具有增大的有效通道宽度的晶体管制造技术

本申请案涉及具有增大的有效通道宽度的晶体管。图像传感器包含形成在衬底材料中的光电二极管及耦合到所述光电二极管的晶体管。所述晶体管具有形成在所述衬底材料中的沟槽结构，放置在所述衬底材料上的隔离层及放置在所述隔离层上且延伸到所述沟槽结构中的栅极。所述沟槽结构在通道宽度平面上具有多边形横截面，所述多边形横截面界定所述衬底材料的至少四个侧壁部分，此促成在所述通道宽度平面中测量的有效通道宽度，其比所述晶体管的平面通道宽度更宽。宽度更宽。宽度更宽。

【技术实现步骤摘要】
具有增大的有效通道宽度的晶体管


[0001]本公开大体涉及图像传感器，且特定来说但非排他性地涉及用于图像传感器的源极跟随器及复位晶体管，及制造图像传感器的源极跟随器晶体管及行选择晶体管的方法。

技术介绍

[0002]图像传感器已经变得无处不在。其广泛应用于数码静态相机、蜂窝式电话、安全摄像头以及医疗、汽车及其它应用中。用于制造图像传感器的技术继续飞速发展。例如，高分辨率和低功耗的要求已促使这些装置进一步小型化且集成化。这些趋势也已促进像素计数增加。
[0003]在图像传感器中，随着像素计数增加，位线设置时间也归因于较高的位线负载而增加。为了维持高帧率操作，图像传感器源极跟随器晶体管的跨导(Gm)可通过缩短源极跟随器通道的长度及/或通过增加源极跟随器通道的宽度而增加。类似地，图像传感器行选择晶体管的跨导(Gm)可通过缩短行选择通道的长度及/或通过增加行选择通道的宽度而增加。但是，缩短源极跟随器通道长度及/或行选择通道长度可导致导致有害影响，例如短通道效应和非预期噪声(例如随机电报信号(RTS))。加宽源极跟随器通道宽度及/或行选择通道宽度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其包括：光电二极管，其形成在衬底材料中；及晶体管，其耦合到所述光电二极管，所述晶体管包括：沟槽结构，其形成在所述衬底材料中且在通道宽度平面中具有多边形横截面，所述多边形横截面界定所述衬底材料的至少四个侧壁部分；隔离层，其放置在所述衬底材料上，使得所述隔离层邻近所述沟槽结构的每一侧壁部分放置；及栅极，其放置在所述隔离层上且延伸到所述沟槽结构中，其中所述晶体管具有在所述通道宽度平面中测量的有效通道宽度，其比所述晶体管的平面通道宽度更宽。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每一侧壁部分具有在所述平面通道宽度中测量的侧壁尺寸，且所述有效通道宽度至少等于每一侧壁部分的所述侧壁尺寸的总和。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述至少四个侧壁部分中的两者具有相同的第一侧壁尺寸，且其中所述至少四个侧壁部分中的其它两者具有相同的第二侧壁尺寸。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述沟槽结构具有约0.150um到约0.200um的深度。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中多个所述至少四个侧壁部分相对于所述通道宽度平面中的所述衬底材料的背面或正面呈对角。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述至少四个侧壁部分包含底部侧壁部分，其大致平行于所述衬底材料的背面或正面。7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述底部侧壁部分具有约0.030um到约0.050um的宽度。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多边形横截面具有菱形形状。9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述沟槽结构在通道长度平面中具有多边形横截面。10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述晶体管为第一晶体管，且所述图像传感器进一步包含与所述第一晶体管电通信的第二晶体管，所述第二晶体管包括：第二沟槽结构，其形成在所述衬底材料中，在第二通道宽度平面中具有第二多边形横截面，所述第二多边形横截面界定所述衬底材料的至少四个第二侧壁部分；第二隔离层，其放置在所述衬底材料上，使得所述第二隔离层邻近所述第二沟槽结构的每一第二侧壁部分放置；及第二栅极，其放置在所述第二隔离层上且延伸到所述第二沟槽结构中，其中所述第二晶体管具有在所述第二通道宽度平面中测量的第二有效通道宽度，其比所述第二晶体管的第二平面通道宽度更宽。11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中所述第一晶体管是源极跟随器晶体管且所述第二晶体管是行选择晶体管。12.根据权利要求10所述的图像传感器，其中所述第一多边形横截面及所述第二多边形横截面具有菱形形状。13.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：文成烈，郑荣友，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：