制绒方法、单晶硅片及单晶硅太阳电池技术

本申请提供制绒方法、单晶硅片及单晶硅太阳电池，涉及光伏技术领域。方法如下：对单晶硅片碱制绒；对碱制绒后的单晶硅片第一次酸洗；对第一次酸洗后的单晶硅片采用制绒溶液进行金属离子辅助制绒，以在金字塔绒面上形成纳米孔洞；制绒溶液中金属离子的含量为0.0001

【技术实现步骤摘要】
制绒方法、单晶硅片及单晶硅太阳电池


[0001]本专利技术涉及光伏
，特别是涉及一种制绒方法、单晶硅片及单晶硅太阳电池。

技术介绍

[0002]对单晶硅片制绒，并在绒面上设置纳米孔洞，可以进一步降低表面反射，增加入射光的利用率。
[0003]然而，现有技术中，单晶硅片的金字塔绒面上设置纳米孔洞后，会导致单晶硅太阳电池的发电效率降低。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种制绒方法、单晶硅片及单晶硅太阳电池，旨在解决单晶硅片的绒面上设置纳米孔洞后，单晶硅太阳电池的发电效率降低的问题。
[0005]根据本专利技术的第一方面，提供了一种制绒方法，包括如下步骤：
[0006]对单晶硅片进行碱制绒，以形成金字塔绒面；
[0007]对碱制绒后的单晶硅片进行第一次酸洗；
[0008]对第一次酸洗后的单晶硅片采用制绒溶液进行金属离子辅助制绒，以在金字塔绒面上形成纳米孔洞；所述制绒溶液中金属离子的含量为0.0001
‑
0.001mol/L；
[0009]对金属离子辅助制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制绒方法，其特征在于，包括如下步骤：对单晶硅片进行碱制绒，以形成金字塔绒面；对碱制绒后的单晶硅片进行第一次酸洗；对第一次酸洗后的单晶硅片采用制绒溶液进行金属离子辅助制绒，以在金字塔绒面上形成纳米孔洞；所述制绒溶液中金属离子的含量为0.0001
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0.001mol/L；对金属离子辅助制绒后的单晶硅片进行第一次脱金属处理；对第一次脱金属后的单晶硅片进行第二次酸洗；采用修饰液，对第二次酸洗后的单晶硅片进行修饰，以对所述纳米孔洞扩孔；采用含有臭氧的水鼓泡的方式，对扩孔后的单晶硅片进行第二次脱金属。2.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述修饰液为双氧水、氢氟酸、氟化铵的混合溶液；其中，在所述修饰液中，H2O2的质量浓度为2
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10％，HF的质量浓度为0.3
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2％，NH4F的质量浓度为1.5
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10％。3.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，在第二次脱金属中，对含有臭氧的水通过氮气鼓泡；和/或，对含有臭氧的水超声波鼓泡。4.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述金属离子选自银离子、铜离子、镍离子、铂离子、钯离子或金离子中的至少一种。5.根据权利要求1或3所述的制绒方法，其特征在于，在第二次脱金属中，所述含有臭氧的水中含有双氧水。6.根据权利要求2所述的制绒方法，其特征在于，在所述修饰中，修饰温度为8
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40℃，修饰时长为90
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480s；修饰后的纳米孔洞的直径为40
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130nm，深度为30
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120nm。7.根据权利要求1
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4中任一所述的制绒方法，其特征在于，所述制绒溶液还包括氢氟酸、双氧水；其中，在所述制绒溶液中，HF的质量浓度为5
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15％，H2O2的质量浓度为0.2
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2％，制绒温度为30
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35℃，反应时长为90
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480s，金属离子辅助制绒得到的纳米孔洞的直径为30
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120nm，深度为20
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100nm。8.根据权利要求1
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4中任一所述的制绒方法，其特征在于，第一次脱金属处理的溶液包括氢氧化铵、双氧水以及去离子水，其中，在所述第一次脱金属处理的溶液中，NH4OH的质量浓度为1
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5％，H2O2的质量浓度为1
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5％，脱金属温度为常温，反应时长为90
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450s。9.根据权利要求1
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4中任一所述的制绒方法，其特征在于，碱制绒步骤中的溶液包括氢氧化钠、添加剂以及去离子水，其中，在所述碱制绒溶液中，NaOH的质量浓度为1
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5％，制绒温度为80
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90℃，反应时长为5
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁超，童洪波，李华，刘继宇，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：