图像传感器及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种图像传感器及其制作方法、显示装置，属于传感器技术领域。图像传感器包括：衬底；位于所述衬底上的第一光电二极管和第二光电二极管，所述第一光电二极管包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的第一半导体结构，所述第二光电二极管包括第三电极、第四电极和位于第三电极与第四电极之间的第二半导体结构，所述第一电极与所述第三电极连接，所述第二电极与所述第四电极连接；开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管的源极或漏极与所述第二电极或所述第一电极连接；电容，所述电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第一电极连接，所述第二极板与所述第二电极连接。本发明专利技术能够提高图像传感器的检测精度。的检测精度。的检测精度。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制作方法、显示装置


[0001]本专利技术涉及传感器
，特别是指一种图像传感器及其制作方法、显示装置。

技术介绍

[0002]现有图像传感器利用光电二极管对光线进行检测，光电二极管是一种将接收到的光信号转换成电信号的半导体器件，但光电二极管产生的电信号的强度较小，影响了检测精度。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是提供一种图像传感器及其制作方法、显示装置，能够提高图像传感器的检测精度。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：
[0005]一方面，提供一种图像传感器，包括：
[0006]衬底；
[0007]位于所述衬底上的第一光电二极管和第二光电二极管，所述第一光电二极管包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的第一半导体结构，所述第二光电二极管包括第三电极、第四电极和位于第三电极与第四电极之间的第二半导体结构，所述第一电极与所述第三电极连接，所述第二电极与所述第四电极连接；
[0008]开关薄膜晶体管，所述开关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的第一光电二极管和第二光电二极管，所述第一光电二极管包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的第一半导体结构，所述第二光电二极管包括第三电极、第四电极和位于第三电极与第四电极之间的第二半导体结构，所述第一电极与所述第三电极连接，所述第二电极与所述第四电极连接；开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管的源极或漏极与所述第二电极或所述第一电极连接；电容，所述电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第一电极连接，所述第二极板与所述第二电极连接。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二电极与所述第四电极为一体结构，和/或，所述第一电极与所述第三电极为一体结构。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一半导体结构包括:第一N型低温多晶硅层、第一P型非晶硅层、位于所述第一N型低温多晶硅层和所述第一P型非晶硅层之间的第一本征非晶硅层；所述第二半导体结构包括:第二N型低温多晶硅层、第二P型低温多晶硅层、位于所述第二N型低温多晶硅层和所述第二P型低温多晶硅层之间的第二本征低温多晶硅层。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第一N型低温多晶硅层复用为所述第二N型低温多晶硅层。5.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第二N型低温多晶硅层、所述第二P型低温多晶硅层、所述第二本征低温多晶硅层位于同一层；所述第一N型低温多晶硅层、所述第一本征非晶硅层、所述第一P型非晶硅层沿远离所述衬底的方向依次层叠。6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述第二电极位于所述第一P型非晶硅层远离所述衬底的一侧，所述第二电极在所述衬底上的正投影与所述第一P型非晶硅层在所述衬底上的正投影至少部分重叠，所述第二电极为透明电极。7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述第二电极在所述衬底上的正投影与所述第一P型非晶硅层在所述衬底上的正投影重合。8.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第二本征低温多晶硅层在所述衬底上的正投影与所述第一本征非晶硅层在所述衬底上的正投影部分重合或不重合。9.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一光电二极管与所述第二光电二极管的吸收波段不同。10.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：