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本发明涉及金属薄膜技术领域，提供了一种镁纳米线薄膜的制备方法，本发明通过控制基底的倾斜角度和基底温度来控制纳米Mg薄膜的形貌。其中，当磁控溅射基底的倾斜角度为60°<α<89°，倾斜入射，沉积过程中，镁原子的扩散发生在磁控溅射束...
该专利属于徐州工程学院所有，仅供学习研究参考，未经过徐州工程学院授权不得商用。

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