本发明专利技术公开一种半导体发光元件，包含一半导体堆叠，具有一第一半导体层，一第二半导体层以及一主动层；多个第一沟槽穿过第二半导体层及主动层以露出第一半导体层的部分上表面；一第二沟槽穿过第二半导体层及主动层以露出第一半导体层的另一部分上表面及一周围侧表面，其中第二沟槽位于主动层的一最外侧，并环绕主动层及多个第一沟槽；一第一金属区域位于第二半导体层上并与第二半导体层电连接，一第二金属区域位于第二半导体层上，并填入多个第一沟槽之一内及第二沟槽内，第二金属区域经由多个第一沟槽之一及该第二沟槽与第一半导体层电连接；以及一第一焊接部和一第二焊接部位于第二半导体层上，并分别电连接至第二半导体层和第一半导体层。层和第一半导体层。层和第一半导体层。
【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件
[0001]本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201710828987.X，申请日：2017年09月14日，专利技术名称：半导体发光元件)的分案申请。
[0002]本专利技术涉及一种半导体发光元件的结构。
技术介绍
[0003]发光二极管(Light
‑
emitting Diode；LED)目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。如图2所示，现有的LED具有一n型半导体层1104、一主动层1106与一p型半导体层1108依序形成于一基板1102之上，部分p型半导体层1108与主动层1106被移除以曝露部分n型半导体层1104，一p型电极a1与一n型电极a2分别形成于p型半导体层1108与n型半导体层1104之上。因为n型电极a2需要足够的面积以利后续制作工艺进行，例如打线，所以大部分的主动层1106被移除，导致发光效率降低。
[0004]此外，上述的LED还可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light
‑
emitting apparatus)。图1为现有的发光装置结构示意图，如图1所示，一发光装置1200包含一具有至少一电路1204的次载体(sub
‑
mount)1202；至少一焊料1206(solder)位于上述次载体1202上，通过此焊料1206将上述LED 1210粘结固定于次载体1202上并使LED 1210的基板1212与次载体1202上的电路1204形成电连接；以及，一电连接结构1208，以电连接LED 1210的电极1214与次载体1202上的电路1204；其中，上述的次载体1202可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以便发光装置的电路规划并提高其散热效果。
技术实现思路
[0005]一种半导体发光元件，包含一半导体堆叠，包含一第一半导体层，一第二半导体层，以及一主动层位于第一半导体层和第二半导体层之间；多个第一沟槽，穿过第二半导体层和主动层以裸露第一半导体层的一部分上表面；一第二沟槽，穿过第二半导体层和主动层以裸露第一半导体层的一另一部分上表面及一周围侧表面，其中第二沟槽位于主动层的一最外侧，并环绕主动层及多个第一沟槽；一第一金属区域位于第二半导体层上并与第二半导体层电连接；一第二金属区域位于第二半导体层上，并填入于多个第一沟槽的一个内及第二沟槽内，其中第二金属区域电性隔离于第一金属区域，第二金属区域经由多个第一沟槽的一个及经由第二沟槽与第一半导体层电连接；一第一焊接部，位于第二半导体层上，并电连接至第一金属区域；以及一第二焊接部，位于第二半导体层上，并电连接至第二金属区域。
[0006]一种半导体发光元件，包含一半导体堆叠，包含一第一半导体层，一第二半导体层，以及一主动层位于第一半导体层和第二半导体层之间；多个第一沟槽，穿过第二半导体
层和主动层以裸露第一半导体层的一部分上表面；一第二沟槽，穿过第二半导体层和主动层以裸露第一半导体层的一另一部分上表面及一周围侧表面，其中第二沟槽位于主动层的一最外侧，并环绕主动层及多个第一沟槽；一图案化金属层，位于第二半导体层上，并填入于多个第一沟槽的一个内及第二沟槽内，其中图案化金属层经由多个第一沟槽的一个及经由第二沟槽与该第一半导体层电连接；一第一焊接部，位于第二半导体层上，并电连接至第二半导体层；一第二焊接部，位于第二半导体层上，并电连接至第一半导体层；以及一绝缘层，位于图案化金属层及第一焊接部之间，及/或位于图案化金属层及第二焊接部之间，其中绝缘层包含多个开口，第一焊接部通过多个开口以电连接至第二半导体层，及/或第二焊接部通过多个开口以电连接至该第一半导体层。
附图说明
[0007]图1为现有的发光装置结构示意图；
[0008]图2为现有的LED的剖视图；
[0009]图3A～图10B为本专利技术一实施例的半导体发光元件V的制造方法的示意图；
[0010]图11为本专利技术一实施例的半导体发光元件V的上视图；
[0011]图12为图11沿着C
‑
C'的半导体发光元件V的剖视图；
[0012]图13为图11沿着D
‑
D'的半导体发光元件V的剖视图；
[0013]图14A～图14B及图15A～图21C为本专利技术一实施例的半导体发光元件T的制造方法的示意图；
[0014]图14C～图14D为本专利技术另一实施例的沟槽的上视图；以及
[0015]图22为依本专利技术另一实施例的结构示意图。
[0016]符号说明
[0017]Ⅴ
，T，608 半导体发光元件
[0018]100，t100，t100'，t100
”ꢀ
半导体堆叠
[0019]101，t101 第一半导体层
[0020]102，t102 第二半导体层
[0021]103，t103 主动层
[0022]110，t110 基板
[0023]120 通孔
[0024]t120a，t120a'，t120a
”ꢀ
第一沟槽
[0025]t120b，t120b'，t120b
”ꢀ
第二沟槽
[0026]200，t200 金属层
[0027]t200a 第一金属区域
[0028]t200b 第二金属区域
[0029]t200a1，t200a2，t200a3 次区域
[0030]300，t300 透明导电结构
[0031]310，t310 反射层
[0032]320 阻挡层
[0033]400，t400 第一焊接部
[0034]500，t500 第二焊接部
[0035]700，t700 第二绝缘层
[0036]800，t800 第三绝缘层
[0037]t800a 第一绝缘区域
[0038]1000，t1000 半导体结构
[0039]t1000uS 上表面
[0040]1011 外围
[0041]1011S 周围表面
[0042]t1011S 周围侧表面
[0043]1012S，t1012S 表面
[0044]1021，t1021S 斜侧壁
[0045]1200 环绕区域
[0046]t2001 环状开口
[0047]2002 开口
[0048]3001 外围
[0049]3101 外围
[0050]3201 外围
[0051]6000，t600 第一绝缘层
[0052]6001，t600a 第一群组第一绝缘区域
[0053]t600b 第二群组第一绝缘区域
[0054]6002 第二群组第一绝缘开口
[0055]6003 第一绝缘开口
[0056]70本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，其特征在于，包含：半导体堆叠，包含第一半导体层，第二半导体层，以及主动层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；多个第一沟槽，穿过该第二半导体层和该主动层以裸露该第一半导体层的一部分上表面；第二沟槽，穿过该第二半导体层和该主动层以裸露该第一半导体层的另一部分上表面及周围侧表面，其中该第二沟槽位于该主动层的最外侧，并环绕该主动层及该多个第一沟槽；第一金属区域位于该第二半导体层上并与该第二半导体层电连接；第二金属区域位于该第二半导体层上，并填入于该多个第一沟槽的一个内及该第二沟槽内，其中该第二金属区域电性隔离于该第一金属区域，该第二金属区域经由该多个第一沟槽的一个及经由该第二沟槽与该第一半导体层电连接；第一焊接部，位于该第二半导体层上，并电连接至该第一金属区域；以及第二焊接部，位于该第二半导体层上，并电连接至该第二金属区域。2.一种半导体发光元件，其特征在于，包含：半导体堆叠，包含第一半导体层，第二半导体层，以及主动层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；多个第一沟槽，穿过该第二半导体层和该主动层以裸露该第一半导体层的一部分上表面；第二沟槽，穿过该第二半导体层和该主动层以裸露该第一半导体层的另一部分上表面及周围侧表面，其中该第二沟槽位于该主动层的最外侧，并环绕该主动层及该多个第一沟槽；图案化金属层，位于该第二半导体层上，并填入于该多个第一沟槽的一个内及该第二沟槽内，其中该图案化金属层经由该多个第一沟槽的一个及经由该第二沟槽与该第一半导体层电连接；第一焊接部，位于该第二半导体层上，并电连接至该第二半导体层；第二焊接部，位于该第二半导体层上，并电连接至该第一半导体层；以及绝缘层，位于该图案化金属层及该第一焊接部之间，及/或位于该图案化金属层及该第二焊接部之间，其中该绝缘层包含多个开口，该第一焊接部通过该多个开...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈昭兴，王佳琨，曾咨耀，蒋宗勋，胡柏均，庄文宏，林昱伶，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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