影像感测器装置及其形成方法制造方法及图纸

揭示一种影像感测器装置及其形成方法。装置包括设置在半导体层的第一表面上方的多个像素。装置包括设置在第一表面上方的装置层。装置包括设置在装置层上方的多个金属化层。金属化层中的一者包括至少一个导电结构，金属化层中的此者比金属化层的其他者更接近第一表面。装置包括设置在半导体层的第二表面上方的氧化物层，第二表面与第一表面相对，氧化物层亦内衬于凹部，凹部延伸穿过半导体层。装置包括设置在凹部的多个内侧壁与氧化物层之间的间隔层。装置包括衬垫结构，衬垫结构延伸穿过氧化物层及装置层以与至少一个导电结构实体接触。接触。接触。

【技术实现步骤摘要】
影像感测器装置及其形成方法


[0001]本揭示内容是关于一种影像感测器装置以及一种形成影像感测器装置的方法。

技术介绍

[0002]本揭示大体上是关于半导体装置，且特定言之，是关于影像感测器装置及其形成方法。
[0003]半导体影像感测器用于感测入射的可见或不可见辐射，诸如可见光、红外光等。互补金属氧化物半导体(complementary metal
‑
oxide
‑
semiconductor，CMOS)影像感测器(CIS)及电荷耦合装置(charge
‑
coupled device，CCD)感测器用于诸如数字静态相机、移动电话、平板电脑、护目镜等各种应用中。这些影像感测器利用像素阵列来吸收(例如感测)入射辐射，且将其转换为电信号。背照式(back side illuminated，BSI)影像感测器装置为影像感测器装置的一个实例。这些BSI影像感测器装置可操作以侦测来自其背表面的光。

技术实现思路

[0004]本揭示内容提供一种影像感测器装置。影像感测器装置包含半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种影像感测器装置，其特征在于，包含：具有一第一表面及一第二表面的一半导体层，该第二表面与该第一表面相对；一导电结构，设置在该第一表面上，其中一介电层设置在该导电结构与该第一表面之间；及一衬垫区域，包含自该第一表面至该第二表面延伸穿过该半导体层的一凹部，该衬垫区域包含：一间隔层，沿着该凹部的多个内侧壁延伸；一氧化物层，内衬于该间隔层上方的该凹部；及一衬垫结构，延伸穿过该氧化物层及该介电层以与该导电结构实体接触。2.根据权利要求1所述的影像感测器装置，其特征在于，该氧化物层的至少一部分与该介电层直接接触。3.根据权利要求1所述的影像感测器装置，其特征在于，进一步包含在该第一表面上方的多个辐射感测区域，所述多个辐射感测区域配置为用以吸收来自该第二表面的辐射。4.根据权利要求3所述的影像感测器装置，其特征在于，所述多个辐射感测区域形成由该衬垫区域横向围绕的一阵列。5.根据权利要求1所述的影像感测器装置，其特征在于，该间隔层与该氧化物层包括相同的聚乙基恶唑啉(PEOX)，但该间隔层具有比该氧化物层大的一蚀刻电阻率。6.一种影像感测器装置，其特征在于，包含：多个像素，设置在一半导体层的一第一表面上方；一装置层，设置在该第一表面上方；多个金属化层，设置在该装置层上方，其中所述多个金属化层中的一者包括至少一个导电结构，所述多个金属化层中的该者比所述多个金属化层的其他者更接近该第一表面；一氧化物层，设置在该半导体层的一第二表面上方，该第二表面与该第一表面相对，该氧化物层亦内衬于一凹部，该凹部...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖耕颍，董怀仁，宋至伟，陈柏仁，辜瑜倩，林玉珠，任啟中，吴彦柔，王诗贤，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：