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高密度三维可编程存储器的制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明包括下述步骤：1)形成基础结构体；2)对基础结构体开槽；3)在分割槽的内壁逐层设置预设的存储器结构所需的各存储介质层；4)在分割槽中填充核心介质，形成核心介质层；5)采用掩膜下刻...
该专利属于成都皮兆永存科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都皮兆永存科技有限公司授权不得商用。

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