存储器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种存储器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有绝缘结构及若干个第一有源结构，若干个第一有源结构于绝缘结构内间隔排布；进行物理气相淀积工艺，在衬底上形成字线导电层；图形化刻蚀字线导电层，得到若干条平行间隔排布的字线结构以及位于相邻字线结构之间的填充槽，填充槽包括同时露出第一有源结构部分顶表面和绝缘结构部分顶表面的第一填充槽；在第一填充槽中分别形成沿露出的第一有源结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的第二有源结构、沿露出的绝缘结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的隔离结构。达到提高字线结构导电性能及存储器件的性能的目的。高字线结构导电性能及存储器件的性能的目的。高字线结构导电性能及存储器件的性能的目的。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种存储器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]传统的存储器件制备工艺中，形成字线结构的步骤包括：第一步，在衬底上形成有源区(AA区)和浅槽隔离结构(STI)后，蚀刻出字线沟槽(WL trench)。第二步，通过CVD工艺在衬底上淀积形成金属钨薄膜填充字线沟槽后，进行刻蚀工艺去除多余金属钨薄膜，得到由剩余金属钨薄膜构成的字线结构。但是，通过该方法得到的字线结构存在导电性能差，进而影响存储器件性能的问题。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述存储器件中字线结构导电性能差，进而影响存储器件性能的问题，提供一种存储器件及其制备方法。
[0004]一种存储器件的制备方法，包括：
[0005]提供衬底，衬底上形成有绝缘结构及若干个第一有源结构，若干个第一有源结构于绝缘结构内间隔排布；
[0006]进行物理气相淀积工艺，在衬底上形成字线导电层，字线导电层的顶表面高于第一有源结构的顶表面；
[0007]图形化刻蚀字线导电层，得到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有绝缘结构及若干个第一有源结构，若干个所述第一有源结构于所述绝缘结构内间隔排布；进行物理气相淀积工艺，在所述衬底上形成字线导电层，所述字线导电层的顶表面高于所述第一有源结构的顶表面；图形化刻蚀所述字线导电层，得到若干条平行间隔排布的字线结构及位于相邻所述字线结构之间的填充槽，所述填充槽包括同时露出第一有源结构部分顶表面和绝缘结构部分顶表面的第一填充槽；在所述第一填充槽中形成沿露出的第一有源结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的第二有源结构；在所述第一填充槽中形成沿露出的绝缘结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的隔离结构。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，位于所述绝缘结构顶表面部分的所述字线导电层的底表面低于所述第一有源结构的顶表面，所述提供衬底的步骤包括：提供表面形成有绝缘层的衬底；图形化刻蚀所述绝缘层，得到所述绝缘结构及若干个于所述绝缘结构内间隔排布的有源沟槽；填充所述有源沟槽，形成顶表面高于所述绝缘结构顶表面的所述第一有源结构。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有源沟槽露出所述衬底的上表面，所述填充所述有源沟槽，形成顶表面高于所述绝缘结构的所述第一有源结构的步骤包括：进行外延工艺，在所述有源沟槽中形成所述第一有源结构。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成字线导电层的步骤包括：在所述衬底上形成第一栅间绝缘层，所述第一栅间绝缘层覆盖所述第一有源结构的顶表面及所述绝缘结构的顶表面；在所述第一栅间绝缘层的顶表面形成第一导电层；在所述第一导电层的顶表面形成第二导电层；其中，所述第一栅间绝缘层、所述第一导电层、所述第二导电层构成所述字线导电层。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述图形化刻蚀所述字线导电层，得到若干条平行间隔排布的所述字线结构的步骤包括：图形化刻蚀所述第二导电层、所述第一导电层及所述第一栅间绝缘层，得到包括依次叠加的第二导电结构、第一导电结构、第一栅间绝缘结构的字线结构。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二导电结构包括钨导电结构，所述第一导电结构包括氮化钛结构，所述第一栅间绝缘结构包括氧化硅结构。7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述得到包括依次叠加的第二导电结构、第一导电结构、第一栅间绝缘结构的字线结构之后还包括步骤：在所述字线结...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈涛，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：