半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供能够兼顾高耐压与低接通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备在上表面形成有凹部的半导体部分、设于所述凹部内的一部分的绝缘部件、第一电极、以及比所述绝缘部件薄的栅极绝缘膜。所述第一电极具有设于所述凹部内的其他一部分的第一部分、以及设于比所述绝缘部件靠上方的位置的第二部分。所述栅极绝缘膜设于所述半导体部分与所述第一部分之间。所述半导体部分具有与所述栅极绝缘膜相接的第一导电型的第一层、以及与所述第一层相接并与源极触点及漏极触点连接的第二导电型的第二层和第三层。在从上方观察时，所述凹部位于所述源极触点与所述漏极触点之间。所述绝缘部件配置于所述第一部分与所述第三层之间。之间。之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2019－232931号(申请日：2019年12月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

[0004]以往，作为电力控制用的开关元件，使用了DMOS(Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)。在DMOS中，期望兼顾高耐压与低接通电阻。

技术实现思路

[0005]实施方式提供一种能够兼顾高耐压与低接通电阻的半导体装置。
[0006]实施方式的半导体装置具备：半导体部分，在上表面形成有凹部；绝缘部件，设于所述凹部内的一部分；第一电极；栅极绝缘膜，比所述绝缘部件薄；源极触点，设于所述半导体部分上；以及漏极触点，设于所述半导体部分上。所述第一电极具有：第一部分，设于所述凹部内的其他一部分；以及第二部分，设于比所述绝缘部件靠上方的位置。所述栅极绝缘膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：半导体部分，在上表面形成有凹部；绝缘部件，设于所述凹部内的一部分；第一电极，具有第一部分和第二部分，该第一部分设于所述凹部内的其他一部分，该第二部分设于比所述绝缘部件靠上方的位置；栅极绝缘膜，设于所述半导体部分与所述第一部分之间，比所述绝缘部件薄；源极触点，设于所述半导体部分上；以及漏极触点，设于所述半导体部分上，所述半导体部分具有：第一导电型的第一层，与所述栅极绝缘膜相接；第二导电型的第二层，与所述第一层相接，并与所述源极触点连接；以及第二导电型的第三层，与所述第一层相接，并与所述漏极触点连接，在从上方观察时，所述凹部位于所述源极触点与所述漏极触点之间，所述绝缘部件配置于所述第一部分与所述第三层之间。2.如权利要求1所述的半导体装置，在从上方观察时，所述第二部分的一部分配置于所述第一部分与所述漏极触点之...

【专利技术属性】
技术研发人员：篠原大辅，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：