【技术实现步骤摘要】
一种用于化学机械研磨的研磨垫及其制备方法
[0001]本专利技术涉及半导体
,具体来说是一种用于化学机械研磨的研磨垫及其制备方法。
技术介绍
[0002]化学机械抛光技术是通过将磨粒的机械研磨与氧化剂的化学作用有机结合,用化学腐蚀和机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平滑处理,完成对抛光件表面化学反应物的去除,获得光洁表面来实现超精密无损伤表面加工,满足电路在0.35μm下的平整要求,主要用于超精密表面(如硅晶片、微型集成电路、存储器等)的加工。
[0003]抛光垫的使用方法为:将硅片固定在抛光头的最下面,将抛光垫放置在研磨盘上,抛光时,旋转的拋光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上,由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动,然后研磨液在抛光垫的传输和离心力的作用下,均匀分布其上,在硅片和抛光垫之间形成一层研磨液液体薄膜。此时研磨液中的化学成分与硅片表面材料产生化学反应,将不溶的物质转化为易溶物质,或者将硬度高的物质进行软化,然后通过磨粒的微机械摩擦作用将这些化学反应物从硅片表面去除,溶入流动的液体中带走,即在化学去膜和机械去膜的交替过程中实现平坦化的目的。
[0004]抛光垫是化学机械抛光系统的重要组成部分,抛光垫的材料性能和结构直接影响着抛光垫的性能,主要体现在抛光垫材料、转速、磨粒含量、密度及厚度,这些参数均影响着化学机械抛光过程及加工效果。
[0005]半导体抛光垫是集成电路和超大规模集成电路中对基体材料硅晶片的抛光原件,现阶段主要基材为聚氨酯弹性体
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于化学机械研磨的研磨垫,其特征在于,由如下重量份数的原料制成:聚亚安酯预聚物树脂50
‑
90份;多元醇30
‑
70份;二异氰酸酯20
‑
50份;填料1
‑
15份;固化剂5
‑
30份。2.根据权利要求1所述的一种用于化学机械研磨的研磨垫,其特征在于,所述聚亚安酯预聚物树脂由如下重量份数的原料制成:多亚甲基多苯基多异氰酸酯17
‑
30份;二苯基甲烷
‑
4,4'
‑
二异氰酸酯13
‑
26份;异氰酸聚亚甲基聚亚苯基酯与α
‑
氢
‑
ω
‑
羟基聚32
‑
42份。3.根据权利要求1所述的一种用于化学机械研磨的研磨垫,其特征在于,所述二异氰酸酯选自亚甲基双
‑
4,4'
‑
环己基二异氰酸酯、环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、己二异氰酸酯、亚丙基
‑
1,2
‑
二异氰酸酯、四亚甲基
‑
1,4
‑
二异氰酸酯、1,6
‑
己二异氰酸酯、十二烷
‑
1,12
‑
二异氰酸酯、环丁烷
‑
1,3
‑
二异氰酸酯、环已烷
‑
1,3
‑
二异氰酸酯、环已烷
‑
1,4
‑
二异氰酸酯、1
‑
异氰酸酯基
‑
3,3,5
‑
三甲基
‑5‑
异氰酸酯基甲基环已烷、甲基环已烯二异氰酸酯、己二异氰酸酯的三异氰酸酯、2,4,4
‑
三甲基
‑
1,6
‑
己烷二异氰酸酯的三异氰酸酯、乙二异氰酸酯、2,2,4
‑
三甲基己二异氰酸酯、2,2,4
‑
三甲基己二异氰酸酯、二环己基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷二异氰酸酯、粗MDI、脲二酮改性的MDI、碳二亚胺改性的MDI中的一种或多种的混合物。4.根据权利要求1所述的一种用于化学机械研磨的研磨垫,其特征在于,所述填料为玻璃微珠或聚合物微珠。5.根据权利要求1所述的一种用于化学机械...
【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ七四专利代理机构,
申请(专利权)人:普利英重庆创新科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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