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本申请书涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种CIS光电二极管及其制作方法。其中方法包括提供包括有第一导电类型外延层的CIS基底层；在第一导电类型外延层上，淀积形成掩模层；通过光刻刻蚀工艺，使得掩模层定义出光电二极管图案；根据光电二极管图...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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