一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管，包括安装座、石英管、弧形盖板、连接杆和液压推杆，所述安装座之间插设安装有石英管，所述石英管两侧分别设有对应的弧形盖板，所述弧形盖板内侧包覆有高温玻璃布，所述弧形盖板外侧顶部和顶部均通过螺栓固定安装有弧度安装板。通过高温玻璃布的使用，可有效降低真空离子发生器工作瞬时启动的高温对石英管的伤害，能够避免石英管爆裂，增长其使用寿命，减少机台维护频率，具有较高的实用性，且人员可在不接触石英管的情况下，对弧形盖板进行推送盖设，完成防护作业。

【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管
本技术涉及石英管
，特别涉及一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管。
技术介绍
化合物半导体是中国目前积极开发推进的，包括碳化硅/氮化镓等，碳化硅晶体是碳化硅半导体器件的原材料；而生产碳化硅晶体主流方法为PVT物理气相输运法，此方法需要使用到高温加热和温度梯度；但其内部还会存在杂质点。在光伏电池片生产领域中，给已完成扩散工艺的电池片镀上一层氮化硅膜，以保护电池片避免脏污，保护PN结；那么镀膜工艺分为管式镀膜和板式镀膜，其中平板式镀膜设备采用的是真空离子发生器，发出的离子在真空石英管传播，穿出石英管壁，飞向靶片，飞向靶片的过程中将氮化硅的特种气体分子吸引并带到靶片上，形成一层20微米的氮化硅膜，在石英管的使用温度范围内；但石英管含有的杂质点，瞬时启动高温时成为等离子体能力积聚点，局部高温和应力而爆裂；造成使用寿命短，维护周期过短，机台停机维护频繁，缺乏良好的防护部件。为此，我们提出一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种用于碳化硅晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管，包括安装座(1)、石英管(2)、弧形盖板(3)、连接杆(6)和液压推杆(7)，其特征在于，所述安装座(1)之间插设安装有石英管(2)，所述石英管(2)两侧分别设有对应的弧形盖板(3)，所述弧形盖板(3)内侧包覆有高温玻璃布(4)，所述弧形盖板(3)外侧顶部和顶部均通过螺栓固定安装有弧度安装板(5)。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管，包括安装座(1)、石英管(2)、弧形盖板(3)、连接杆(6)和液压推杆(7)，其特征在于，所述安装座(1)之间插设安装有石英管(2)，所述石英管(2)两侧分别设有对应的弧形盖板(3)，所述弧形盖板(3)内侧包覆有高温玻璃布(4)，所述弧形盖板(3)外侧顶部和顶部均通过螺栓固定安装有弧度安装板(5)。


2.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅晶体生长的热壁内外石英管，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：英浩，
申请(专利权)人：连云港保康石英制品有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32