晶圆缺陷的分析方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种晶圆缺陷的分析方法及系统，所述分析方法包括：建立设备数据库，包括第一类数据及第二类数据，第一类数据为晶圆与设备直接接触的数据，第二类数据为晶圆与设备间接接触的数据，第一类数据及第二类数据均包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；获取一产品晶圆上的至少一个晶圆缺陷的缺陷数据，缺陷数据包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；比对缺陷数据与设备数据库，确认晶圆缺陷的设备来源。通过获得晶圆制造过程中晶圆与设备的第一类数据及第二类数据，以建立设备数据库，然后将产品晶圆的缺陷数据与设备数据库对比，即可快速、准确的分析确定产生晶圆缺陷的设备来源，以实现快速、准确分析晶圆缺陷的设备来源。准确分析晶圆缺陷的设备来源。准确分析晶圆缺陷的设备来源。

【技术实现步骤摘要】
晶圆缺陷的分析方法及系统


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种晶圆缺陷的分析方法及系统。

技术介绍

[0002]在半导体工艺制程中，时有与设备相关的晶圆缺陷产生，进而造成产品良率下降，严重的会导致整个晶圆的报废。与设备相关的晶圆缺陷，包括但不限于如划伤、沾污。在检测站点在线或离线检测到晶圆缺陷后，如何快速、准确地定位到与产生晶圆缺陷相关的设备以便于进一步解决问题是提高半导体工艺制程良率的关键。
[0003]目前，检测到晶圆缺陷后，主要是通过人工在线查找，凭借经验来判断产生缺陷的设备来源。此种方式不仅耗费大量人力物力，效率低下，并且严重依赖于分析人员分析经验的多寡，甚至经常出现不同分析人员得出完全不同结论的现象。但随着半导体器件的不断微型化和集成化，制造晶圆所需的制程步骤愈加复杂，所历经工艺设备亦愈加繁杂，现有的分析方式愈加不适于技术的发展。
[0004]因此，亟需一种能适应于半导体工艺制程发展的能快速、准确分析缺陷的方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种晶圆缺陷的分析方法及系统，以实现快速、准确地分析晶圆缺陷。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种分析晶圆缺陷的方法，包括：建立设备数据库，所述设备数据库存储有第一类数据及第二类数据，所述第一类数据为晶圆与设备直接接触的数据，所述第二类数据为晶圆与设备间接接触的数据，所述第一类数据及第二类数据均包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；获取产品晶圆上的至少一个晶圆缺陷的缺陷数据，所述缺陷数据包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；以及，比对所述产品晶圆上的缺陷数据与所述设备数据库中存储的第一类数据及第二类数据，并基于比对结果确认所述产品晶圆上的晶圆缺陷的设备来源。
[0007]可选的，所述晶圆与设备间接接触的数据为晶圆与设备中的流体接触的数据。
[0008]可选的，所述晶圆与设备间接接触的数据为设备中的流体与晶圆的初次接触面的数据，所述初次接触面为非整面且相对固定的接触面。
[0009]可选的，所述建立设备数据库的步骤包括：通过所述设备的工程图纸得到所述设备的第一类数据及第二类数据；以及，利用测试晶圆测量并修正所述设备的第一类数据及第二类数据。
[0010]可选的，所述设备数据库还存储有所述第一类数据或所述第二类数据相对应的晶圆缺陷的图像。
[0011]可选的，若所述设备相对所述晶圆运动，则所述第一类数据的角度信息为所述运动的角度信息。
[0012]可选的，所述晶圆缺陷包括晶圆正面的缺陷及晶圆背面的缺陷。
[0013]可选的，若多个晶圆缺陷分布具有相同的特征，则将所述多个晶圆缺陷视为源于同一缺陷来源。
[0014]可选的，所述比对所述产品晶圆上的缺陷数据与所述设备数据库中存储的第一类数据及第二类数据的步骤包括：比对所述产品晶圆上的缺陷数据与所述设备数据库中存储的第一类数据及第二类数据，并按照位置信息、角度信息及尺寸信息由高到低的重要程度进行相似度的排序。
[0015]基于本专利技术的另一个方面，本专利技术还提供一种晶圆缺陷的分析系统，包括：设备数据库，所述设备数据库存储有第一类数据及第二类数据，所述第一类数据为晶圆与设备直接接触的数据，所述第二类数据为晶圆与设备间接接触的数据，所述第一类数据及第二类数据均包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；缺陷数据获取模块，用于获取产品晶圆上的至少一个晶圆缺陷的缺陷数据，所述缺陷数据包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；缺陷数据比对模块，用于比对所述产品晶圆上的缺陷数据与所述设备数据库中存储的第一类数据及第二类数据，并基于所述比对结果确认所述产品晶圆上的晶圆缺陷的设备来源。
[0016]综上所述，本专利技术提供的一种晶圆缺陷的分析方法及系统，获得晶圆制造过程中晶圆与设备的直接接触的第一类数据及通过流体间接接触的第二类数据，以建立设备数据库，然后将所获得的晶圆缺陷的缺陷数据，其中，第一类数据、第二类数据及缺陷数据均包括位置信息、尺寸信息以及角度信息，通过缺陷数据与设备数据库中数据的比对，即可快速、准确的分析确定产生缺陷的设备来源，以解决上述现有晶圆缺陷分析方法不快速、不准确的问题。
附图说明
[0017]本领域的普通技术人员应当理解，提供的附图用于更好地理解本专利技术，而不对本专利技术的范围构成任何限定。
[0018]图1为本申请实施例提供的晶圆缺陷的分析方法的流程图。
[0019]图2a为本申请实施例提供的第一种晶圆缺陷的示意图。
[0020]图2b为设备数据库中与第一种晶圆缺陷对应设备的示意图。
[0021]图3a为本申请实施例提供的第二种晶圆缺陷的示意图。
[0022]图3b为设备数据库中与第二种晶圆缺陷对应设备的示意图。
[0023]图4a为本申请实施例提供的第三种晶圆缺陷的示意图。
[0024]图4b为设备数据库中与第三种晶圆缺陷对应设备的示意图。
[0025]图5a为本申请实施例提供的第四种晶圆缺陷的示意图。
[0026]图5b为设备数据库中与第四种晶圆缺陷对应设备的示意图。
[0027]附图中：101
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定位角；201a
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条状缺陷；201b
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第一接触面；202a
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团簇状缺陷；202b
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第二接触面；203a
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点状缺陷；203b
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第三接触面；204a
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划伤；204b
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第四接触面；301
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喷嘴；302
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进气口；303
‑
举升销；304
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机械手臂；D1
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机械手臂相对晶圆运动方向；W1、W2、H1、H2
‑
第四接触面的尺寸。
具体实施方式
[0028]为使本专利技术的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
[0029]如在本专利技术中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义而进行使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征，除非内容另外明确指出外。
[0030]本申请提供一种晶圆缺陷的分析方法及系统，以解决现有的晶圆缺陷分析方法不快速、不准确的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺陷的分析方法，用于分析产品晶圆制造过程中晶圆缺陷的设备来源，其特征在于，包括：建立设备数据库，所述设备数据库存储有第一类数据及第二类数据，所述第一类数据为晶圆与设备直接接触的数据，所述第二类数据为晶圆与设备间接接触的数据，所述第一类数据及第二类数据均包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；获取产品晶圆上的至少一个晶圆缺陷的缺陷数据，所述缺陷数据包括位置信息、尺寸信息以及角度信息；以及，比对所述产品晶圆上的缺陷数据与所述设备数据库中存储的第一类数据及第二类数据，并基于比对结果确认所述产品晶圆上的晶圆缺陷的设备来源。2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷的分析方法，其特征在于，所述晶圆与设备间接接触的数据为晶圆与设备中的流体接触的数据。3.根据权利要求2所述的晶圆缺陷的分析方法，其特征在于，所述晶圆与设备间接接触的数据为设备中的流体与晶圆的初次接触面的数据，所述初次接触面为非整面且相对固定的接触面。4.根据权利要求1所述的晶圆缺陷的分析方法，其特征在于，所述建立设备数据库的步骤包括：通过所述设备的工程图纸得到所述设备的第一类数据及第二类数据；以及，利用测试晶圆测量并修正所述设备的第一类数据及第二类数据。5.根据权利要求1所述的晶圆缺陷的分析方法，其特征在于，所述设备数据库还存储有与所述第一类数据或所述第二类数据相对应的晶圆缺陷的图像。6.根据权利要求1所述的晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯亚，陈建铨，蔡信裕，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：