异面结构硅片及其制备方法、太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种异面结构硅片及其制备方法、太阳电池及其制备方法，所述异面结构硅片的制备方法包括：S1、采用碱刻蚀制绒工艺，在硅片第一表面上形成正金字塔结构绒面；S2、采用氧化工艺，在硅片第一表面上形成氧化层；S3、采用激光消融工艺，对氧化层进行激光消融处理；S4、采用碱刻蚀工艺，同时对硅片的第一表面和第二表面进行刻蚀，在第一表面上形成倒金字塔结构绒面，在第二表面上形成抛光面。本发明专利技术异面结构硅片在一步湿法刻蚀工艺中同时完成正面倒金字塔结构绒面和背面抛光面的制备，能够提升电池正面陷光能力，同时降低电池背面复合以及提高电池背面反射；本发明专利技术的工艺简单、成本较低，易集成到现有电池产线，具有大规模产业化应用的前景。产业化应用的前景。产业化应用的前景。

【技术实现步骤摘要】
异面结构硅片及其制备方法、太阳电池及其制备方法


[0001]本专利技术属于太阳电池
，尤其是一种异面结构硅片及其制备方法、太阳电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前单晶PERC电池制造工艺的主要流程包括：碱制绒、磷扩散、激光掺杂、背抛及边缘刻蚀、背面沉积Al2O3/SiN
X
薄膜、正面沉积SiN
X
薄膜、丝网印刷制备正、背面电极等。
[0003]现有工艺中包含两道湿法工序，碱制绒的主要目的是在硅片两面形成微米金字塔的陷光结构；背抛的主要目的是去除硅片背面的PN结以及同时刻蚀掉背面制绒时产生的金字塔结构以形成相对平整的表面，从而提升背表面Al2O3的钝化效果以及提高背表面的光反射。背抛目前有两种方案实现，一是，酸抛方案，集成在常规酸刻蚀工序中，通过水膜保护、滚轮改造以及HF与HNO3化学配比对晶体硅片的背面进行刻蚀与抛光处理，即刻蚀掉边缘与背面的PN结的同时使背面的微观结构变得平整；二是，碱抛方案，首先通过氧化保护正面激光掺杂区域，然后通过链式设备去除背面PSG，最后通过含有KOH或NaO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异面结构硅片及其制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1、采用碱刻蚀制绒工艺，在硅片第一表面上形成正金字塔结构绒面；S2、采用氧化工艺，在硅片第一表面上形成氧化层；S3、采用激光消融工艺，对氧化层进行激光消融处理；S4、采用碱刻蚀工艺，同时对硅片的第一表面和第二表面进行刻蚀，在第一表面上形成倒金字塔结构绒面，在第二表面上形成抛光面。2.根据权利要求1所述的异面结构硅片及其制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：采用碱刻蚀制绒工艺，在硅片第一表面上形成正金字塔结构绒面；或，采用碱刻蚀制绒工艺，在硅片第一表面和第二表面上形成正金字塔结构绒面。3.根据权利要求2所述的异面结构硅片及其制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体为：将硅片置于第一刻蚀液中反应，刻蚀温度为60℃～90℃，刻蚀时间为5min～20min，正金字塔结构的尺寸为0.5μm～5μm；第一刻蚀液为碱与制绒添加剂的混合溶液，碱的质量浓度为0.5％～5％，碱为氢氧化钾、氢氧化钠或四甲基氢氧化钠中的至少一种。4.根据权利要求1所述的异面结构硅片及其制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：对硅片的第一表面进行氧化形成厚度为5nm～100nm的氧化层；或，对硅片的第一表面和第二表面进行氧化形成厚度为5nm～100nm的氧化层，并去除第二表面上的氧化层。5.根据权利要求1所述的异面结构硅片及其制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体为：采用激光器产生的激光对氧化层进行扫描以消融氧化层，其中，激光器为532nm波长激光器，功率为10W～100W，光斑大小为50μm～150μm，光...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏晓东，邹帅，徐磊，朱磊，乌心怡，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：