在半导体工艺期间对等离子体放电进行辨认和寻址的方法技术

一种用于对等离子体放电进行辨认和寻址的方法。一种等离子体放电探测系统探测半导体工艺腔室内的不期望的等离子体放电事件。等离子体放电探测系统包括位于半导体工艺腔室周围的一个或多个相机。相机从半导体工艺腔室内拍摄图像。等离子体放电探测系统包括从相机接收图像的控制系统。控制系统对图像进行分析并基于图像探测半导体工艺腔室内的等离子体放电。控制系统可响应于探测到等离子体放电而实时调整半导体工艺。本公开可使半导体晶片及其集成电路中产生更好的均匀性。集成电路中产生更好的均匀性。集成电路中产生更好的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
在半导体工艺期间对等离子体放电进行辨认和寻址的方法


[0001]本公开涉及半导体处理的领域。本公开更具体来说涉及一种在半导体工艺期间对等离子体放电进行辨认和寻址的方法以探测异常等离子体放电。

技术介绍

[0002]集成电路的制作通常通过对半导体晶片执行大量处理步骤来完成。处理步骤通常导致结合半导体衬底以高度复杂的排列形成大量晶体管。处理步骤还导致形成介电层、金属内连、通孔、插塞及其他集成电路结构及组件。
[0003]许多半导体工艺利用等离子体。在基于等离子体的半导体工艺期间，可能会在处理环境内发生不期望的等离子体放电。不期望的等离子体放电可包括电弧(arcing)、电晕放电(corona discharge)或火花(spark)。不期望的等离子体放电可能对半导体工艺产生负面影响且甚至可能直接损坏半导体晶片。结果是可能需要丢弃受影响的半导体晶片。

技术实现思路

[0004]本公开实施例的一种用于对等离子体放电进行辨认和寻址的方法，包括：由一个或多个相机108拍摄半导体工艺腔室102的图像；由控制系统110对所述图像进行处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于对等离子体放电进行辨认和寻址的方法，包括：由一个或多个相机拍摄半导体工艺腔室的图像；由控制系统对...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志佑，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：