一种5G专用基站天线小型化保护芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种5G专用基站天线小型化保护芯片，其特征在于，包括两枚叠层设置的电源芯片、两条引线条带、塑封体；所述电源芯片分别具有正面电极和背面电极；所述电源芯片之间设置有铜烧结层；所述引线条带的一端与所述电源芯片电连接，另一端为引脚；所述塑封体包覆电源芯片和引线条带；所述引脚露出于所述塑封体的两侧，向塑封体的底部方向弯折并且向内弯折。本实用新型专利技术本实用新型专利技术将两块电源芯片串联连接，使其工作时的额定功率增加至单一电源芯片的两倍；本实用新型专利技术的封装结构减小了封装体积，降低了电源芯片之间的连接电阻，减少了能量损耗。了能量损耗。了能量损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种5G专用基站天线小型化保护芯片


[0001]本技术涉及半导体
，具体为一种5G专用基站天线小型化保护芯片。

技术介绍

[0002]通信业的迅速发展极大的推动了通信电源的发展。高频小型化的开关电源及其技术已成为现代通信供电系统的主流，相应的电源芯片的模块化集成也是一个重点。现有技术中，不同规格的电源芯片中，额定电压越大者，通常其额定电流越小，因此输出额定功率不变；而在额定功率不能满足实际使用需求时，有时需要将两枚额定电压相同的电源芯片并联或者将两枚额定电流相同的电源芯片串联，以提升其总输出额定功率。在封装结构之外进行电连接占用空间较大，同时连接电阻也较大，因此能耗会相应提升。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于通过在一个封装结构内将两枚电源芯片串联并封装，降低连接电阻，使额定功率提升至单一电源芯片的两倍，以解决以上技术问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供了一种5G专用基站天线小型化保护芯片，包括第一电源芯片、第二电源芯片、第一引线条带、第二引线条带、塑封体；
[0005]所述第一电源芯片、第二电源芯片分别具有正面电极和背面电极；所述第二电源芯片设置在第一电源芯片的上方；
[0006]所述第一电源芯片与所述第二电源芯片之间设置有铜烧结层；所述第一电源芯片的正面电极通过铜烧结层与第二电源芯片的背面电极电连接；设置铜烧结层的目的在于降低电连接的电阻，同时获取更佳的耐热性能；
[0007]所述第一引线条带的一端与第一电源芯片的背面电极电连接；所述第一引线条带的另一端为第一引脚；所述第二引线条带的一端与第二电源芯片的正面电极电连接；所述第二引线条带的另一端为第二引脚；
[0008]所述塑封体包覆第一电源芯片、第二电源芯片、第一引线条带、第二引线条带；所述第一引脚、第二引脚分别露出于所述塑封体的两侧；
[0009]所述第一引脚、第二引脚向塑封体的底部方向弯折并且向内弯折，使所述第一引脚、第二引脚的末端在所述塑封体的底部分别形成面积较大的电极，其目的在于使所述5G专用基站天线小型化保护芯片与其他结构的电连接更便利、连接电阻更小。
[0010]进一步地，所述铜烧结层包括金属铜层和设置在金属铜层两侧的焊料金属层。
[0011]进一步地，所述第一引线条带位于塑封体内部的一端、所述第二引线条带位于塑封体内部的一端分别具有凸起；该凸起用于降低电连接的电阻，同时增强电连接部位的耐热性能。
[0012]与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：
[0013]1、本技术将两块电源芯片串联连接，使其工作时的额定功率增加至单一电源芯片的两倍。
[0014]2、本技术的封装结构减小了封装体积，降低了电源芯片之间的连接电阻，减少了能量损耗。
附图说明
[0015]图1为本技术实施例的结构示意图；
[0016]图2A至图2E为本技术实施例的预焊流程示意图；
[0017]图3A至图3F为本技术实施例的封装流程示意图。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]图1示出了本技术实施例的结构,包括第一电源芯片1、第二电源芯片2、第一引线条带3、第二引线条带4、塑封体5；
[0020]第一电源芯片1具有第一正面电极11和第一背面电极12；第二电源芯片2具有第二正面电极21和第二背面电极22；第二电源芯片2设置在第一电源芯片1的上方；
[0021]第一电源芯片1与第二电源芯片2之间设置有铜烧结层；铜烧结层包括金属铜层62和设置在金属铜层两侧的第一焊料金属层61和第二焊料金属层63；第一正面电极11依次通过第一焊料金属层61、金属铜层62、第二焊料金属层63与第二背面电极22电连接；
[0022]第一引线条带3的一端具有第一凸起32；第一凸起32通过第三焊料金属层33与第一背面电极12电连接；第一引线条带3的另一端为第一引脚31；第二引线条带4的一端具有第二凸起42；第二凸起42通过第四焊料金属层43与第二正面电极21电连接；第二引线条带4的另一端为第二引脚41；
[0023]塑封体5包覆第一电源芯片1、第二电源芯片2、第一引线条带3、第二引线条带4；第一引脚31、第二引脚41分别露出于塑封体5的左侧和右侧；
[0024]第一引脚31、第二引脚41分别向塑封体5的底部方向弯折并向内弯折；第一引脚31、第二引脚32的末端位于塑封体5的底部表面之下。
[0025]图2A至图2E示出了本技术实施例的预焊流程，包括如下步骤：
[0026]步骤S1，如图2A所示，提供第一电源芯片1，第一电源芯片1具有第一正面电极11和第一背面电极12；在第一正面电极11上印刷第一锡膏层611；
[0027]步骤S2，如图2B所示，拾取铜粒设置在第一锡膏层611上形成铜粒层621；
[0028]步骤S3，如图2C所示，在铜粒层621上印刷第二锡膏层631；
[0029]步骤S4，如图2D所示，拾取第二电源芯片2设置在第二锡膏层631上，使第二背面电极22与第二锡膏层631贴合；
[0030]步骤S5，如图2E所示，烧结后，得到预焊组装体7，烧结后第一锡膏层611、铜粒层621、第二锡膏层631分别形成第一焊料金属层61、金属铜层62、第二焊料金属层63。
[0031]图3A至图3F示出了本技术实施例的封装流程，包括如下步骤：
[0032]步骤S6，如图3A所示，提供第一引线条带3，第一引线条带3的一端具有第一凸起
32，另一端为第一引脚31；在第一凸起32上印刷第三锡膏层331；
[0033]步骤S7，类似地，在二引线条带4的第二凸起42上印刷第四锡膏层431；
[0034]步骤S8，如图3B所示，拾取预焊组装体7设置在第三锡膏层331上，使第一背面电极12与第三锡膏层331相贴合；
[0035]步骤S9，如图3C所示，将印刷有第四锡膏层431的第二引线条带4设置在预焊组装体7上，使第二正面电极21与第四锡膏层431相贴合，并且使第二引脚41朝向与第一引脚31相反的方向；
[0036]步骤S10，如图3D所示，烧结后，第三锡膏层331、第四锡膏层431分别形成第三焊料金属层33、第四焊料金属层43；
[0037]步骤S11，如图3E所示，通过例如树脂、塑料或其他绝缘材料的塑封材料将第一引线条带3的一端、预焊组装体7、第二引线条带4的一端封装在塑封体5的内部；第一引脚31和第二引脚41分别露出于塑封体5的左侧和右侧；
[0038]步骤S12，如图3F所示，将第一引脚3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种5G专用基站天线小型化保护芯片，其特征在于，包括第一电源芯片、第二电源芯片、第一引线条带、第二引线条带、塑封体；所述第一电源芯片、第二电源芯片分别具有正面电极和背面电极；所述第二电源芯片设置在第一电源芯片的上方；所述第一电源芯片与所述第二电源芯片之间设置有铜烧结层；所述第一电源芯片的正面电极通过铜烧结层与第二电源芯片的背面电极电连接；所述第一引线条带的一端与第一电源芯片的背面电极电连接；所述第一引线条带的另一端为第一引脚；所述第二引线条带的一端与第二电源芯片的正面电极电连接；所述第二引...

【专利技术属性】
技术研发人员：李怀东，
申请(专利权)人：上海翊威半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：