温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种异面结构硅片及其制备方法、太阳电池及其制备方法，所述异面结构硅片的制备方法包括：S1、采用碱刻蚀制绒工艺，在硅片第一表面上形成正金字塔结构绒面；S2、采用氧化工艺，在硅片第一表面上形成氧化层；S3、采用激光消融工艺，对氧化层...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。