第一表面接合;
第一绝缘包封体,设置在所述第一半导体管芯的所述第一表面上并侧向包封所述第二半导体管芯,其中所述第一绝缘包封体的多个侧壁实质上与所述第一半导体管芯的多个侧壁对齐;以及
翘曲控制图案,设置在所述第一半导体管芯的所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄冠育黄松辉侯上勇
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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