一种鳍式场效应晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，对至少一个所述第二光刻胶层进行曝光显影，以在所述第二光刻胶层上形成第三沟槽，所有所述第三沟槽沿所述第一方向排列；其中，在所述第一方向上，所述第三沟槽的宽度与所述第一光刻胶层在所述第一沟槽侧边所有实体部的宽度相同；以及，在所述第一方向上，所述第二光刻胶层在所述第三沟槽侧边的实体部的宽度相同或不同。进而，在去除牺牲层后以第二光刻胶层为掩膜制作鳍部，使得制作出的所有鳍部之间间距相同，且所有鳍部的线宽相同或至少一个鳍部的线宽与其余鳍部的线宽不同。由此优化鳍式场效应晶体管的制作工艺，进而使得鳍式场效应晶体管的鳍部的线宽可调。

【技术实现步骤摘要】
一种鳍式场效应晶体管及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件
，更为具体地说，涉及一种鳍式场效应晶体管及其制作方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，传统的平面性器件已经不能满足人们对高性能器件的需求。FinFET(FinField-EffectTransistor，鳍式场效应晶体管)是一种立体型器件，包括在衬底上竖直形成的鳍以及与鳍相交的堆叠栅。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流，而得到广泛应用。但是，现有鳍式场效应晶体管在制作过程中，受到制作工艺限制使得多个鳍部的线宽相同不可调。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，有效地解决了现有技术存在的技术问题，优化鳍式场效应晶体管的制作工艺，进而使得鳍式场效应晶体管的鳍部的线宽可调。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：一种鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：提供衬底基板，所述衬底基板包括依次叠加设置的半导体层、氧化物层、氮化物层、硬掩模层、牺牲层和第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层进行曝光显本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：/n提供衬底基板，所述衬底基板包括依次叠加设置的半导体层、氧化物层、氮化物层、硬掩模层、牺牲层和第一光刻胶层；/n对所述第一光刻胶层进行曝光显影，以在所述第一光刻胶层上形成在多个第一沟槽；其中，在多个第一沟槽排列的第一方向上，所述多个第一沟槽的宽度相同，或者，至少一个所述第一沟槽的宽度与其余所述第一沟槽的宽度不同；以及，在所述第一方向上，所述第一光刻胶层在所述第一沟槽侧边所有实体部的宽度相同；/n以所述第一光刻胶层为掩膜，对所述牺牲层进行刻蚀形成多个第二沟槽，并去除所述第一光刻胶层；/n在所有所述第二沟槽中填充光刻胶形成与所述第二沟槽一一对...

【技术特征摘要】
1.一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板，所述衬底基板包括依次叠加设置的半导体层、氧化物层、氮化物层、硬掩模层、牺牲层和第一光刻胶层；
对所述第一光刻胶层进行曝光显影，以在所述第一光刻胶层上形成在多个第一沟槽；其中，在多个第一沟槽排列的第一方向上，所述多个第一沟槽的宽度相同，或者，至少一个所述第一沟槽的宽度与其余所述第一沟槽的宽度不同；以及，在所述第一方向上，所述第一光刻胶层在所述第一沟槽侧边所有实体部的宽度相同；
以所述第一光刻胶层为掩膜，对所述牺牲层进行刻蚀形成多个第二沟槽，并去除所述第一光刻胶层；
在所有所述第二沟槽中填充光刻胶形成与所述第二沟槽一一对应的多个第二光刻胶层；
对至少一个所述第二光刻胶层进行曝光显影，以在所述第二光刻胶层上形成第三沟槽，所有所述第三沟槽沿所述第一方向排列；其中，在所述第一方向上，所述第三沟槽的宽度与所述第一光刻胶层在所述第一沟槽侧边所有实体部的宽度相同；以及，在所述第一方向上，所述第二光刻胶层在所述第三沟槽侧边的实体部的宽度相同或不同；
去除所述牺牲层；
以所述第二光刻胶层为掩膜，对所述半导体层、氧化物层、氮化物层和硬掩模层进行刻蚀，去除所述硬掩模层和所述第二光刻胶层后形成多...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆煌，柯思羽，韦斌，刘志成，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37