离子植入机毒性气体输送系统及其输送方法技术方案

本揭露提供一种离子植入机毒性气体输送系统及其输送方法。离子植入系统包括离子植入机、掺杂剂源气体供应系统以及监控系统。离子植入机位于机壳内，且包括离子源单元。掺杂剂源气体供应系统包括位于气体机壳外的第一及第二掺杂剂源气体储存缸，配置为向离子源单元提供掺杂剂源气体，且第一及第二掺杂剂源气体供应管分别与第一及第二掺杂剂源气体储存缸耦接。第一及第二掺杂剂源气体供应管皆包括内管及包围内管的外管。监控系统与分别第一及第二掺杂剂源气体供应管的外管耦接。二掺杂剂源气体供应管的外管耦接。二掺杂剂源气体供应管的外管耦接。

【技术实现步骤摘要】
离子植入机毒性气体输送系统及其输送方法


[0001]本揭示案是关于一种离子植入机毒性气体输送系统及其输送方法。

技术介绍

[0002]离子植入为通过以激发态离子直接撞击基板以将化学物质引入基板的流程。在半导体制造中，通常用离子植入将掺杂剂引入半导体晶圆中，以改变半导体晶片的电子特性。
[0003]离子植入于离子植入机中进行。离子植入机通常包含源弧腔室(source arc chamber)，其中放电与气体相互作用以产生各种离子种类的电浆，包括欲撞击目标所需离子种类，此目标例如半导体晶圆上的目标区域。离子种类为由源弧腔室中提取，并过滤以取得所需的离子种类。所需的离子种类被进一步加速，并定向至目标以植入。

技术实现思路

[0004]根据本揭示案的态样，一种离子植入系统，包括离子植入机、掺杂剂源气体供应系统及监控系统。离子植入机，位于外壳中，离子植入机包括离子源单元。掺杂剂源气体供应系统包括第一掺杂剂源气体储存缸、第二掺杂剂源气体储存缸、第一掺杂剂源气体供应管及第二掺杂剂源气体供应管。第一掺杂剂源气体储存缸及第二掺杂剂源气体储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子植入系统，其特征在于，包括：一离子植入机，位于一外壳中，该离子植入机包括一离子源单元；一掺杂剂源气体供应系统，包括：一第一掺杂剂源气体储存缸及一第二掺杂剂源气体储存缸，位于该外壳之外的一气体机壳中，且配置为向该离子源单元供应一掺杂源气体；以及一第一掺杂剂源气体供应管及一第二掺杂剂源气体供应管，分别耦接于该第一掺杂剂源气体储存缸及该第二掺杂剂源气体储存缸，且该第一掺杂剂源气体供应管及该第二掺杂剂源气体供应管分别包含一内管及包围该内管的一外管；以及一监控系统，耦接于该第一掺杂剂源气体供应管的该外管及该第二掺杂剂源气体供应管的该外管，且配置为监控该第一掺杂剂源气体供应管及该第二掺杂剂源气体供应管的一渗漏。2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于，其中该第一掺杂剂源气体供应管的该外管及该第二掺杂剂源气体供应管的该外管各具有一出口端，所述出口端配置为将相应的掺杂剂源气体管耦接至该监控系统。3.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于，其中该监控系统包括：一第一压力感测器，耦接于该第一掺杂剂源气体供应管；一第二压力感测器，耦接于该第二掺杂剂源气体供应管；以及一气体感测器及一真空泵浦，耦接于该第一压力感测器及该第二压力感测器。4.根据权利要求3所述的离子植入系统，其特征在于，其中该真空泵浦通过一排气分歧管耦接于该第一掺杂剂源气体储存缸及该第二掺杂剂源气体储存缸。5.一种离子植入系统，其特征在于，包括：一离子植入机，位于一外壳中，该离子植入机包括一离子源单元；一掺杂剂源气体供应系统，包括：多个掺杂剂源气体储存缸，位于与该外壳分离的一气体机壳中，且所述多个掺杂剂源气体储存缸包括：所述多个掺杂剂源气体储存缸的一第一套组，用于供应一第一掺杂剂源气体至该离子源单元；以及所述多个掺杂剂源气体储存缸的一第二套组，用于供应一第二掺杂剂源气体至该离子源单元；以及多个掺杂剂源气体供应管，配置为将...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒙英傑，彭垂亚，林诗豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：