封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种封装结构，包括：硅衬底，间隔设有若干通孔；隔离介质，设于硅衬底的上表面、硅衬底的下表面和通孔的内侧面；扩散阻挡层，设于通孔内，扩散阻挡层覆盖隔离介质；第一籽晶层，覆盖扩散阻挡层；导电层覆盖第一籽晶层且隔离介质、扩散阻挡层、第一籽晶层和导电层依次层叠将若干通孔填充，本发明专利技术通过将芯片与若干所述通孔内的导电层一端都电连接，将基板与若干所述通孔内的导电层的另一端都电连接，从而所述基板和所述芯片通过若干所述通孔内的导电层并联的方式实现连接，当其中一个所述通孔内线路出现短路或损坏，其他所述通孔内线路仍然可以传递信号，从而增加了封装结构的可靠性。另外，本发明专利技术还提供了封装结构的制造方法。造方法。造方法。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种封装结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路工艺技术的高速发展，微电子封装技术逐渐成为制约半导体技术发展的主要因素。为了实现电子封装的高密度化，获得更优越的性能和更低的总体成本，技术人员研究出一系列先进的封装技术。
[0003]其中三维封装技术具有良好的电学性能以及较高的可靠性，同时能实现较高的封装密度，被广泛应用于各种高速电路以及小型化系统中。硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新技术，通过在硅圆片上制作出若干垂直互连TSV结构来实现不同芯片之间的电互连。TSV技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，是目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。
[0004]然而目前的TSV结构仍然存在着可靠性问题，比如当垂直互连上下两个芯片的TSV结构出现断裂或开路，从而导致上下两个芯片之间的通信出现中断。由于TSV结构嵌在硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构,其特征在于，包括：硅衬底，所述硅衬底间隔设有若干通孔；隔离介质，设于所述硅衬底的上表面、所述硅衬底的下表面和所述通孔的内侧面；扩散阻挡层，设于所述通孔内，所述扩散阻挡层覆盖所述隔离介质；第一籽晶层，设于所述通孔内，且覆盖所述扩散阻挡层；导电层，覆盖所述第一籽晶层，且所述隔离介质、所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层依次层叠将若干所述通孔填充；芯片，与若干所述通孔内的所述导电层的一端均电连接；基板，与若干所述通孔内的所述导电层的另一端均电连接。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：还包括限流单元，所述限流单元设于所述基板，且所述导电层的另一端通过所述限流单元与所述基板电连接。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于：还包括第一粘附层、第二籽晶层和第一金属凸部；所述第一粘附层设于若干所述通孔的一端，且覆盖所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层；所述第二籽晶层设于若干所述第一粘附层；所述第一金属凸部设于所述第二籽晶层，所述第一粘附层、所述第二籽晶层和所述第一金属凸部依次层叠形成若干上凸台；所述芯片设于若干所述上凸台。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于：还包括第二粘附层、第三籽晶层和第二金属凸部；所述第二粘附层与所述第一粘附层分别位于所述硅衬底的两侧边，且所述第二粘附层覆盖若干所述通孔的另一端的所述扩散阻挡层、所述第一籽晶层和所述导电层；所述第三籽晶层设于若干所述第二粘附层；所述第二金属凸部设于所述第三籽晶层，所述第二粘附层、所述第三籽晶层和所述第二金属凸部依次层叠形成若干下凸台；所述限流单元设于若干所述下凸台，所述限流单元分别与若干所述下凸台和所述基板电连接。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于：所述第二粘附层设有第一凹部，所述第三籽晶层一侧面设有与所述第一凹部适配的第一凸部，所述第三籽晶层另一侧面设有第二凹部，所述第二金属凸部设有与所述第二凹部适配的第二凸部。6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈琳，朱宝，孙清清，张卫，
申请(专利权)人：上海集成电路制造创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：