高密度三维可编程存储器的制备方法技术

高密度三维可编程存储器的制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明专利技术包括下述步骤：1)形成基础结构体；2)对基础结构体开槽；3)在分割槽的内壁逐层设置预设的存储器结构所需的各存储介质层；4)在分割槽中填充核心介质，形成核心介质层；5)采用掩膜下刻蚀工艺，沿填充有核心介质的分割槽刻蚀深孔，由深孔截断分割槽中的核心介质；6)在深孔中填充绝缘介质。本发明专利技术成本低，可以取得最高的存储密度。可以取得最高的存储密度。可以取得最高的存储密度。

【技术实现步骤摘要】
高密度三维可编程存储器的制备方法


[0001]本专利技术涉及存储器的制备技术。

技术介绍

[0002]现有技术包括可擦除可编程只读存储器(EPROM)，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，闪存，NAND
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快闪存储器，硬磁盘、光盘(CD)、数字通用光盘(DVD)，蓝光光盘协会注册的蓝光光盘等在内的各种数字存储技术，50余年来已经广泛用于数据存储。然而，存储介质的寿命通常小于5年到10年。针对大数据存储而开发的反熔丝存储技术，因其非常昂贵且存储密度低，不能满足海量数据存储的需求。
[0003]中国专利申请201811117240.4公开了一种三维可编程存储器的制备方法，其步骤包括：
[0004]1)形成基础结构体：以导电介质层和绝缘介质层交错重叠的方式，设置预定层数的导电介质层和绝缘介质层，形成基础结构体；
[0005]2)对基层结构体开槽：在基础结构体上至少开设3条自顶层到底层贯穿的并列的条形槽，各隔离槽相互独立，相邻两个条形槽的邻边为条形槽的长边；
[0006]3)在条形槽的内壁逐层设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高密度三维可编程存储器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：1)形成基础结构体：以导电介质层和绝缘介质层交错重叠的方式，设置预定层数的导电介质层和绝缘介质层，形成基础结构体；2)对基础结构体开槽：在基础结构体上开设一道自顶层到底层贯穿的曲线状分割槽，由此分割槽将基础结构体分割为两个交错且相互分离的指叉结构；3)在分割槽的内壁逐层设置预设的存储器结构所需的各存储介质层；4)在分割槽中填充核心介质，形成核心介质层；5)采用掩膜下刻蚀工艺，沿填充有核心介质的分割槽刻蚀深孔，由深孔截断分割槽中的核心介质，形成由各个沿分割槽的走向分布且彼此独立的预定数量的核心介质块；每一核心介质块仍然通过存储介质层与两个指叉结构连接；6)在步骤5)刻蚀出的深孔中填充绝缘介质。2.如权利要求1所述的高密度三维可编程存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，预设存储器结构为下述结构之一：PN结型半导体存储器结构、肖特基半导体存储器结构、阻变存储器结构、磁变存储器结构、相变存储器结构、铁电存储器结构。3.如权利要求1所述的高密度三维可编程存储器的制备方法，其特征在于，所述预设存储器结构为预设存储器结构为PN结型半导体存储器结构，其包括P型导电区、N型导电区和设置于二者之间的绝缘介质区；导电介质层为P型半导体，核心介质为N型半导体；或者，导电介质层为N型半导体，核心介质层为P型半导体；所述步骤3)包括：3.1在分割槽内设置绝缘层。4.如权利要求1所述的高密度三维可编程存储器的制备方法，其特征在于，预设存储器结构为肖特基型二极管存储器结构，其包括半导体导电区、金属导电区和设置于二者之间的绝缘介质区；导电介质层为形成肖特基二极管结构所需的半导体，核心介质为形成肖特基二极管结构所需的金属；或者，导电介质层为形成肖特基二极管结构所需的金属，核心介质层为形成肖特基二极管结构所需的半导体；所述步骤3)包括：3.1在分割槽内设置绝缘层。5.如权利要求1所述的高密度三维可编程存储器的制备方法，其特征在于，预设存储器结构为记忆介质存...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭泽忠，
申请(专利权)人：成都皮兆永存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：