CIS光电二极管及其制作方法技术

本申请书涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种CIS光电二极管及其制作方法。其中方法包括提供包括有第一导电类型外延层的CIS基底层；在第一导电类型外延层上，淀积形成掩模层；通过光刻刻蚀工艺，使得掩模层定义出光电二极管图案；根据光电二极管图案，刻蚀第一导电类型外延层，形成光电二极管深孔结构；光电二极管深孔结构，由第一导电类型外延层上表面向下延伸；通过掺杂外延工艺，在光电二极管深孔结构的表面，生长形成具有掺杂浓度梯度的光电二极管器件，使得光电二极管器件，填满光电二极管深孔结构。根据上述方法能够制作出本申请的光电二极管，使得本申请可以解决相关技术限制光电二极管感光度的问题。术限制光电二极管感光度的问题。术限制光电二极管感光度的问题。

【技术实现步骤摘要】
CIS光电二极管及其制作方法


[0001]本申请书涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种CIS(CMOS Image Sensor， CMOS图像传感器)光电二极管及其制作方法。

技术介绍

[0002]CMOS图像传感器，其核心结构为光电转换单元，该光电转换单元的核心器件为光电二极管。通常，图像传感器的光电转换单元包括多个呈阵列式排布的光电二极管，光电二极管能够将采集到的光子转变为电子，然后通过其他辅助电路结构将该电子转变为电信号，并进行输出。
[0003]相关技术中，在制作光电二极管时，通常先在外延层上通过光刻胶定义出光电二极管图案，在通过杂质离子注入工艺，基于该光电二极管图案形成光电二极管，隔离区隔离在相邻光电二极管之间。
[0004]但是，相关技术中光刻胶的深宽比，以及杂质离子注入的深度和浓度，均会限制所形成光电二极管的感光度。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种CIS光电二极管的制作方法，可以解决相关技术限制光电二极管感光度的问题。
[0006]为了解决
技术介绍
中相关技术存在的技术问题，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CIS光电二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供包括有第一导电类型外延层的CIS基底层；在所述第一导电类型外延层上，淀积形成掩模层；通过光刻刻蚀工艺，使得所述掩模层定义出光电二极管图案；根据所述光电二极管图案，刻蚀所述第一导电类型外延层，形成光电二极管深孔结构；所述光电二极管深孔结构，由所述第一导电类型外延层上表面向下延伸；通过掺杂外延工艺，在所述光电二极管深孔结构的表面，生长形成具有掺杂浓度梯度的光电二极管器件，使得所述光电二极管器件，填满所述光电二极管深孔结构。2.如权利要求1所述的CIS光电二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤：通过掺杂外延工艺，在所述光电二极管深孔结构的表面，生长形成具有掺杂浓度梯度的光电二极管器件，使得所述光电二极管器件，填满所述光电二极管深孔结构中：所形成所述光电二极管器件的掺杂浓度，由外向内逐渐增高。3.如权利要求1所述的CIS光电二极管的制作方法，其特征在于，在所述步骤：通过掺杂外延工艺，在形成有所述光电二极管深孔结构的器件表面，逐层生长形成具有掺杂浓度梯度的光电二极管器件，使得所述光电二极管器件，填满所述光电二极管深孔结构之后，还进行：进行化学机械研磨工艺，使得器件表面平坦化；刻蚀去除所述掩模层。4.如权利要求3所述的CIS光电二极管的制作方法，其特征在于，在所述步骤：刻蚀去除所述掩模层完成后，所述光电二极管器件超出器件表面，再进行以下步骤：通过化学机械研磨工艺，去除超出器件表面的部分光电二极管器件，使得器件表面平坦化。5.如权利要求1至4中任一项所述的CIS光电二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤：通过掺杂外延工艺，在形成有所述光电二极管深孔结构的器件表面，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳龙，黄鹏，范晓，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：