一种镁纳米线薄膜及其制备方法和应用技术

技术编号:29126652 阅读:76 留言:0更新日期:2021-07-02 22:21
本发明专利技术涉及金属薄膜技术领域,提供了一种镁纳米线薄膜的制备方法,本发明专利技术通过控制基底的倾斜角度和基底温度来控制纳米Mg薄膜的形貌。其中,当磁控溅射基底的倾斜角度为60°<α<89°,倾斜入射,沉积过程中,镁原子的扩散发生在磁控溅射束在膜表面上的投影的方向上,并且在平行于膜表面的方向上的扩散仅由入射角决定,可以使镁纳米线生长为直径均匀且镁纳米线分布均匀;当基底的温度为25~100℃时,能够得到分离良好的镁纳米线。实验结果表明,当基底温度为25℃,基底的倾斜角度为85°时,镁纳米线薄膜中镁纳米线分散良好,纳米线的直径为25~50nm,可以作为储氢固体材料。

【技术实现步骤摘要】
一种镁纳米线薄膜及其制备方法和应用
本专利技术涉及金属薄膜
,尤其涉及一种镁纳米线薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
随着全球变暖问题和化石燃料消耗的增加,水电、太阳能和风能等可再生能源正日益取代传统燃料。与化石燃料相比,氢具有更高的化学能,且在燃料电池中产生的废气是水蒸气,没有任何其他温室气体或有害排放物。因此,氢相对于传统燃料具有巨大的应用潜力。然而,在将氢作为一种经济可行的燃料之前,需要解决氢的生产、分配和储存问题,特别是氢的储存问题亟需解决。由于固态材料与气体或液体相比具有更高的体积密度且更为安全,因此,目前常采用固态材料对氢进行存储来解决氢的存储问题。在储存氢的固态材料中,镁具有含量丰富、低成本、低密度、低毒性和高氢容量和可逆性的特性,使得镁是常用的存氢固态材料。但是,该材料存在脱附温度高和吸氢动力慢和镁极易被氧氧化的缺陷,使得氢不易在其中扩散。多年来,多种研究致力于解决上述问题。比如EnergyRev.2017,72,523–534.研究了通过在催化剂材料存在(或不存在)下的机械球磨来减少Mg/MgH2(小于1μm)颗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镁纳米线薄膜的制备方法,采用磁控溅射在基底上沉积镁纳米线薄膜:/n所述磁控溅射的靶材为Mg靶;/n所述Mg靶与基底之间的距离为60~80mm;/n所述磁控溅射在氩气保护下进行;/n所述磁控溅射时基底的温度为25~100℃;/n所述磁控溅射时基底的倾斜角度60°<α<89°。/n

【技术特征摘要】
1.一种镁纳米线薄膜的制备方法,采用磁控溅射在基底上沉积镁纳米线薄膜:
所述磁控溅射的靶材为Mg靶;
所述Mg靶与基底之间的距离为60~80mm;
所述磁控溅射在氩气保护下进行;
所述磁控溅射时基底的温度为25~100℃;
所述磁控溅射时基底的倾斜角度60°<α<89°。


2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述基底包括导电硅晶片、SiO2片或Al2O3片。


3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述Mg靶的纯度大于等于99.99wt%。


4.根据权利要求1所述的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁慧
申请(专利权)人:徐州工程学院
类型:发明
国别省市:江苏;32

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